- 专利标题: 用于借助同时双面抛光来抛光半导体晶片的方法
- 专利标题(英): METHOD FOR POLISHING SEMICONDUCTOR WAFERS BY MEANS OF SIMULTANEOUS DOUBLE-SIDE POLISHING
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申请号: CN201410144265.9申请日: 2014-04-11
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公开(公告)号: CN104097134A公开(公告)日: 2014-10-15
- 发明人: R·鲍曼 , J·施陶德哈默 , A·海尔迈尔 , L·米斯图尔 , K·勒特格
- 申请人: 硅电子股份公司
- 申请人地址: 德国慕尼黑
- 专利权人: 硅电子股份公司
- 当前专利权人: 硅电子股份公司
- 当前专利权人地址: 德国慕尼黑
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 周家新; 蔡胜利
- 优先权: 102013206613.9 2013.04.12 DE
- 主分类号: B24B29/02
- IPC分类号: B24B29/02 ; H01L21/304
摘要:
本发明涉及一种用于在抛光装置的下和上抛光垫之间的间隙中借助于同时双面抛光来抛光半导体晶片的方法。该方法包括用修整工具对一个或全部两个抛光垫进行修整和在修整后在间隙中抛光半导体晶片;在修整过程中,修整工具和与待修整的抛光垫相对的抛光垫之间在该抛光垫的内边缘处的距离与在该抛光垫的外边缘处的相应的距离不同。
公开/授权文献
- CN104097134B 用于借助同时双面抛光来抛光半导体晶片的方法 公开/授权日:2017-05-17