用于修整抛光垫的方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105773422A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610006176.7

    申请日:2016-01-05

    IPC分类号: B24B53/017 B24B37/24

    CPC分类号: B24B53/017 B24B37/24

    摘要: 一种用于利用至少一个修整器(4)修整一块抛光布或同时修整两块抛光垫(11、12)的方法,其中,已将抛光布(11、12)施加于抛光板(21、22),该至少一个修整器(4)配备有至少一个修整元件(8),该至少一个修整元件(8)与待修整的至少一块抛光布(11、12)相接触,其中,至少一块抛光板(21、22)以相对旋转速度旋转,并且在同时修整两块抛光垫(11、12)的期间或者在抛光板(21)的一块抛光布(11)和至少一个修整器(4)的修整期间实现两对抛光板(21、22)和针轮(31、32)的旋转方向的至少两种不同的组合。

    抛光半导体晶片的方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111683792B

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN201980011767.5

    申请日:2019-02-05

    IPC分类号: B24B37/08

    摘要: 一种抛光半导体晶片的方法,该半导体晶片在分别覆盖有抛光垫(21、22)的上抛光板(11)和下抛光板(12)之间的正面和背面的两面上被同时抛光,其中抛光间隙(x1+x2)在抛光方法期间其尺寸分阶段变化或连续可变,所述抛光间隙对应于在抛光垫(21、22)的内边缘(B)处和外边缘(A)处与所述半导体晶片接触的上抛光垫(21)和下抛光垫(22)的那些表面之间的相应距离之差。

    抛光半导体晶片的方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111683792A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201980011767.5

    申请日:2019-02-05

    IPC分类号: B24B37/08

    摘要: 一种抛光半导体晶片的方法,该半导体晶片在分别覆盖有抛光垫(21、22)的上抛光板(11)和下抛光板(12)之间的正面和背面的两面上被同时抛光,其中抛光间隙(x1+x2)在抛光方法期间其尺寸分阶段变化或连续可变,所述抛光间隙对应于在抛光垫(21、22)的内边缘(B)处和外边缘(A)处与所述半导体晶片接触的上抛光垫(21)和下抛光垫(22)的那些表面之间的相应距离之差。

    用于压力辅助施加抛光垫的设备

    公开(公告)号:CN213999042U

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202021570543.4

    申请日:2020-07-31

    摘要: 本实用新型提供一种用于压力辅助施加抛光垫的设备,用于在抛光半导体晶圆的抛光机中将抛光垫均匀压力辅助施加到抛光板,所述压力辅助施加设备包括支撑件和刷,该支撑件呈板的形式,该支撑件具有正面、反面、开口、外围边缘和在该支撑件的端部处的保持设备,该保持设备用于将该压力辅助施加设备固定在抛光机的内齿圈或外齿圈上;该刷包括径向地固定在杆上的刷毛,其中,该杆被以这样的方式被可旋转地安装在开口中,即该刷的仅该刷毛延伸超过该正面或反面。