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公开(公告)号：CN1638133A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410061592.4
申请日：2004-12-27
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/02126 , H01L21/02236 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02299 , H01L21/02323 , H01L21/02351 , H01L21/26533 , H01L21/31658 , H01L21/76243
Abstract: 本发明涉及一种具有硅绝缘膜结构的异质半导体结构，所述硅绝缘膜结构含有硅－锗混合晶体，以及以低成本高生产率制造所述半导体结构的方法。为此本发明提供了一种半导体基片，其中包括由添加锗的硅所形成的第一层、由氧化物形成并邻接第一层的第二层以及由硅－锗混合晶体形成并邻接第二层的第三层；及其制造方法。
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公开(公告)号：CN100372060C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN02813163.0
申请日：2002-06-27
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： 布里安·墨菲 , 赖因霍尔德·瓦利希 , 吕迪格·施默尔克 , 维尔弗里德·冯·阿蒙 , 詹姆斯·莫兰
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/3223 , H01L21/76251
Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体材料膜或层的方法，其包括以下步骤：a)产生包括半导体材料表面上周期性反复出现的预定几何形状凹陷的结构；b)热处理表面结构化材料，直至该材料表面邻近层下方形成包括周期性反复出现空穴的层；c)使表面邻近层与半导体材料的其余部分沿空穴层分开。本发明还涉及一种半导体材料膜或层，以及包括载体晶片及硅薄层的SOI晶片。
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公开(公告)号：CN1318654C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200310123311.9
申请日：2003-12-18
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： 马丁·韦伯 , 维尔弗里德·冯·阿蒙 , 赫伯特·施密特 , 亚尼斯·维尔布里斯 , 尤里·格尔夫加特 , 列昂尼德·戈尔布诺夫
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , Y10S117/917 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明涉及一种单晶，其超过总锭长度10%的锭长度具有均匀缺陷图及狭窄的径向掺杂剂及氧变化，以及一种用以制造该硅晶片的方法。该依照Czochralski法的方法包括，于固化界面区域内的熔化物中形成偏离转动对称的温度分布。
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公开(公告)号：CN100523313C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610067653.7
申请日：2006-03-24
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： 蒂莫·米勒 , 维尔弗里德·冯·阿蒙 , 埃里希·道布 , 彼得·克罗滕塔勒尔 , 克劳斯·梅斯曼 , 弗里德里希·帕塞克 , 赖因霍尔德·沃利希 , 阿诺尔德·屈霍恩 , 约翰内斯·施图德纳
CPC classification number: C30B31/14 , C30B25/12 , C30B29/06 , C30B33/02 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明涉及硅晶片，其不具有外延沉积层且不具有通过与硅晶片粘合而形成的层，其氮浓度为1×1013原子/立方厘米至8×1014原子/立方厘米，氧浓度为5.2×1017原子/立方厘米至7.5×1017原子/立方厘米，该硅晶片厚度中心内的BMD密度为3×108/立方厘米至2×1010/立方厘米，所有线性滑移累积的总长度不超过3厘米，且所有平面扩展的滑移区域累积的总面积不超过7平方厘米，其中该硅晶片的正面在DNN通道内具有少于45个尺寸大于0.13微米LSE的氮诱发缺陷，在厚度至少为5微米的层内每立方厘米产生不超过1×104个尺寸至少为0.09微米的COP，且不含BMD的层的厚度至少为5微米。
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公开(公告)号：CN1840749A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610067653.7
申请日：2006-03-24
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： 蒂莫·米勒 , 维尔弗里德·冯·阿蒙 , 埃里希·道布 , 彼得·克罗滕塔勒尔 , 克劳斯·梅斯曼 , 弗里德里希·帕塞克 , 赖因霍尔德·沃利希 , 阿诺尔德·屈霍恩 , 约翰内斯·施图德纳
CPC classification number: C30B31/14 , C30B25/12 , C30B29/06 , C30B33/02 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明涉及硅晶片，其不具有外延沉积层且不具有通过与硅晶片粘合而形成的层，其氮浓度为1×1013原子/立方厘米至8×1014原子/立方厘米，氧浓度为5.2×1017原子/立方厘米至7.5×1017原子/立方厘米，该硅晶片厚度中心内的BMD密度为3×108/立方厘米至2×1010/立方厘米，所有线性滑移累积的总长度不超过3厘米，且所有平面扩展的滑移区域累积的总面积不超过7平方厘米，其中该硅晶片的正面在DNN通道内具有少于45个尺寸大于0.13微米LSE的氮诱发缺陷，在厚度至少为5微米的层内每立方厘米产生不超过1×104个尺寸至少为0.09微米的COP，且不含BMD的层的厚度至少为5微米。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1508299A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN200310123311.9
申请日：2003-12-18
Applicant: 瓦克硅电子股份公司
Inventor： 马丁·韦伯 , 维尔弗里德·冯·阿蒙 , 赫伯特·施密特 , 亚尼斯·维尔布里斯 , 尤里·格尔夫加特 , 列昂尼德·戈尔布诺夫
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , Y10S117/917 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明涉及一种单晶，其超过总锭长度10％的锭长度具有均匀缺陷图及狭窄的径向掺杂剂及氧变化，以及一种用以制造该硅晶片的方法。该依照Czochralski法的方法包括，于固化界面区域内的熔化物中形成偏离转动对称的温度分布。
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公开(公告)号：CN1109135C
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN98101022.9
申请日：1998-03-16
Applicant: 瓦克硅电子股份公司
Inventor： 维尔弗里德·冯·阿蒙 , 汉斯·奥尔克鲁格 , 埃里希·多恩贝格尔 , 弗朗茨·泽吉特
IPC: C30B15/22
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , Y10T117/1068
Abstract: 一种提拉硅单晶的装置，包括一个元件，该元件环绕在晶化界面上生长的单晶，并有一个面朝单晶的表面。该元件基本上在与晶化界面相同水平面上围绕单晶并具有反射单晶辐射出的热辐射或发出热辐射的性能。本发明还涉及一种提拉硅单晶的方法，其中该单晶受到所采用的一个围绕它的元件的热影响。
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公开(公告)号：CN100394536C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410056554.X
申请日：2004-08-09
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： 克里斯托夫·佐伊林 , 罗伯特·赫茨尔 , 赖因霍尔德·瓦利希 , 维尔弗里德·冯·阿蒙
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012
Abstract: 本发明涉及一种制造单晶硅晶圆的方法，该方法包括下列步骤：通过外延沉积法在硅晶圆的正面上制造一薄层，或在该硅晶圆的正面上制造一薄层，其电阻与该硅晶圆其余部分的电阻不同，或在该硅晶圆的背面上制造一外杂质吸收剂层，及在选定满足下列不等式的温度下将该硅晶圆施以热处理，其中，[Oi]是硅晶圆内的氧浓度，[Oi]eq(T)是在T温度下硅内氧的溶解度极限，δSiO2是二氧化硅的表面能，Ω是沉积氧原子的体积，r是平均COP半径，及k是波兹曼常数，在实施热处理期间，至少该硅晶圆有时是曝露于含氧气体中。本发明还涉及一硅晶圆，该晶圆的正面或背面上载有上述的一种层且实质上无空位集块(COP)。
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公开(公告)号：CN1896339A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610093779.1
申请日：2006-06-19
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： 维尔弗里德·冯·阿蒙 , 瓦尔特·黑克尔 , 安德烈亚斯·胡贝尔 , 乌尔里希·兰贝特
CPC classification number: C30B15/203 , C30B29/06
Abstract: 本发明涉及用于制造半导体硅晶片的方法，其中根据Czochralski法拉伸硅单晶，并将其加工成半导体晶片，在拉伸单晶期间控制拉伸速率V与生长前沿处的轴向温度梯度G的比例V/G，从而在该单晶内形成尺寸超过临界尺寸的聚集的空位缺陷，在制造该元件过程中，在对电子元件具有重要意义的半导体晶片的区域内，使该聚集的空位缺陷收缩，从而使该区域内的尺寸不再超过所述临界尺寸。本发明还涉及半导体硅晶片，其在对电子元件具有重要意义的区域内具有聚集的空位缺陷，其中该聚集的空位缺陷具有至少部分不含氧化物层的内表面，而该聚集的空位缺陷的尺寸小于50纳米。
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公开(公告)号：CN1581430A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410056554.X
申请日：2004-08-09
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： 克里斯托夫·佐伊林 , 罗伯特·赫茨尔 , 赖因霍尔德·瓦利希 , 维尔弗里德·冯·阿蒙
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012
Abstract: 本发明涉及一种制造单晶硅晶圆的方法，该方法包括下列步骤：通过外延沉积法在硅晶圆的正面上制造一薄层，或在该硅晶圆的正面上制造一薄层，其电阻与该硅晶圆其余部分的电阻不同，或在该硅晶圆的背面上制造一外杂质吸收剂层，及在选定满足上列不等式的温度下将该硅晶圆施以热处理，其中，[Oi]是硅晶圆内的氧浓度，[Oi]eq(T)是在T温度下硅内氧的溶解度极限，δSiO2是二氧化硅的表面能，Ω是沉积氧原子的体积，r是平均COP半径，及k是波兹曼常数，在实施热处理期间，至少该硅晶圆有时是曝露于含氧气体中。本发明还涉及一硅晶圆，该晶圆的正面或背面上载有上述的一种层且实质上无空位集块(COP)。
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