公开(公告)号：CN100372060C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN02813163.0

申请日：2002-06-27

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 布里安·墨菲 ,  赖因霍尔德·瓦利希 ,  吕迪格·施默尔克 ,  维尔弗里德·冯·阿蒙 ,  詹姆斯·莫兰

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/3223 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体材料膜或层的方法，其包括以下步骤：a)产生包括半导体材料表面上周期性反复出现的预定几何形状凹陷的结构；b)热处理表面结构化材料，直至该材料表面邻近层下方形成包括周期性反复出现空穴的层；c)使表面邻近层与半导体材料的其余部分沿空穴层分开。本发明还涉及一种半导体材料膜或层，以及包括载体晶片及硅薄层的SOI晶片。

公开(公告)号：CN1522461A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN02813163.0

申请日：2002-06-27

Applicant: 瓦克硅电子股份公司

Inventor： 布里安·墨菲 ,  赖因霍尔德·瓦利希 ,  吕迪格·施默尔克 ,  维尔弗里德·冯·阿蒙 ,  詹姆斯·莫兰

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/3223 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体材料膜或层的方法，其包括以下步骤：a)产生包括半导体材料表面上周期性反复出现的预定几何形状凹陷的结构；b)热处理表面结构化材料，直至该材料表面邻近层下方形成包括周期性反复出现空穴的层；c)使表面邻近层与半导体材料的其余部分沿空穴层分开。本发明还涉及一种半导体材料膜或层，以及包括载体晶片及硅薄层的SOI晶片。