公开(公告)号：CN1445817A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03119981.X

申请日：2003-03-14

Applicant: 瓦克硅电子股份公司

Inventor： 维尔弗里德·冯阿蒙 ,  吕迪格·施默尔克 ,  彼得·施托克 ,  沃尔夫冈·西伯特

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/2205 ,  Y10S438/913 ,  Y10S438/928 ,  Y10S438/98 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明涉及一种在CVD反应器内外延涂覆半导体晶片正面的方法，半导体晶片正面暴露于含有源气体及载气的加工气体，并且半导体晶片背面暴露于置换气体，其中该置换气体含有不超过5体积％的氢气，结果，基本上避免了由氢气强化的掺杂物扩散出半导体晶片背面。依照本发明的方法，可以得一种基片电阻率≤100毫欧姆厘米且外延层电阻率＞1欧姆厘米的半导体晶片，其没有背面涂层，其中外延层的电阻不均匀性＜10％。

公开(公告)号：CN1522461A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN02813163.0

申请日：2002-06-27

Applicant: 瓦克硅电子股份公司

Inventor： 布里安·墨菲 ,  赖因霍尔德·瓦利希 ,  吕迪格·施默尔克 ,  维尔弗里德·冯·阿蒙 ,  詹姆斯·莫兰

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/3223 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体材料膜或层的方法，其包括以下步骤：a)产生包括半导体材料表面上周期性反复出现的预定几何形状凹陷的结构；b)热处理表面结构化材料，直至该材料表面邻近层下方形成包括周期性反复出现空穴的层；c)使表面邻近层与半导体材料的其余部分沿空穴层分开。本发明还涉及一种半导体材料膜或层，以及包括载体晶片及硅薄层的SOI晶片。