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公开(公告)号：CN100511598C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610106117.3
申请日：2006-07-20
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/28 , Y10S438/959
Abstract: 本发明涉及一种用于双面机加工半导体晶片的方法和载具，该半导体晶片在一载具的切口内被引导，与此同时通过从正面和背面同时去除材料将该半导体晶片的厚度减小至目标厚度。在该方法中，将半导体晶片机加工到比载具本体薄且比用于垫衬该载具中的切口以保护该半导体晶片的嵌体厚为止。该载具的特征在于，在整个半导体晶片机加工期间，载具本体和嵌体具有不同的厚度且该载具本体比嵌体厚，其厚度差为20至70微米。本发明还涉及一种已经被双面抛光的半导体晶片，其具有正面、背面、边缘以及以SFQR最大表示的正面的局部平整度，该SFQR最大在R-2毫米的边缘排除的情况下小于50纳米，并在R-1毫米的边缘排除的情况下小于115纳米，且基于26×8毫米的区域面积进行测量。
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公开(公告)号：CN1270350C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN03119981.X
申请日：2003-03-14
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/365 , C23C16/44 , C23C16/458
CPC classification number: C30B23/02 , C30B29/40 , H01L21/2205 , Y10S438/913 , Y10S438/928 , Y10S438/98 , Y10T117/10
Abstract: 本发明涉及一种在CVD反应器内外延涂覆半导体晶片正面的方法，半导体晶片正面暴露于含有源气体及载气的加工气体，并且半导体晶片背面暴露于置换气体，其中该置换气体含有不超过5体积%的氢气，结果，基本上避免了由氢气强化的掺杂物扩散出半导体晶片背面。依照本发明的方法，可以得一种基片电阻率≤100毫欧姆厘米且外延层电阻率＞1欧姆厘米的半导体晶片，其没有背面涂层，其中外延层的电阻不均匀性＜10%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1445817A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03119981.X
申请日：2003-03-14
Applicant: 瓦克硅电子股份公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/365 , C23C16/44 , C23C16/458
CPC classification number: C30B23/02 , C30B29/40 , H01L21/2205 , Y10S438/913 , Y10S438/928 , Y10S438/98 , Y10T117/10
Abstract: 本发明涉及一种在CVD反应器内外延涂覆半导体晶片正面的方法，半导体晶片正面暴露于含有源气体及载气的加工气体，并且半导体晶片背面暴露于置换气体，其中该置换气体含有不超过5体积％的氢气，结果，基本上避免了由氢气强化的掺杂物扩散出半导体晶片背面。依照本发明的方法，可以得一种基片电阻率≤100毫欧姆厘米且外延层电阻率＞1欧姆厘米的半导体晶片，其没有背面涂层，其中外延层的电阻不均匀性＜10％。
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公开(公告)号：CN100372060C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN02813163.0
申请日：2002-06-27
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： 布里安·墨菲 , 赖因霍尔德·瓦利希 , 吕迪格·施默尔克 , 维尔弗里德·冯·阿蒙 , 詹姆斯·莫兰
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/3223 , H01L21/76251
Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体材料膜或层的方法，其包括以下步骤：a)产生包括半导体材料表面上周期性反复出现的预定几何形状凹陷的结构；b)热处理表面结构化材料，直至该材料表面邻近层下方形成包括周期性反复出现空穴的层；c)使表面邻近层与半导体材料的其余部分沿空穴层分开。本发明还涉及一种半导体材料膜或层，以及包括载体晶片及硅薄层的SOI晶片。
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公开(公告)号：CN1901222A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610079892.4
申请日：2003-03-14
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B23/02 , C30B29/40 , H01L21/2205 , Y10S438/913 , Y10S438/928 , Y10S438/98 , Y10T117/10
Abstract: 本发明涉及一种在CVD反应器内外延涂覆半导体晶片正面的方法，半导体晶片正面暴露于含有源气体及载气的加工气体，并且半导体晶片背面暴露于置换气体，其中该置换气体含有不超过5体积％的氢气，结果，基本上避免了由氢气强化的掺杂物扩散出半导体晶片背面。依照本发明的方法，可以得一种基片电阻率≤100毫欧姆厘米且外延层电阻率＞1欧姆厘米的半导体晶片，其没有背面涂层，其中外延层的电阻不均匀性＜10％。
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公开(公告)号：CN1901142A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610106117.3
申请日：2006-07-20
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/28 , Y10S438/959
Abstract: 本发明涉及一种用于双面机加工半导体晶片的方法和载具，该半导体晶片在一载具的切口内被引导，与此同时通过从正面和背面同时去除材料将该半导体晶片的厚度减小至目标厚度。在该方法中，将半导体晶片机加工到比载具本体薄且比用于垫衬该载具中的切口以保护该半导体晶片的嵌体厚为止。该载具的特征在于，在整个半导体晶片机加工期间，载具本体和嵌体具有不同的厚度且该载具本体比嵌体厚，其厚度差为20至70微米。本发明还涉及一种已经被双面抛光的半导体晶片，其具有正面、背面、边缘以及以SFQR最大表示的正面的局部平整度，该SFQR最大在R－2毫米的边缘排除的情况下小于50纳米，并在R－1毫米的边缘排除的情况下小于115纳米，且基于26×8毫米的区域面积进行测量。
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公开(公告)号：CN1522461A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN02813163.0
申请日：2002-06-27
Applicant: 瓦克硅电子股份公司
Inventor： 布里安·墨菲 , 赖因霍尔德·瓦利希 , 吕迪格·施默尔克 , 维尔弗里德·冯·阿蒙 , 詹姆斯·莫兰
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/3223 , H01L21/76251
Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体材料膜或层的方法，其包括以下步骤：a)产生包括半导体材料表面上周期性反复出现的预定几何形状凹陷的结构；b)热处理表面结构化材料，直至该材料表面邻近层下方形成包括周期性反复出现空穴的层；c)使表面邻近层与半导体材料的其余部分沿空穴层分开。本发明还涉及一种半导体材料膜或层，以及包括载体晶片及硅薄层的SOI晶片。
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