公开(公告)号：CN100511598C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200610106117.3

申请日：2006-07-20

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 吕迪格·施默尔克 ,  托马斯·比施哈尔特 ,  格哈德·海尔 ,  吉多·文斯基

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/28 ,  Y10S438/959

Abstract: 本发明涉及一种用于双面机加工半导体晶片的方法和载具，该半导体晶片在一载具的切口内被引导，与此同时通过从正面和背面同时去除材料将该半导体晶片的厚度减小至目标厚度。在该方法中，将半导体晶片机加工到比载具本体薄且比用于垫衬该载具中的切口以保护该半导体晶片的嵌体厚为止。该载具的特征在于，在整个半导体晶片机加工期间，载具本体和嵌体具有不同的厚度且该载具本体比嵌体厚，其厚度差为20至70微米。本发明还涉及一种已经被双面抛光的半导体晶片，其具有正面、背面、边缘以及以SFQR最大表示的正面的局部平整度，该SFQR最大在R-2毫米的边缘排除的情况下小于50纳米，并在R-1毫米的边缘排除的情况下小于115纳米，且基于26×8毫米的区域面积进行测量。

公开(公告)号：CN1901142A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610106117.3

申请日：2006-07-20

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 吕迪格·施默尔克 ,  托马斯·比施哈尔特 ,  格哈德·海尔 ,  吉多·文斯基

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/28 ,  Y10S438/959

Abstract: 本发明涉及一种用于双面机加工半导体晶片的方法和载具，该半导体晶片在一载具的切口内被引导，与此同时通过从正面和背面同时去除材料将该半导体晶片的厚度减小至目标厚度。在该方法中，将半导体晶片机加工到比载具本体薄且比用于垫衬该载具中的切口以保护该半导体晶片的嵌体厚为止。该载具的特征在于，在整个半导体晶片机加工期间，载具本体和嵌体具有不同的厚度且该载具本体比嵌体厚，其厚度差为20至70微米。本发明还涉及一种已经被双面抛光的半导体晶片，其具有正面、背面、边缘以及以SFQR最大表示的正面的局部平整度，该SFQR最大在R－2毫米的边缘排除的情况下小于50纳米，并在R－1毫米的边缘排除的情况下小于115纳米，且基于26×8毫米的区域面积进行测量。

公开(公告)号：CN1294629C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN02155717.9

申请日：2002-12-06

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 吉多·文斯基 ,  托马斯·阿尔特曼 ,  安东·胡贝尔 ,  亚历山大·海尔迈尔

IPC: H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/0056 ,  B24B37/042 ,  B24B37/08 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明涉及直径大于或等于200毫米、正面抛光、背面抛光、以正面切片表面网格尺寸为26毫米×8毫米为基准的最大局部平整度值SFQRmax低于或等于0.13微米的硅半导体晶片，其中以大小为10毫米×10毫米的滑动分区为基准，正面与理想平面的最大局部高度偏差P/V(10×10)max低于或等于70纳米。本发明还涉及一种供应含有研磨剂或胶体的抛光剂，总是于转动、相互平行、粘结抛光布的下抛光盘与上抛光盘之间实施同时双面抛光以制造多个硅半导体晶片的方法，其除去至少为2微米的硅，其中这些半导体晶片的预定部分至少是利用较低抛光压力部分抛光，这些半导体晶片的另一部分则是利用较高抛光压力抛光。

公开(公告)号：CN1424746A

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：CN02155717.9

申请日：2002-12-06

Applicant: 瓦克硅电子股份公司

Inventor： 吉多·文斯基 ,  托马斯·阿尔特曼 ,  安东·胡贝尔 ,  亚历山大·海尔迈尔

IPC: H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/0056 ,  B24B37/042 ,  B24B37/08 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明涉及直径大于或等于200毫米、正面抛光、背面抛光、以正面切片表面网格尺寸为26毫米×8毫米为基准的最大局部平整度值SFQRmax低于或等于0.13微米的硅半导体晶片，其中以大小为10毫米×10毫米的滑动分区为基准，正面与理想平面的最大局部高度偏差P/V(10×10)max低于或等于70纳米。本发明还涉及一种供应含有研磨剂或胶体的抛光剂，总是于转动、相互平行、粘结抛光布的下抛光盘与上抛光盘之间实施同时双面抛光以制造多个硅半导体晶片的方法，其除去至少为2微米的硅，其中这些半导体晶片的预定部分至少是利用较低抛光压力部分抛光，这些半导体晶片的另一部分则是利用较高抛光压力抛光。