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公开(公告)号：CN1833815A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610071810.1
申请日：2006-03-16
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B7/16 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/042
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体晶圆的材料去除加工的方法，其中固定在晶圆保持器上的半导体晶圆以及位于其对面的磨轮相互独立地旋转，该磨轮相对于半导体晶圆横向偏置地设置，并且以这样的方式定位，即使得半导体晶圆的轴向中心进入磨轮的工作范围，该磨轮以进给速率朝着半导体晶圆的方向移动，结果在半导体晶圆以及磨轮围绕平行的轴线旋转时，磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进，于是半导体晶圆的表面被研磨，去除一定量的材料后，磨轮以回退速率移回，其中在半导体晶圆旋转一圈的过程中，磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进的距离为0.03至0.5微米。
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公开(公告)号：CN100553876C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610071810.1
申请日：2006-03-16
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B7/16 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/042
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体晶圆的材料去除加工的方法，其中固定在晶圆保持器上的半导体晶圆以及位于其对面的磨轮相互独立地旋转，该磨轮相对于半导体晶圆横向偏置地设置，并且以这样的方式定位，即使得半导体晶圆的轴向中心进入磨轮的工作范围，该磨轮以进给速率朝着半导体晶圆的方向移动，结果在半导体晶圆以及磨轮围绕平行的轴线旋转时，磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进，于是半导体晶圆的表面被研磨，去除一定量的材料后，磨轮以回退速率移回，其中在半导体晶圆旋转一圈的过程中，磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进的距离为0.03至0.5微米。
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公开(公告)号：CN1294629C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN02155717.9
申请日：2002-12-06
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/22
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/0056 , B24B37/042 , B24B37/08 , B24B49/16
Abstract: 本发明涉及直径大于或等于200毫米、正面抛光、背面抛光、以正面切片表面网格尺寸为26毫米×8毫米为基准的最大局部平整度值SFQRmax低于或等于0.13微米的硅半导体晶片，其中以大小为10毫米×10毫米的滑动分区为基准，正面与理想平面的最大局部高度偏差P/V(10×10)max低于或等于70纳米。本发明还涉及一种供应含有研磨剂或胶体的抛光剂，总是于转动、相互平行、粘结抛光布的下抛光盘与上抛光盘之间实施同时双面抛光以制造多个硅半导体晶片的方法，其除去至少为2微米的硅，其中这些半导体晶片的预定部分至少是利用较低抛光压力部分抛光，这些半导体晶片的另一部分则是利用较高抛光压力抛光。
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公开(公告)号：CN1424746A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02155717.9
申请日：2002-12-06
Applicant: 瓦克硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/22
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/0056 , B24B37/042 , B24B37/08 , B24B49/16
Abstract: 本发明涉及直径大于或等于200毫米、正面抛光、背面抛光、以正面切片表面网格尺寸为26毫米×8毫米为基准的最大局部平整度值SFQRmax低于或等于0.13微米的硅半导体晶片，其中以大小为10毫米×10毫米的滑动分区为基准，正面与理想平面的最大局部高度偏差P/V(10×10)max低于或等于70纳米。本发明还涉及一种供应含有研磨剂或胶体的抛光剂，总是于转动、相互平行、粘结抛光布的下抛光盘与上抛光盘之间实施同时双面抛光以制造多个硅半导体晶片的方法，其除去至少为2微米的硅，其中这些半导体晶片的预定部分至少是利用较低抛光压力部分抛光，这些半导体晶片的另一部分则是利用较高抛光压力抛光。
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