用于半导体晶圆的材料去除加工的方法

    公开(公告)号:CN1833815A

    公开(公告)日:2006-09-20

    申请号:CN200610071810.1

    申请日:2006-03-16

    CPC classification number: B24B37/042

    Abstract: 本发明涉及一种用于半导体晶圆的材料去除加工的方法,其中固定在晶圆保持器上的半导体晶圆以及位于其对面的磨轮相互独立地旋转,该磨轮相对于半导体晶圆横向偏置地设置,并且以这样的方式定位,即使得半导体晶圆的轴向中心进入磨轮的工作范围,该磨轮以进给速率朝着半导体晶圆的方向移动,结果在半导体晶圆以及磨轮围绕平行的轴线旋转时,磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进,于是半导体晶圆的表面被研磨,去除一定量的材料后,磨轮以回退速率移回,其中在半导体晶圆旋转一圈的过程中,磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进的距离为0.03至0.5微米。

    用于半导体晶圆的材料去除加工的方法

    公开(公告)号:CN100553876C

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200610071810.1

    申请日:2006-03-16

    CPC classification number: B24B37/042

    Abstract: 本发明涉及一种用于半导体晶圆的材料去除加工的方法,其中固定在晶圆保持器上的半导体晶圆以及位于其对面的磨轮相互独立地旋转,该磨轮相对于半导体晶圆横向偏置地设置,并且以这样的方式定位,即使得半导体晶圆的轴向中心进入磨轮的工作范围,该磨轮以进给速率朝着半导体晶圆的方向移动,结果在半导体晶圆以及磨轮围绕平行的轴线旋转时,磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进,于是半导体晶圆的表面被研磨,去除一定量的材料后,磨轮以回退速率移回,其中在半导体晶圆旋转一圈的过程中,磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进的距离为0.03至0.5微米。

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