公开(公告)号：CN1270350C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN03119981.X

申请日：2003-03-14

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 维尔弗里德·冯阿蒙 ,  吕迪格·施默尔克 ,  彼得·施托克 ,  沃尔夫冈·西伯特

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/2205 ,  Y10S438/913 ,  Y10S438/928 ,  Y10S438/98 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明涉及一种在CVD反应器内外延涂覆半导体晶片正面的方法，半导体晶片正面暴露于含有源气体及载气的加工气体，并且半导体晶片背面暴露于置换气体，其中该置换气体含有不超过5体积%的氢气，结果，基本上避免了由氢气强化的掺杂物扩散出半导体晶片背面。依照本发明的方法，可以得一种基片电阻率≤100毫欧姆厘米且外延层电阻率＞1欧姆厘米的半导体晶片，其没有背面涂层，其中外延层的电阻不均匀性＜10%。

公开(公告)号：CN100580893C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200510116264.4

申请日：2005-11-04

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 彼得·施托克

IPC: H01L21/365 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明涉及一种多层结构，其包括基底以及于其上异质外延沉积的硅和锗的层(SiGe层)，该层的组成为Si1-xGex且该层的晶格常数与硅的晶格常数不同，以及沉积在该SiGe层上、组成为Si1-yGey、与螺旋位错相结合的薄界面层，以及至少一层沉积在该界面层上的其他的层。本发明还涉及一种用于制造该多层结构的方法。

公开(公告)号：CN1445817A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03119981.X

申请日：2003-03-14

Applicant: 瓦克硅电子股份公司

Inventor： 维尔弗里德·冯阿蒙 ,  吕迪格·施默尔克 ,  彼得·施托克 ,  沃尔夫冈·西伯特

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/2205 ,  Y10S438/913 ,  Y10S438/928 ,  Y10S438/98 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明涉及一种在CVD反应器内外延涂覆半导体晶片正面的方法，半导体晶片正面暴露于含有源气体及载气的加工气体，并且半导体晶片背面暴露于置换气体，其中该置换气体含有不超过5体积％的氢气，结果，基本上避免了由氢气强化的掺杂物扩散出半导体晶片背面。依照本发明的方法，可以得一种基片电阻率≤100毫欧姆厘米且外延层电阻率＞1欧姆厘米的半导体晶片，其没有背面涂层，其中外延层的电阻不均匀性＜10％。

公开(公告)号：CN1901222A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610079892.4

申请日：2003-03-14

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 维尔弗里德·冯阿蒙 ,  吕迪格·施默尔克 ,  彼得·施托克 ,  沃尔夫冈·西伯特

IPC: H01L29/02 ,  C30B29/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/2205 ,  Y10S438/913 ,  Y10S438/928 ,  Y10S438/98 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明涉及一种在CVD反应器内外延涂覆半导体晶片正面的方法，半导体晶片正面暴露于含有源气体及载气的加工气体，并且半导体晶片背面暴露于置换气体，其中该置换气体含有不超过5体积％的氢气，结果，基本上避免了由氢气强化的掺杂物扩散出半导体晶片背面。依照本发明的方法，可以得一种基片电阻率≤100毫欧姆厘米且外延层电阻率＞1欧姆厘米的半导体晶片，其没有背面涂层，其中外延层的电阻不均匀性＜10％。

公开(公告)号：CN1773686A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510116264.4

申请日：2005-11-04

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 彼得·施托克

IPC: H01L21/365 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明涉及一种多层结构，其包括基底以及于其上异质外延沉积的硅和锗的层(SiGe层)，该层的组成为Si1－xGex且该层的晶格常数与硅的晶格常数不同，以及沉积在该SiGe层上、组成为Si1－yGey、与螺旋位错相结合的薄界面层，以及至少一层沉积在该界面层上的其他的层。本发明还涉及一种用于制造该多层结构的方法。