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公开(公告)号：CN109828194B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN201910118244.2
申请日：2019-02-16
Applicant: 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种双面探针台。所述双面探针台包括，机架；承片台，连接于机架，所述承片台能够相对于机架运动；安装部，固定于机架；夹片夹具，包括第一挡部；所述第一挡部设置有第一测试孔，沿所述第一测试孔设置有定位凹环；导向部，安装于安装部；所述导向部设置有导向通孔；所述导向通孔包括调偏锥形孔和对准直孔，所述调偏锥形孔与对准直孔连通，晶片放置于调偏锥形孔，在重力作用下，晶片掉落于对准直孔；所述对准直孔正对应定位凹环，使晶片从调偏锥形孔放入后，晶片经过对准直孔进入定位凹环，且晶片的晶粒区域正对应所述第一测试孔。
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公开(公告)号：CN118012165A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410101233.4
申请日：2024-01-23
Applicant: 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司
IPC: G05D23/20
Abstract: 本申请提出了一种温度控制装置、芯片测试设备及温度控制方法，温度控制装置包括承载台和温控模块，承载台设有中空腔体；温控模块包括温控组件和进气组件，温控组件于进气组件连接，进气组件上设有进气通道，进气通道的一端用于连通气源，进气通道的另一端与中空腔体连通，温控组件朝向进气组件的一侧能够制热和制冷，温控组件与进气组件之间能够进行热传递，以调节流经进气通道的气体的温度，中空腔体能够接收来自进气通道的气体，以改变承载台表面的温度。本申请的温度控制装置能够实现温度调控。芯片测试设备包括上述温度装置，能够提高芯片测试数据的准确性。采用上述温度控制装置的温度控制方法，能够提高调节温度的精细度。
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公开(公告)号：CN117790396A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410026601.3
申请日：2024-01-05
Applicant: 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司
Inventor： 林生财
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种顶出装置及生产线，顶出装置用以传递晶圆片，晶圆片包括其中部的主体部以及环绕主体部的周部。顶出装置包括载台、第一顶升组件以及第二顶升组件。载台包括承载面，承载面用以支撑晶圆片。第一顶升组件适于在周部厚度大于主体部厚度时顶升周部，以使晶圆片与承载面间隔。第二顶升组件适于在周部厚度等于主体部厚度时顶升主体部，以使晶圆片与承载面间隔。本方案的顶出装置及生产线兼容性优良，对于normal晶圆片与Taiko晶圆片均能够稳定传递，应用范围广，且可以有效避免晶圆片受损，保障晶圆自动化测试能够持续正常运转。
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公开(公告)号：CN116149143A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310139827.X
申请日：2023-02-13
Applicant: 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种套刻曝光机及套刻曝光方法，套刻曝光机包括缓存站、工作站、曝光灯和上料组件，工作站设置有两个，工作站包括承片台、工作站驱动机构、掩膜版安装架，承片台用于承载晶圆，掩膜版安装架用于安装掩膜版；承片台能够运动至粗对准位置、精对准位置和曝光位置；上料组件包括两个机械手，一个机械手将晶圆从预对准台转移到粗对准位置的承片台，另一个机械手将晶圆从料盒转移到预对准台上；当其中一个工作站的承片台处于曝光位置，另一工作站的承片台处于粗对准位置或者精对准位置。该套刻曝光机，两个工作站可以交替进行曝光和交替进行晶圆的上料，套刻曝光机的生产节拍比较紧凑，对晶圆的加工效率较高。
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公开(公告)号：CN109212282B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201810957146.3
申请日：2018-08-22
Applicant: 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种探针定位模组，包括探针检测盒，探针检测盒上设置有高倍光源检测模块、低倍光源检测模块、CCD图像传感器、光路切换模块和标靶调节模块，光路切换模块包括通向CCD图像传感器的高低倍光路分光镜、将光线引导至高低倍分光镜的反光镜和高低倍切换机构通过上述设置，使用时先利用低倍光源检测模块进行检测，当CCD图像传感器检测到探针卡位置后，控制切换气缸动作，带动遮挡板进行移动，切换至高倍光源检测模块，对探针位置进行精确定位，无需设置探针卡参数，检测效率高，本发明还公开了采用该探针定位模组的全自动探针检测台。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118169530A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410159111.0
申请日：2024-02-02
Applicant: 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种测试装置及生产线，测试装置用于半导体测试。测试装置包括基体、测试组件、标记组件以及加热组件。测试组件与基体连接。测试组件包括探针，探针能够抵接半导体。标记组件连接基体，标记组件能够采用标记液体对完成测试的半导体进行标记。加热组件连接基体，加热组件用于烘干标记液体。本申请的测试装置及生产线能够通过基体将测试组件、标记组件以及加热组件集成为一体，能够有效缩短半导体的转运时间并减少转运工序，提升半导体的测试效率。
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公开(公告)号：CN119208210A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411446940.3
申请日：2024-10-16
Applicant: 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/673 , B07C5/34 , B07C5/36 , B07C5/02
Abstract: 本发明公开了一种半导体处理设备及半导体处理方法，其中半导体处理设备包括：输送装置，用于平移地输送载物圆片，载物圆片包括底片和半导体圆片；边缘空白剔除装置，包括升降机构和吸取机构，吸取机构包括若干吸取件，若干吸取件沿半导体圆片的周向布置，吸取件用于吸取半导体圆片的边缘空白；风干装置；不良品剔除装置，包括磁吸机构和收集件，磁吸机构位于载物圆片的上方，磁吸机构用于吸取不良芯片，收集件位于磁吸机构和载物圆片的下方，待载物圆片移走后，不良芯片下落至收集件。本发明的一种半导体处理设备及半导体处理方法，能够提高去除不良品的效率，同时，高效地去除半导体圆片的边缘空白。
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公开(公告)号：CN117538715A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311332148.0
申请日：2023-10-13
Applicant: 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种半导体检测设备以及半导体检测方法，其用于检测被测单元。半导体检测设备包括定位组件以及测试组件。定位组件包括定位载板以及定位装置，定位载板用于承载被测单元，定位装置用于对定位载板上的被测单元进行定位，以使得被测单元的进行转正；测试组件包括两个测试装置以及两个测试载板，测试载板用于承载被测单元，沿水平方向，各测试载板之间间隔布置，各测试装置之间联动，且沿水平方向，各测试装置之间的间距等于各测试载板之间的间距，各测试装置用于对各被测单元同时进行检测。本申请中的半导体检测设备可同时检测两个被测单元，且将定位组件以及测试组件设于单一设备，以提升半导体检测设备的一体化程度，提升测试效率。
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公开(公告)号：CN117110756A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311128772.9
申请日：2023-08-31
Applicant: 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种防氧化测试装置及防氧化测试方法。本发明的防氧化测试装置包括基座和测试座，基座用于放置待测件，待测件上具有多个沿第二方向排布的测试行，测试行具有多个沿第一方向排布的被测单元；测试座设置有探针和喷嘴，探针用于与被测单元接触，喷嘴用于喷出防护液，喷嘴与探针随测试座同步运动，测试座能够相对于基座沿第一方向移动，以切换探针和喷嘴对应的被测单元，测试座还能够相对于基座沿第二方向移动，以切换探针和喷嘴对应的测试行；喷嘴设置于探针的上游，以使各被测单元经过喷嘴后移动至探针处进行测试。该装置针对单个被测单元喷涂后能够及时进行测试，降低了因为防护液挥发导致打火氧化的概率。
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公开(公告)号：CN109262412B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201811099677.X
申请日：2018-09-20
Applicant: 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体检测领域，针对影响检测作业效率的问题，提供了一种磨针台驱动结构该技术方案如下：包括滑动连接于磨针台上的联动件、驱动联动件滑动的联动驱动件；一种全自动探针台，包括外壳、探针、基座，基座上滑动连接有主支架，主支架上滑动连接有副支架，副支架沿竖直方向滑动连接有工作台，基座设有驱动主支架滑动的主驱动件，主支架上设有驱动副支架滑动的副驱动件，副支架上设有驱动工作台升降以使工作台与探针抵接或分离的竖直驱动件，副支架上沿竖直方向滑动连接有磨针台，磨针台设有磨针台驱动结构。无需拆卸探针以及人工打磨探针，使得探针的维护作业效率较高，进而使得检测作业的持续性得到保证，提高了检测作业的效果。
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