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公开(公告)号：CN108598161B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201810405244.6
申请日：2018-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L27/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种利用全固态电池实现的增强型III‑V HEMT器件，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。
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公开(公告)号：CN102797722A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210311504.6
申请日：2012-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: F15B13/02
Abstract: 该发明属于一种具有轴向移动和转动双功能的液压换向阀，包括设有进油口、回油口和两工作油口和相应环槽的阀体，两端分别设有转动动力阀杆和移动动力阀杆的组合式阀芯、在阀芯本体的圆柱面上对称设置了4个Z型油腔和Z型柱面，带等角度间隔设置并以每两个对称设置的油道为一组的四组连接油路的阀套，端盖及密封件；该发明正常状态时，阀芯以直线运动方式工作，阀套上的工作油口与Z型油腔和Z型柱面形成启、闭关系；当阀芯直线运动发生阻碍时、即可将阀芯切换到转动工作状态，使得换向阀仍然能实现正常的切换功能。因而具有可有效提高换向阀及其液压系统工作时的安全性、连续性与可靠性，尤其是对工作连续性要求较高的领域具有重要作用等特点。
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公开(公告)号：CN108493110A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810405243.1
申请日：2018-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L23/58
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L23/58 , H01L29/7786
Abstract: 本发明公开了一种利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106876467A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710087137.9
申请日：2017-02-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直沟道的MISFET(金属‑绝缘介质半导体场效应管)器件及其制备方法。所述MISFET器件包括源极、漏极、栅极以及MIS结构，所述MIS结构的轴线基本垂直于一选定平面，所述MIS结构包括半导体结构和环绕半导体结构设置的绝缘介质，且在所述半导体结构和绝缘介质的界面处形成有沟道，所述源极与漏极经所述沟道电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间。本发明的MISFET器件具有栅控能力好、工作频率高，工艺难度低，易于制作，成品率高等优点。
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公开(公告)号：CN102797722B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210311504.6
申请日：2012-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: F15B13/02
Abstract: 该发明属于一种具有轴向移动和转动双功能的液压换向阀，包括设有进油口、回油口和两工作油口和相应环槽的阀体，两端分别设有转动动力阀杆和移动动力阀杆的组合式阀芯、在阀芯本体的圆柱面上对称设置了4个Z型油腔和Z型柱面，带等角度间隔设置并以每两个对称设置的油道为一组的四组连接油路的阀套，端盖及密封件；该发明正常状态时，阀芯以直线运动方式工作，阀套上的工作油口与Z型油腔和Z型柱面形成启、闭关系；当阀芯直线运动发生阻碍时、即可将阀芯切换到转动工作状态，使得换向阀仍然能实现正常的切换功能。因而具有可有效提高换向阀及其液压系统工作时的安全性、连续性与可靠性，尤其是对工作连续性要求较高的领域具有重要作用等特点。
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公开(公告)号：CN108493110B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201810405243.1
申请日：2018-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L23/58
Abstract: 本发明公开了一种利用全固态电池实现增强型III‑V HEMT器件的方法，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。
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公开(公告)号：CN108598161A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810405244.6
申请日：2018-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L27/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种利用全固态电池实现的增强型III-V HEMT器件，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。
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公开(公告)号：CN106876482A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710086828.7
申请日：2017-02-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/812 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/338
CPC classification number: H01L29/8122 , H01L29/1029 , H01L29/42316 , H01L29/66848
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直沟道的MESFET(金属‑半导体场效应晶体管)器件，其包括MES结构、源极及漏极，所述MES结构包括栅极以及至少一半导体沟道，所述半导体沟道的轴线基本垂直于一选定平面，所述栅极环绕半导体沟道设置，所述源极经半导体沟道与漏极电连接，所述源极和漏极沿半导体沟道轴向间隔设置，所述栅极分布于源、漏极之间。本发明还公开了所述MESFET器件的制备方法。本发明的MESFET器件具有栅控能力好、工作频率高，制作工艺难度低，成品率高等优点。
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