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公开(公告)号：CN115563486A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211165542.5
申请日：2022-09-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F18/21 , G06F18/241 , G06F40/237 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种针对NLP模型的轻量且高隐蔽性的黑盒攻击方法。本发明步骤：1、依据受害样本集、目标模型、分类标签、攻击比率调用词重要性计算算法，确定受害词；2、依据受害词、词的历史信息表、分类标签、候选词表预算，调用构建候选词表算法，确定受害词的候选词表候选词表；3、计算受害词和对应候选词在受害文本中的置信度分数差值，更新该受害词的历史信息表；同时调用文本相似函数和置信度分数计算算法，确定对抗样本。本发明通过优化改进词转换阶段的方法，同时使用历史攻击信息并进行统计检验，减小候选词表的大小，从而降低目标模型查询词袋的次数，增强攻击的隐蔽性，降低安全系统检测风险。
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公开(公告)号：CN108598161B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201810405244.6
申请日：2018-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L27/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种利用全固态电池实现的增强型III‑V HEMT器件，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。
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公开(公告)号：CN107389181B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710740261.0
申请日：2017-08-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01H11/02
Abstract: 本发明公开了一种扭振检测方法及其应用的传感器。永磁式旋转加速度传感器必须与待测转轴同轴同心安装。本发明一种扭振检测方法采用的传感器，包括桥臂和检测单元。检测单元包括输出绕组、滚轮、永磁磁钢和定子铁芯。步骤一、若待测转轴直径在传感器的检测范围内，则将传感器放置到待测转轴上并吸合。若待测转轴直径在传感器的检测范围外，则根据待测转轴露出部分的宽度，选择制造杯形扩径盘或柱形扩径盘。步骤二、根据输出绕组上输出的电压值，判断是否存在扭振及扭振情况。本发明通过在直径过小的转轴上固定扩径盘的方式，能够检测直径小于传感器检测下限的转轴的旋转加速度。
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公开(公告)号：CN108493110A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810405243.1
申请日：2018-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L23/58
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L23/58 , H01L29/7786
Abstract: 本发明公开了一种利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。
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公开(公告)号：CN106876467A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710087137.9
申请日：2017-02-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直沟道的MISFET(金属‑绝缘介质半导体场效应管)器件及其制备方法。所述MISFET器件包括源极、漏极、栅极以及MIS结构，所述MIS结构的轴线基本垂直于一选定平面，所述MIS结构包括半导体结构和环绕半导体结构设置的绝缘介质，且在所述半导体结构和绝缘介质的界面处形成有沟道，所述源极与漏极经所述沟道电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间。本发明的MISFET器件具有栅控能力好、工作频率高，工艺难度低，易于制作，成品率高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108493110B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201810405243.1
申请日：2018-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L23/58
Abstract: 本发明公开了一种利用全固态电池实现增强型III‑V HEMT器件的方法，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。
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公开(公告)号：CN108598161A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810405244.6
申请日：2018-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L27/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种利用全固态电池实现的增强型III-V HEMT器件，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。
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公开(公告)号：CN107389181A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710740261.0
申请日：2017-08-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01H11/02
CPC classification number: G01H11/02
Abstract: 本发明公开了一种扭振检测方法及其应用的传感器。永磁式旋转加速度传感器必须与待测转轴同轴同心安装。本发明一种扭振检测方法采用的传感器，包括桥臂和检测单元。检测单元包括输出绕组、滚轮、永磁磁钢和定子铁芯。步骤一、若待测转轴直径在传感器的检测范围内，则将传感器放置到待测转轴上并吸合。若待测转轴直径在传感器的检测范围外，则根据待测转轴露出部分的宽度，选择制造杯形扩径盘或柱形扩径盘。步骤二、根据输出绕组上输出的电压值，判断是否存在扭振及扭振情况。本发明通过在直径过小的转轴上固定扩径盘的方式，能够检测直径小于传感器检测下限的转轴的旋转加速度。
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公开(公告)号：CN106876482A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710086828.7
申请日：2017-02-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/812 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/338
CPC classification number: H01L29/8122 , H01L29/1029 , H01L29/42316 , H01L29/66848
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直沟道的MESFET(金属‑半导体场效应晶体管)器件，其包括MES结构、源极及漏极，所述MES结构包括栅极以及至少一半导体沟道，所述半导体沟道的轴线基本垂直于一选定平面，所述栅极环绕半导体沟道设置，所述源极经半导体沟道与漏极电连接，所述源极和漏极沿半导体沟道轴向间隔设置，所述栅极分布于源、漏极之间。本发明还公开了所述MESFET器件的制备方法。本发明的MESFET器件具有栅控能力好、工作频率高，制作工艺难度低，成品率高等优点。
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公开(公告)号：CN207335861U
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201721071948.1
申请日：2017-08-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01H1/00
Abstract: 本实用新型公开了一种扭振检测传感器。永磁式旋转加速度传感器必须与待测转轴同轴同心安装。本实用新型包括桥臂和检测单元。所述的检测单元包括输出绕组、滚轮、永磁磁钢和定子铁芯。定子铁芯内侧面的两端均支承有两个滚轮。定子铁芯内嵌有永磁磁钢。定子铁芯上缠绕有输出绕组。检测单元共有n个。n个检测单元依次排列。任意两个相邻的检测单元内定子铁芯均通过桥臂连接。桥臂与定子铁芯的连接方式为铰接。相邻两个检测单元内永磁磁钢相对端的极性相同。n个检测单元内输出绕组的绕向一致，且串联设置。本实用新型通过在直径过小的转轴上固定扩径圆盘的方式，能够检测直径小于传感器检测下限的转轴的旋转加速度。
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