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公开(公告)号：CN119121157A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411175546.0
申请日：2024-08-26
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: C23C14/35 , C23C14/06 , C23C16/511 , C23C16/27 , C23C28/04
Abstract: 本发明涉及一种高迁移率的共掺杂金刚石及制备方法，包括步骤：提供未有意掺杂金刚石；在未有意掺杂金刚石表面制备氢终端结构，形成氢终端金刚石；在氢终端金刚石的氢终端结构表面制备待掺杂元素的本征薄膜；在预设温度下刻蚀本征薄膜，使得本征薄膜的待掺杂元素热扩散至氢终端结构中和未有意掺杂金刚石中并形成p型掺杂，得到共掺杂金刚石层。该制备方法可以有效修复磁控溅射对金刚石表面晶格的损伤，降低表面粗糙度，提高共掺杂金刚石的界面质量，同时在p型掺杂元素和同为p型导电的氢终端结构的共同作用下，氢终端金刚石的载流子迁移率得到大幅度提高，从而提高了共掺杂金刚石层的性能，进而可以用于制备高性能的金刚石微波功率器件。
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公开(公告)号：CN120018524A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510146327.8
申请日：2025-02-10
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种选择生长调控掺杂浓度的金刚石二极管及其制备方法，该制备方法包括：在(100)晶向的本征金刚石衬底上生长(100)晶向的轻掺杂金刚石层；在轻掺杂金刚石层的上表面刻蚀形成凹槽，凹槽的深度小于轻掺杂金刚石层的厚度；在凹槽中进行选择性生长，形成(111)晶向的重掺杂金刚石层；去除轻掺杂金刚石层的上表面和重掺杂金刚石层的上表面的氢终端；在重掺杂金刚石层的上表面生长欧姆电极；在轻掺杂金刚石层的上表面生长肖特基电极，欧姆电极与肖特基电极间隔设置。本发明可以将器件漂移区和欧姆接触区载流子浓度差提高到4～5个数量级，提升肖特基二极管的反向击穿电压、击穿场强正向导电性能，降低漏电流。
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公开(公告)号：CN119275091A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411294145.7
申请日：2024-09-14
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/04 , H01L21/324 , H01L21/285 , H10D64/62
Abstract: 本发明公开了一种n型掺杂低阻欧姆接触金刚石及其制备方法，该制备方法包括：选取未有意掺杂的金刚石作为金刚石衬底；在第一预设温度下，在所述金刚石衬底上注入P离子，在所述金刚石衬底的上表面形成注入层；在第二预设温度下对所述注入层进行退火，使所述注入层中P元素进行再分布；在所述注入层上表面沉积金属层。本发明以P离子注入实现金刚石的n型掺杂，掺杂浓度高，可以在低的激活能下，实现较高的带电载流子浓度和良好体电导，降低了重磷掺杂金刚石原位生长对设备的要求。
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公开(公告)号：CN118824853A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410811540.1
申请日：2024-06-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种高阈值电压增强型金刚石高压场效应晶体管的制备方法，包括：选取金刚石衬底并在金刚石衬底上同质外延生长未掺杂的本征金刚石层；在本征金刚石层的上表面的源极区域和漏极区域选择性生长重掺杂p型金刚石；对本征金刚石层和重掺杂p型金刚石的上表面进行氢化处理形成氢终端表面，并将氢终端表面转换为硅终端表面；刻蚀掉栅极区域以外的硅终端表面以形成氢终端表面；在氢终端表面和硅终端表面的上表面沉积钝化层并开设源极窗口和漏极窗口；在钝化层上表面的栅极区域制备栅极，在源极窗口和漏极窗口分别制备源极和漏极。本发明制备的增强型金刚石高压场效应晶体管兼具高阈值电压、高击穿电压和低导通电阻。
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公开(公告)号：CN111048581B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201911337462.1
申请日：2019-12-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种类空气桥型源场板结构的金刚石场效应晶体管。该金刚石场效应晶体管包括：衬底层、外延层、栅介质层、源电极、漏电极、栅电极、钝化层、源场板、空气层和支撑层，外延层位于衬底层之上，外延层上部两端分别设置源电极和漏电极，源电极和漏电极中间设置栅电极，栅电极与外延层之间设置栅介质层，栅介质层的两侧均设置钝化层，钝化层分别与源电极和漏电极接触，栅电极与源场板之间设置支撑层，空气层设置在钝化层和源场板之间。本发明能够减小栅源反馈电容和栅漏反馈电容，提高功率增益和工作频率，同时能提高击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119913615A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510078415.9
申请日：2025-01-17
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种自选择侧向生长的大尺寸金刚石(110)单晶及其制备方法，制备方法包括：选取X个金刚石衬底；在每个金刚石衬底的上表面生长(110)晶向的外延金刚石层，获得X个(110)单晶外延结构；X个(110)单晶外延结构均具有(100)晶向的侧表面和(111)晶向的侧表面；将X个(110)单晶外延结构分为M组；对每组(110)单晶外延结构中的N个(110)单晶外延结构进行组内第一晶向拼接，并在第一晶向的生长条件下生长金刚石，得到M个第一拼接结构；将M个第一拼接结构进行第二晶向拼接，并在第二晶向的生长条件下生长金刚石，得到第二拼接结构；对第二拼接结构进行后处理，得到大尺寸金刚石(110)单晶。
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公开(公告)号：CN111048581A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911337462.1
申请日：2019-12-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种类空气桥型源场板结构的金刚石场效应晶体管。该金刚石场效应晶体管包括：衬底层、外延层、栅介质层、源电极、漏电极、栅电极、钝化层、源场板、空气层和支撑层，外延层位于衬底层之上，外延层上部两端分别设置源电极和漏电极，源电极和漏电极中间设置栅电极，栅电极与外延层之间设置栅介质层，栅介质层的两侧均设置钝化层，钝化层分别与源电极和漏电极接触，栅电极与源场板之间设置支撑层，空气层设置在钝化层和源场板之间。本发明能够减小栅源反馈电容和栅漏反馈电容，提高功率增益和工作频率，同时能提高击穿电压。
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公开(公告)号：CN118917075A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410963056.0
申请日：2024-07-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于信号处理领域，尤其是涉及一种基于传感器网络的分布式耦合张量流分解方法。本发明假设所有传感器的测量数据均可用，并且不能使用分布式方法处理，从而推导出耦合张量流分解算法；然后利用平均共识(AC)算法对相同特征进行融合，从而实现以完全分布式方法来进行张量流分解。本方法无需之前时间点的张量测量数据，计算复杂度不会随时间增大，因为当前时刻对每个维度估计的参数都会用于下一时刻的初始化。本方法使用完全分布式的方式，维持了每个节点的私有维度；仅通过传感器网络交换共享因子矩阵，保证了低的通信复杂度。
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公开(公告)号：CN119967853A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510078423.3
申请日：2025-01-17
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金刚石复合电导反型沟道增强型场效应管及其制备方法，该场效应管采用n型金刚石外延层和具有p型二维空穴气的氢终端p型导电层构成栅下沟道。对本发明所提出的增强型场效应管中的栅电极加正栅压时，栅下沟道的二维空穴气导电，空穴被排斥耗尽，沟道关断；栅电极为零栅压时，n型金刚石外延层的电子和氢终端p型导电层的空穴，在浓度相当的情况下，抵消中和，沟道关断；栅电极加负栅压时，氢终端p型导电层的空穴被吸引，n型金刚石外延层的电子被排斥，形成反型沟道，沟道导通，从而实现导电性较好的导通沟道。在氢终端p型导电层形成的源漏电流，可以提高场效应管的栅下载流子浓度，提高电流密度，降低沟道电阻，增强栅控能力。
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公开(公告)号：CN119582838A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411647323.X
申请日：2024-11-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明公开了一种金刚石高速反相器电路及其制备方法，金刚石高速反相器包括氢/硅复合终端E模器件和氢终端D模器件；其中，氢/硅复合终端E模器件和氢终端D模器件共享金刚石衬底；金刚石衬底包括单晶金刚石衬底和叠加于单晶金刚石衬底之上的非掺杂金刚石外延层；氢/硅复合终端E模器件的终端层为氢/硅复合终端金刚石；氢终端D模器件的终端层为第一氢终端金刚石；氢/硅复合终端E模器件和氢终端D模器件之间设置有隔离区；氢/硅复合终端E模器件的E模器件漏极、氢终端D模器件的D模器件源极以及氢终端D模器件的D模器件栅极通过金属互连线互连，实现了更高的性能、更高的安全性和更高的响应速度。
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