-
公开(公告)号：CN103474354B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201310343762.7
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
-
公开(公告)号：CN102239549B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN200980148632.X
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
-
公开(公告)号：CN102239549A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148632.X
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
-
公开(公告)号：CN1630947A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN02829215.4
申请日：2002-05-24
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L27/04 , H01P3/02 , H01L21/3205
Abstract: 一种电信号传输线，包括形成在半导体衬底(1)上的信号电极部分(2)、接地电极部分(3)和介电部分(4)。信号电极部分(2)具有电信号流过的金属电极(21)、上导电半导体(22)和下导电半导体(23)。接地电极部分(3)具有接地金属电极(31)和导电半导体(32)。在上导电半导体(22)和下导电半导体(23)具有相反的极性的情形下，信号电极部分(2)的金属电极(21)和接地电极部分(3)的金属电极(31)用半导体PN结连接。介电材料填满和覆盖信号电极部分(2)的金属电极(21)和接地电极部分(3)的金属电极(31)之间的区域，电力线穿过该区域形成介电部分(4)。在这种结构下，可以提供能够高速电信号传播和用目前的半导体制造方法以稳定质量制造的电信号传输线。
-
公开(公告)号：CN103403883A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280009953.3
申请日：2012-03-05
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L31/10 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/032 , H01L29/24 , H01L31/036 , H01L31/09 , H01L31/1085 , H01L31/1804 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于基底基板之上，具有到达硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从开口露出的硅结晶面之上，由SixGe1-x(0≤x＜1)构成；第二结晶层，其位于第一结晶层之上，由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于抑制体以及第二结晶层之上，一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102449784A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080022788.6
申请日：2010-06-03
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L27/1446 , G01J5/024 , H01L31/0392 , H01L31/0543 , H01L31/1035 , H01L31/1852 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种传感器，具有：含硅的基底基板，在基底基板的上方设置的晶种体、以及，与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，且由吸收光或热生成载流子的3至5族化合物半导体组成的光热吸收体，光热吸收体，按照入射到光热吸收体的入射光或施加到光热吸收体的热度而输出电信号。同时，提供半导体基板，具有：含硅的基底基板、在基底基板的上方形成，具有露出基底基板表面的开口，阻碍结晶生长的阻碍体、在开口内部设置的晶种体、与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，由吸收光或热度而生成载流子的3-5族化合物半导体构成的光热吸收体。
-
公开(公告)号：CN103474354A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310343762.7
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
-
公开(公告)号：CN102484077A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080038652.4
申请日：2010-09-06
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L21/26553 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66318 , H01L29/66522
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，其具有栅极绝缘层、与所述栅极绝缘层相接的第1半导体结晶层以及与第1半导体结晶层晶格匹配或准晶格匹配的第2半导体结晶层，所述栅极绝缘层、所述第1半导体结晶层及所述第2半导体结晶层按照栅极绝缘层、第1半导体结晶层、第2半导体结晶层的顺序配置，所述第1半导体结晶层是Inx1Ga1-x1Asy1P1-y1(0＜x1≤1，0≤y1≤1)，所述第2半导体结晶层是Inx2Ga1-x2Asy2P1-y2(0≤x2≤1，0≤y2≤1，y2≠y1)，所述第1半导体结晶层的电子亲和力Ea1比所述第2半导体结晶层的电子亲和力Ea2小。
-
公开(公告)号：CN102449775A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080023680.9
申请日：2010-06-03
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/052
CPC classification number: H01L31/0522 , H01L27/142 , H01L31/028 , H01L31/03046 , H01L31/0392 , H01L31/0475 , H01L31/0543 , H01L31/0687 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1852 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种半导体基板，具有：含硅的基底基板，和形成在基底基板上，具有露出基底基板表面的开口，用于阻碍结晶生长的阻碍体、和接触被露出于开口内部的基底基板表面，形成在开口内部的光吸收构造体，光吸收构造体具有第1半导体和第2半导体，所述第1半导体包含：第1传导型第1半导体、形成在第1传导型第1半导体的上方，具有与第1传导型第1半导体相反的传导型的第2传导型第1半导体、以及形成在第1传导型第1半导体和第2传导型第1半导体之间，有效载流子浓度比第1传导型第1半导体及第2传导型第1半导体更低的低载流子浓度第1半导体；所述第2半导体包含：与第2传导型第1半导体晶格匹配或准晶格匹配且具有与第2传导型第1半导体相反的传导型的第1传导型第2半导体、以及形成第1传导型第2半导体的上方，具有与第1传导型第2半导体相反的传导型的第2传导型第2半导体、形成在第1传导型第2半导体和第2传导型第2半导体之间且有效载流子浓度比第1传导型第2半导体及第2传导型第2半导体更低的低载流子浓度第2半导体。
-
公开(公告)号：CN103403883B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201280009953.3
申请日：2012-03-05
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L31/10 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/032 , H01L29/24 , H01L31/036 , H01L31/09 , H01L31/1085 , H01L31/1804 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于基底基板之上，具有到达硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从开口露出的硅结晶面之上，由SixGe1-x(0≤x＜1)构成；第二结晶层，其位于第一结晶层之上，由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于抑制体以及第二结晶层之上，一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.01 seconds)
