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公开(公告)号：CN103548133B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201280025380.3
申请日：2012-06-11
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/76256 , H01L21/823807 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/1207
Abstract: 形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极和第一漏极以及形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极和第二漏极由同一种导电物质构成，该导电物质的功函数ΦM满足式1及式2的至少之一的关系，(式1)(式2)且其中，表示N型半导体晶体层的电子亲和力、及Eg2表示P型半导体晶体层的电子亲和力及禁带宽度。
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公开(公告)号：CN103548133A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280025380.3
申请日：2012-06-11
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/76256 , H01L21/823807 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L21/76251
Abstract: 形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极和第一漏极以及形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极和第二漏极由同一种导电物质构成，该导电物质的功函数ΦM满足式1及式2的至少之一的关系，(式1)(式2)且其中，表示N型半导体晶体层的电子亲和力、及Eg2表示P型半导体晶体层的电子亲和力及禁带宽度。
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公开(公告)号：CN103814437A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201280045370.6
申请日：2012-09-21
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/306 , H01L21/02002 , H01L21/30612 , H01L21/76254 , H01L21/7813 , H01L21/187 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84
Abstract: 本发明提供一种具备半导体结晶层的复合基板的制造方法，包括：在半导体结晶层形成基板上依次形成牺牲层及半导体结晶层的步骤；将半导体结晶层形成基板与转印目的基板相贴合，使得半导体结晶层形成基板的第一表面与转印目的基板的要与第一表面相接触的第二表面相面对；将半导体结晶层形成基板及转印目的基板的全部或一部分浸渍于刻蚀液中对牺牲层进行刻蚀，在使半导体结晶层保留在转印目的基板侧的状态下将转印目的基板与半导体结晶层形成基板相分离的步骤。此处，转印目的基板具有非柔性基板和有机物层，有机物层的表面为第二表面。
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公开(公告)号：CN103403883A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280009953.3
申请日：2012-03-05
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L31/10 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/032 , H01L29/24 , H01L31/036 , H01L31/09 , H01L31/1085 , H01L31/1804 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于基底基板之上，具有到达硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从开口露出的硅结晶面之上，由SixGe1-x(0≤x＜1)构成；第二结晶层，其位于第一结晶层之上，由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于抑制体以及第二结晶层之上，一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触。
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公开(公告)号：CN102449784A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080022788.6
申请日：2010-06-03
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L27/1446 , G01J5/024 , H01L31/0392 , H01L31/0543 , H01L31/1035 , H01L31/1852 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种传感器，具有：含硅的基底基板，在基底基板的上方设置的晶种体、以及，与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，且由吸收光或热生成载流子的3至5族化合物半导体组成的光热吸收体，光热吸收体，按照入射到光热吸收体的入射光或施加到光热吸收体的热度而输出电信号。同时，提供半导体基板，具有：含硅的基底基板、在基底基板的上方形成，具有露出基底基板表面的开口，阻碍结晶生长的阻碍体、在开口内部设置的晶种体、与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，由吸收光或热度而生成载流子的3-5族化合物半导体构成的光热吸收体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103403883B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201280009953.3
申请日：2012-03-05
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L31/10 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/032 , H01L29/24 , H01L31/036 , H01L31/09 , H01L31/1085 , H01L31/1804 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于基底基板之上，具有到达硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从开口露出的硅结晶面之上，由SixGe1-x(0≤x＜1)构成；第二结晶层，其位于第一结晶层之上，由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于抑制体以及第二结晶层之上，一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触。
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公开(公告)号：CN102449784B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201080022788.6
申请日：2010-06-03
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L27/1446 , G01J5/024 , H01L31/0392 , H01L31/0543 , H01L31/1035 , H01L31/1852 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种传感器，具有：含硅的基底基板，在基底基板的上方设置的晶种体、以及，与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，且由吸收光或热生成载流子的3至5族化合物半导体组成的光热吸收体，光热吸收体，按照入射到光热吸收体的入射光或施加到光热吸收体的热度而输出电信号。同时，提供半导体基板，具有：含硅的基底基板、在基底基板的上方形成，具有露出基底基板表面的开口，阻碍结晶生长的阻碍体、在开口内部设置的晶种体、与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，由吸收光或热度而生成载流子的3-5族化合物半导体构成的光热吸收体。
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公开(公告)号：CN102668029B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201080055735.4
申请日：2010-12-01
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02639 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02546
Abstract: 本发明提供一种在单一的硅基板上使不同种类的半导体结晶层外延生长时，能够提高表面的平坦性，提高半导体器件的可靠性的半导体基板。该半导体基板其具有：在表面形成了第一凹部及第二凹部的硅结晶的基底基板、在第一凹部的内部形成且为露出状态的第一IVB族半导体结晶、在第二凹部的内部形成的第二IVB族半导体结晶、及形成在第二凹部的内部的第二IVB族半导体结晶上且处于露出状态的III-V族化合物半导体结晶。
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公开(公告)号：CN102668110A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080055527.4
申请日：2010-12-24
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1852 , H01L31/03046 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种半导体基板，具备：基底基板；牺牲层，与基底基板进行晶格匹配或者准晶格匹配；第1结晶层，由形成在牺牲层上的SixGe1-x(0≤x＜1)的外延结晶构成；以及第2结晶层，形成在第1结晶层上，由禁带宽比第1结晶层还大的3-5族化合物半导体的外延结晶构成。基底基板例如由单晶GaAs构成。牺牲层例如由InmAlnGa1-m-nAs(0≤m＜1、0＜n≤1、0＜n+m≤1)的外延结晶构成。
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公开(公告)号：CN102341889A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010719.3
申请日：2010-03-08
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02452 , H01L21/02463 , H01L21/02538 , H01L21/02546 , H01L21/02642 , H01L29/107 , H01L29/73 , H01L29/7371 , H01L29/772
Abstract: 本发明提供可容易地进行具有结晶薄膜的半导体基板的设计以及所述结晶薄膜的膜质及膜厚度控制的半导体基板。具体，该基板具有，基底基板和一体或分离地被设置在所述基底基板上，用于阻挡化合物半导体的结晶生长的阻挡层；阻挡层，具有多个第1开口区域，该第1开口区域具有贯通阻挡层到基底基板的多个开口；多个第1开口区域分别包含在内部以相同配置设置的多个第1开口；多个第1开口的一部分，是设置用以形成电子元件的第1化合物半导体的第1元件形成开口；多个第1开口的另外一部分，是作为不形成电子元件的第1虚设开口。
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