公开(公告)号：CN103403883A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280009953.3

申请日：2012-03-05

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  岛田雅夫 ,  秦雅彦 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  久米英司

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/032 ,  H01L29/24 ,  H01L31/036 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于基底基板之上，具有到达硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从开口露出的硅结晶面之上，由SixGe1-x(0≤x＜1)构成；第二结晶层，其位于第一结晶层之上，由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于抑制体以及第二结晶层之上，一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触。

公开(公告)号：CN103403883B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201280009953.3

申请日：2012-03-05

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  岛田雅夫 ,  秦雅彦 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  久米英司

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/032 ,  H01L29/24 ,  H01L31/036 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于基底基板之上，具有到达硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从开口露出的硅结晶面之上，由SixGe1-x(0≤x＜1)构成；第二结晶层，其位于第一结晶层之上，由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于抑制体以及第二结晶层之上，一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触。