公开(公告)号：CN103403883B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201280009953.3

申请日：2012-03-05

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  岛田雅夫 ,  秦雅彦 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  久米英司

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/032 ,  H01L29/24 ,  H01L31/036 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于基底基板之上，具有到达硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从开口露出的硅结晶面之上，由SixGe1-x(0≤x＜1)构成；第二结晶层，其位于第一结晶层之上，由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于抑制体以及第二结晶层之上，一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触。

公开(公告)号：CN102449784B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201080022788.6

申请日：2010-06-03

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸 ,  山中贞则 ,  板谷太郎

IPC: H01L31/10 ,  G01J1/02 ,  H01L27/14 ,  H01L35/32

CPC classification number: H01L27/1446 ,  G01J5/024 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种传感器，具有：含硅的基底基板，在基底基板的上方设置的晶种体、以及，与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，且由吸收光或热生成载流子的3至5族化合物半导体组成的光热吸收体，光热吸收体，按照入射到光热吸收体的入射光或施加到光热吸收体的热度而输出电信号。同时，提供半导体基板，具有：含硅的基底基板、在基底基板的上方形成，具有露出基底基板表面的开口，阻碍结晶生长的阻碍体、在开口内部设置的晶种体、与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，由吸收光或热度而生成载流子的3-5族化合物半导体构成的光热吸收体。

公开(公告)号：CN103403883A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280009953.3

申请日：2012-03-05

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  岛田雅夫 ,  秦雅彦 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  久米英司

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/032 ,  H01L29/24 ,  H01L31/036 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于基底基板之上，具有到达硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从开口露出的硅结晶面之上，由SixGe1-x(0≤x＜1)构成；第二结晶层，其位于第一结晶层之上，由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于抑制体以及第二结晶层之上，一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触。

公开(公告)号：CN102449784A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080022788.6

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸 ,  山中贞则 ,  板谷太郎

IPC: H01L31/10 ,  G01J1/02 ,  H01L27/14 ,  H01L35/32

CPC classification number: H01L27/1446 ,  G01J5/024 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种传感器，具有：含硅的基底基板，在基底基板的上方设置的晶种体、以及，与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，且由吸收光或热生成载流子的3至5族化合物半导体组成的光热吸收体，光热吸收体，按照入射到光热吸收体的入射光或施加到光热吸收体的热度而输出电信号。同时，提供半导体基板，具有：含硅的基底基板、在基底基板的上方形成，具有露出基底基板表面的开口，阻碍结晶生长的阻碍体、在开口内部设置的晶种体、与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，由吸收光或热度而生成载流子的3-5族化合物半导体构成的光热吸收体。