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公开(公告)号：CN103563069A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280026103.4
申请日：2012-06-11
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/092 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/823807 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/0605 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L29/78684
Abstract: 提供一种半导体器件，在Ge基板上形成的P沟道型MISFET的第一源极及第一漏极由以下化合物构成：Ge原子与镍原子的化合物；Ge原子与钴原子的化合物；或Ge原子、与镍原子和钴原子的化合物构成，在由III-V族化合物半导体构成的半导体晶体层上形成的N沟道型MISFET的第二源极及第二漏极由以下化合物构成：III族原子及V族原子、与镍原子的化合物；III族原子及V族原子、与钴原子的化合物；或III族原子及V族原子、与镍原子及钴原子的化合物构成。
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公开(公告)号：CN103384917B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201280009842.2
申请日：2012-03-02
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/78681 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L29/517 , H01L29/6631 , H01L29/66462 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/7783 , H01L29/7786 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法，其目的在于提供一种在DWB法中的贴合时能够减小半导体层所受的损坏，将受到的损坏的影响以及界面能级的影响抑制得低且具有高的载流子迁移率的晶体管。本发明提供的半导体基板具有：基底基板(102)、第1绝缘体层(104)以及半导体层(106)，第1绝缘体层(102)由非晶状金属氧化物或非晶状金属氮化物构成，半导体层(106)包含第1结晶层(108)以及第2结晶层(110)，第1结晶层(108)的电子亲和力(Ea1)大于第2结晶层(110)的电子亲和力(Ea2)。
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公开(公告)号：CN102498542B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201080038691.4
申请日：2010-09-03
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78681 , H01L21/76251 , H01L21/76256 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66742
Abstract: 本发明提供一种半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法，通过隔着绝缘膜而使基板彼此粘合，从而能够将一个基板上所形成的半导体层形成在另一个基板上，并且此时不会使该半导体层的晶体结构损伤而能够保持维持高品质的晶体结构的情况下简单地进行制造。MISFET(1)中，通过在InP基板(12)上的III-V族化合物半导体层(7)上使用ALD法来形成表面平坦的氧化膜(6)，从而在常温下仅使该氧化膜(6)和Si基板(2)粘合，就能够将这些氧化膜(6)和Si基板(2)强固地接合，因此能够将一个InP基板(12)上所形成的III-V族化合物半导体层(7)形成在另一个Si基板(2)上，并且此时不会使III-V族化合物半导体层(7)的晶体结构损伤而能够保持维持在高品质的情况下简单地进行制造。
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公开(公告)号：CN102498542A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080038691.4
申请日：2010-09-03
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78681 , H01L21/76251 , H01L21/76256 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66742
Abstract: 本发明提供一种半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法，通过隔着绝缘膜而使基板彼此粘合，从而能够将一个基板上所形成的半导体层形成在另一个基板上，并且此时不会使该半导体层的晶体结构损伤而能够保持维持高品质的晶体结构的情况下简单地进行制造。MISFET(1)中，通过在InP基板(12)上的III-V族化合物半导体层(7)上使用ALD法来形成表面平坦的氧化膜(6)，从而仅在常温下使该氧化膜(6)和Si基板(2)粘合，就能够将这些氧化膜(6)和Si基板(2)强固地接合，因此能够将一个InP基板(12)上所形成的III-V族化合物半导体层(7)形成在另一个Si基板(2)上，并且此时不会使III-V族化合物半导体层(7)的晶体结构损伤而能够保持维持在高品质的情况下简单地进行制造。
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公开(公告)号：CN102484077A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080038652.4
申请日：2010-09-06
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L21/26553 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66318 , H01L29/66522
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，其具有栅极绝缘层、与所述栅极绝缘层相接的第1半导体结晶层以及与第1半导体结晶层晶格匹配或准晶格匹配的第2半导体结晶层，所述栅极绝缘层、所述第1半导体结晶层及所述第2半导体结晶层按照栅极绝缘层、第1半导体结晶层、第2半导体结晶层的顺序配置，所述第1半导体结晶层是Inx1Ga1-x1Asy1P1-y1(0＜x1≤1，0≤y1≤1)，所述第2半导体结晶层是Inx2Ga1-x2Asy2P1-y2(0≤x2≤1，0≤y2≤1，y2≠y1)，所述第1半导体结晶层的电子亲和力Ea1比所述第2半导体结晶层的电子亲和力Ea2小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103563068B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201280024791.0
申请日：2012-06-08
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/28518 , H01L21/76254 , H01L21/823807 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L29/78684
Abstract: 提供一种半导体器件，形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极及第一漏极由构成第一半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第一半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第一半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成，形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极及第二漏极由构成第二半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第二半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第二半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成。
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公开(公告)号：CN103563068A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280024791.0
申请日：2012-06-08
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/28518 , H01L21/76254 , H01L21/823807 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L29/78684
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极及第一漏极由构成第一半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第一半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第一半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成，形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极及第二漏极由构成第二半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第二半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第二半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成。
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公开(公告)号：CN103384917A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201280009842.2
申请日：2012-03-02
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/78681 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L29/517 , H01L29/6631 , H01L29/66462 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/7783 , H01L29/7786 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法，其目的在于提供一种在DWB法中的贴合时能够减小半导体层所受的损坏，将受到的损坏的影响以及界面能级的影响抑制得低且具有高的载流子迁移率的晶体管。本发明提供的半导体基板具有：基底基板(102)、第1绝缘体层(104)以及半导体层(106)，第1绝缘体层(102)由非晶状金属氧化物或非晶状金属氮化物构成，半导体层(106)包含第1结晶层(108)以及第2结晶层(110)，第1结晶层(108)的电子亲和力(Ea1)大于第2结晶层(110)的电子亲和力(Ea2)。
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公开(公告)号：CN119433700A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411053412.1
申请日：2024-08-02
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 一种氮化物晶体基板的制造方法和剥离中间体。所述制造方法具备如下的工序：(a)准备基底基板；(b)在基底基板的上方形成包含n型的III族氮化物晶体的中间层；(c)在中间层上形成覆盖层；(d)通过电化学处理，维持覆盖层的表面状态并且穿过覆盖层中的位错而使中间层成为多孔状；(e)使由III族氮化物晶体形成的再生长层在覆盖层上外延生长；(f)以成为多孔状的中间层的至少一部分为边界，使再生长层自基底基板剥离，(e)具有如下工序：(e1)在第一生长温度下使第一再生长层在覆盖层上生长；(e2)在第二生长温度下使第二再生长层在第一再生长层上生长，在(e1)中，使第一生长温度低于第二生长温度。
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公开(公告)号：CN119859847A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411255957.0
申请日：2024-09-09
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 氮化物晶体衬底的制造方法和氮化物晶体衬底。稳定获得含有AlGaN的氮化物晶体衬底。氮化物晶体衬底的制造方法具备如下工序：(a)准备基底衬底；(b)在衬底的上方形成含有n型的III族氮化物晶体的中间层；(c)在中间层上形成具有低于中间层的载流子浓度的载流子浓度的含有III族氮化物晶体的覆盖层；(d)通过电化学处理，维持覆盖层的表面状态，并通过覆盖层的位错而使中间层成为多孔状；(e)在覆盖层上使III族氮化物晶体所形成的再生长层进行外延生长；(f)以形成多孔状的中间层的至少一部分为界使再生长层从衬底剥离，在(e)中，使Al组成比x为0.05以上且0.8以下的由AlxGa1－xN的组成式表示的晶体作为再生长层生长。
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