公开(公告)号：CN103563069A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280026103.4

申请日：2012-06-11

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  山田永 ,  横山正史 ,  金相贤 ,  张睿 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/78684

Abstract: 提供一种半导体器件，在Ge基板上形成的P沟道型MISFET的第一源极及第一漏极由以下化合物构成：Ge原子与镍原子的化合物；Ge原子与钴原子的化合物；或Ge原子、与镍原子和钴原子的化合物构成，在由III-V族化合物半导体构成的半导体晶体层上形成的N沟道型MISFET的第二源极及第二漏极由以下化合物构成：III族原子及V族原子、与镍原子的化合物；III族原子及V族原子、与钴原子的化合物；或III族原子及V族原子、与镍原子及钴原子的化合物构成。