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公开(公告)号：CN100555565C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710153466.5
申请日：2007-09-20
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/10852
摘要： 本发明公开了一种用于在半导体器件中形成电容器的方法。该方法包括：在半导体基板上形成储存节点电极；在该储存节点电极上形成具有高介电常数的介电层；在该介电层上沉积板状电极，由此形成副产物杂质；和当在该板状电极上沉积顶盖层时，通过将含氢(H)原子气体导入到该半导体基板上，除去残留在该板状电极上的该副产物杂质。该半导体器件具有改善的电极传导性和电容量较高的提升。
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公开(公告)号：CN1319151C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200410063965.1
申请日：2004-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L21/336 , H01L21/322 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/28141 , H01L21/3144 , H01L21/3185 , H01L27/1052 , H01L27/10873
摘要： 公开了一种制造半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：在衬底的单元区和外围区中形成栅极；在栅极和衬底上沉积缓冲氧化物层；对衬底的最终结构退火；在缓冲氧化物层上沉积氮化物间隔层；在氮化物间隔层上沉积氧化物间隔层；在衬底的外围区形成氧化物间隔；除去残留在单元区中的氧化物间隔层。在沉积缓冲氧化物层后另外进行退火步骤，以提高面间表面特性和膜的质量，以便阻止氧化蚀刻剂在湿法浸泡工艺中渗透到硅衬底中。阻止在硅衬底中产生不必要的空隙。
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公开(公告)号：CN102339832A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110023979.0
申请日：2011-01-21
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L23/522 , H01L21/02
CPC分类号： H01L27/10894 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L28/90
摘要： 本发明公开一种半导体器件的柱型电容器及其制造方法。在该柱型电容器中，在存储节点触点的上部上形成柱体。在柱体的侧壁上形成底部电极，并且在柱体和底部电极上形成介电膜。然后，在介电膜的上部上形成顶部电极。
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公开(公告)号：CN101211922B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200710141773.1
申请日：2007-08-21
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L29/41 , H01L21/8242 , H01L21/02
CPC分类号： H01L28/65 , H01L27/10852 , H01L28/91
摘要： 本发明涉及一种电容器，其通过在设置有存储节点接触插头的半导体基板上方形成缓冲氧化物层、刻蚀截止层和模具绝缘层来制成。该模具绝缘层和刻蚀截止层被刻蚀以在该存储节点接触插头的上部分形成孔。在包括该孔的该模具绝缘层上方沉积渐缩层。该渐缩层和缓冲氧化物层被回刻蚀使得只在该刻蚀的孔的上端部分保留该减缩层。在该保留的缩减层上方的该刻蚀的孔上形成金属存储节点层。去除该模具绝缘层和保留的渐缩层以形成具有减缩上端的圆柱形存储节点。在该存储节点上方形成介电层和平板节点。通过防止由圆柱形存储节点的倾斜产生的相邻存储节点间的桥接来稳定地实现了圆柱形电容器。本发明还涉及一种电容器的制造方法。
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公开(公告)号：CN101211922A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710141773.1
申请日：2007-08-21
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L29/41 , H01L21/8242 , H01L21/02
CPC分类号： H01L28/65 , H01L27/10852 , H01L28/91
摘要： 本发明涉及一种电容器，其通过在设置有存储节点接触插头的半导体基板上方形成缓冲氧化物层、刻蚀截止层和模具绝缘层来制成。该模具绝缘层和刻蚀截止层被刻蚀以在该存储节点接触插头的上部分形成孔。在包括该孔的该模具绝缘层上方沉积渐缩层。该渐缩层和缓冲氧化物层被回刻蚀使得只在该刻蚀的孔的上端部分保留该减缩层。在该保留的缩减层上方的该刻蚀的孔上形成金属存储节点层。去除该模具绝缘层和保留的渐缩层以形成具有减缩上端的圆柱形存储节点。在该存储节点上方形成介电层和平板节点。通过防止由圆柱形存储节点的倾斜产生的相邻存储节点间的桥接来稳定地实现了圆柱形电容器。本发明还涉及一种电容器的制造方法。
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公开(公告)号：CN101937837B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201010103282.X
申请日：2010-01-27
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/10894
摘要： 本发明公开具有大纵横比圆柱形电容器的半导体器件及其制造方法。所述大纵横比圆柱形电容器是不容易在防护环中产生阻挡物缺陷和损失的稳定结构。半导体器件包括圆柱形电容器结构、存储节点氧化物、防护环孔、导电层和覆盖氧化物。单元区域中的圆柱形电容器结构包括圆柱形下电极、电介质和上电极。存储节点氧化物位于半导体基板上的外围区域中。导电层涂覆在防护环孔中。防护环孔位于半导体基板上的外围区域中的与单元区域邻接的边界处。覆盖氧化物填充导电层内的一部分。间隙填充膜填充导电层内的剩余部分。
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公开(公告)号：CN101937837A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010103282.X
申请日：2010-01-27
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/10894
摘要： 本发明公开具有大纵横比圆柱形电容器的半导体器件及其制造方法。所述大纵横比圆柱形电容器是不容易在防护环中产生阻挡物缺陷和损失的稳定结构。半导体器件包括圆柱形电容器结构、存储节点氧化物、防护环孔、导电层和覆盖氧化物。单元区域中的圆柱形电容器结构包括圆柱形下电极、电介质和上电极。存储节点氧化物位于半导体基板上的外围区域中。导电层涂覆在防护环孔中。防护环孔位于半导体基板上的外围区域中的与单元区域邻接的边界处。覆盖氧化物填充导电层内的一部分。间隙填充膜填充导电层内的剩余部分。
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公开(公告)号：CN101154568A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153466.5
申请日：2007-09-20
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/10852
摘要： 本发明公开了一种用于在半导体器件中形成电容器的方法。该方法包括：在半导体基板上形成储存节点电极；在该储存节点电极上形成具有高介电常数的介电层；在该介电层上沉积板状电极，由此形成副产物杂质；和当在该板状电极上沉积顶盖层时，通过将含氢(H)原子气体导入到该半导体基板上，除去残留在该板状电极上的该副产物杂质。该半导体器件具有改善的电极传导性和电容量较高的提升。
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公开(公告)号：CN1280909C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN03103563.9
申请日：2003-01-29
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/82 , H01L21/283
CPC分类号： H01L21/28202 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/3143
摘要： 本发明提供一种半导体装置的电容器及其制备方法，本发明的电容器的制备方法包含下列步骤：在半导体基板上形成由掺杂硅的材料(dopedsilicon materials)制成的下部电极；在下部电极上沉积薄氮化硅层；在氮化硅层表面上，通过氮化硅层的氧化形成氧氮化硅层(silicon oxynitride layer)；在氧氮化硅层上沉积介电层；并且在介电层上形成上部电极；依据此方法，在氮化硅层沉积在介电层上之后，对所得的构造进行氧化处理，并且介电层在已被氧化的氮化硅层上形成，藉此改进在下部电极和介电层间的界面特性，并可导致半导体装置电容器的漏泄电流减少和击穿电压增加。
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公开(公告)号：CN102339832B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201110023979.0
申请日：2011-01-21
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L23/522 , H01L21/02
CPC分类号： H01L27/10894 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L28/90
摘要： 本发明公开一种半导体器件的柱型电容器及其制造方法。在该柱型电容器中，在存储节点触点的上部上形成柱体。在柱体的侧壁上形成底部电极，并且在柱体和底部电极上形成介电膜。然后，在介电膜的上部上形成顶部电极。
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