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公开(公告)号：CN101211788A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710181155.X
申请日：2007-10-12
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/266
CPC分类号： H01L29/66537 , H01L21/26586 , H01L29/66621 , H01L29/78
摘要： 一种用于制造具有球形凹入沟道的半导体器件的方法，包括：形成掩模层在半导体基板上，以暴露能够形成用于球形凹入沟道的沟槽的区域；形成沟槽在该半导体基板中；在半导体基板的暴露区域中，朝3－维径向以预定倾斜角注入掺杂离子；移除掩模层；形成栅极堆在包括沟槽的区域中；以及形成源极/漏极在半导体基板中。
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公开(公告)号：CN100555565C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710153466.5
申请日：2007-09-20
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/10852
摘要： 本发明公开了一种用于在半导体器件中形成电容器的方法。该方法包括：在半导体基板上形成储存节点电极；在该储存节点电极上形成具有高介电常数的介电层；在该介电层上沉积板状电极，由此形成副产物杂质；和当在该板状电极上沉积顶盖层时，通过将含氢(H)原子气体导入到该半导体基板上，除去残留在该板状电极上的该副产物杂质。该半导体器件具有改善的电极传导性和电容量较高的提升。
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公开(公告)号：CN101211788B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710181155.X
申请日：2007-10-12
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/266
CPC分类号： H01L29/66537 , H01L21/26586 , H01L29/66621 , H01L29/78
摘要： 一种用于制造具有球形凹入沟道的半导体器件的方法，包括：形成掩模层在半导体基板上，以暴露能够形成用于球形凹入沟道的沟槽的区域；形成沟槽在该半导体基板中，所述沟槽由第一沟槽和第二球形沟槽组成；在半导体基板的暴露区域中，朝3-维径向以预定倾斜角向所述第二球形沟槽注入掺杂离子；移除掩模层；形成栅极堆在包括沟槽的区域中；以及形成源极/漏极在半导体基板中。
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公开(公告)号：CN101154568A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153466.5
申请日：2007-09-20
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/10852
摘要： 本发明公开了一种用于在半导体器件中形成电容器的方法。该方法包括：在半导体基板上形成储存节点电极；在该储存节点电极上形成具有高介电常数的介电层；在该介电层上沉积板状电极，由此形成副产物杂质；和当在该板状电极上沉积顶盖层时，通过将含氢(H)原子气体导入到该半导体基板上，除去残留在该板状电极上的该副产物杂质。该半导体器件具有改善的电极传导性和电容量较高的提升。
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公开(公告)号：CN1280909C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN03103563.9
申请日：2003-01-29
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/82 , H01L21/283
CPC分类号： H01L21/28202 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/3143
摘要： 本发明提供一种半导体装置的电容器及其制备方法，本发明的电容器的制备方法包含下列步骤：在半导体基板上形成由掺杂硅的材料(dopedsilicon materials)制成的下部电极；在下部电极上沉积薄氮化硅层；在氮化硅层表面上，通过氮化硅层的氧化形成氧氮化硅层(silicon oxynitride layer)；在氧氮化硅层上沉积介电层；并且在介电层上形成上部电极；依据此方法，在氮化硅层沉积在介电层上之后，对所得的构造进行氧化处理，并且介电层在已被氧化的氮化硅层上形成，藉此改进在下部电极和介电层间的界面特性，并可导致半导体装置电容器的漏泄电流减少和击穿电压增加。
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公开(公告)号：CN1260808C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN03103564.7
申请日：2003-01-29
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： H01L28/40 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L21/3185
摘要： 本发明提供一种半导体组件中电容器的制备方法，其包括下列步骤：于半导体晶片上形成储存节点电极；于储存节点电极之上形成以环形氮化硅所制成的介电层；以及于此介电层上形成上部电极；减少介电层的厚度Teff且通过使用Si3N4或SiOxNy(其中x在0.1与0.9之间，y在0.1与2之间)为介电层而改进漏泄电流特性；作为介电层具有高抗氧化性和高介电比。
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公开(公告)号：CN1707755A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200410081784.1
申请日：2004-12-31
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/518 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/2822 , H01L21/823437
摘要： 本发明提供一种使用氮化铝膜制造半导体器件栅极的方法，该方法包括：清洁半导体衬底的表面；氮化该衬底的表面；在半导体衬底的表面上形成包括氮化铝膜的栅极介电膜；在该栅极介电膜上淀积一栅极导电层与一硬掩模层；以及蚀刻该硬掩模层、栅极导电层与栅极介电膜以形成栅极。
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公开(公告)号：CN1612325A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410063965.1
申请日：2004-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L21/336 , H01L21/322 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/28141 , H01L21/3144 , H01L21/3185 , H01L27/1052 , H01L27/10873
摘要： 公开了一种制造半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：在衬底的单元区和外围区中形成栅极；在栅极和衬底上沉积缓冲氧化物层；对衬底的最终结构退火；在缓冲氧化物层上沉积氮化物间隔层；在氮化物间隔层上沉积氧化物间隔层；在衬底的外围区形成氧化物间隔；除去残留在单元区中的氧化物间隔层。在沉积缓冲氧化物层后另外进行退火步骤，以提高面间表面特性和膜的质量，以便阻止氧化蚀刻剂在湿法浸泡工艺中渗透到硅衬底中。阻止在硅衬底中产生不必要的空隙。
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公开(公告)号：CN1479377A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03103563.9
申请日：2003-01-29
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/82 , H01L21/283
CPC分类号： H01L21/28202 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/3143
摘要： 本发明提供一种半导体装置的电容器及其制备方法，本发明的电容器的制备方法包含下列步骤：在半导体基板上形成由掺杂硅的材料(doped silicon materials)制成的下部电极；在下部电极上沉积薄氮化硅层；在氮化硅层表面上，通过氮化硅层的氧化形成氧氮化硅层(silicon oxynitride layer)；在氧氮化硅层上沉积介电层；并且在介电层上形成上部电极；依据此方法，在氮化硅层沉积在介电层上之后，对所得的构造进行氧化处理，并且介电层在已被氧化的氮化硅层上形成，藉此改进在下部电极和介电层间的界面特性，并可导致半导体装置电容器的漏泄电流减少和击穿电压增加。
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公开(公告)号：CN1474447A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03103564.7
申请日：2003-01-29
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： H01L28/40 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L21/3185
摘要： 本发明提供一种半导体组件中电容器的制备方法，其包括下列步骤：于半导体晶片上形成储存节点电极；于储存节点电极之上形成以环形氮化硅所制成的介电层；以及于此介电层上形成上部电极；减少介电层的厚度Teff且通过使用Si3N4或SiOxNy(其中x在0.1与0.9之间，y在0.1与2之间)为介电层而改进漏泄电流特性；作为介电层具有高抗氧化性和高介电比。
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