公开(公告)号：CN101211922B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200710141773.1

申请日：2007-08-21

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 曹豪辰 ,  朴哲焕 ,  金在洙 ,  李东均

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/41 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： 本发明涉及一种电容器，其通过在设置有存储节点接触插头的半导体基板上方形成缓冲氧化物层、刻蚀截止层和模具绝缘层来制成。该模具绝缘层和刻蚀截止层被刻蚀以在该存储节点接触插头的上部分形成孔。在包括该孔的该模具绝缘层上方沉积渐缩层。该渐缩层和缓冲氧化物层被回刻蚀使得只在该刻蚀的孔的上端部分保留该减缩层。在该保留的缩减层上方的该刻蚀的孔上形成金属存储节点层。去除该模具绝缘层和保留的渐缩层以形成具有减缩上端的圆柱形存储节点。在该存储节点上方形成介电层和平板节点。通过防止由圆柱形存储节点的倾斜产生的相邻存储节点间的桥接来稳定地实现了圆柱形电容器。本发明还涉及一种电容器的制造方法。

公开(公告)号：CN101211922A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710141773.1

申请日：2007-08-21

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 曹豪辰 ,  朴哲焕 ,  金在洙 ,  李东均

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/41 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： 本发明涉及一种电容器，其通过在设置有存储节点接触插头的半导体基板上方形成缓冲氧化物层、刻蚀截止层和模具绝缘层来制成。该模具绝缘层和刻蚀截止层被刻蚀以在该存储节点接触插头的上部分形成孔。在包括该孔的该模具绝缘层上方沉积渐缩层。该渐缩层和缓冲氧化物层被回刻蚀使得只在该刻蚀的孔的上端部分保留该减缩层。在该保留的缩减层上方的该刻蚀的孔上形成金属存储节点层。去除该模具绝缘层和保留的渐缩层以形成具有减缩上端的圆柱形存储节点。在该存储节点上方形成介电层和平板节点。通过防止由圆柱形存储节点的倾斜产生的相邻存储节点间的桥接来稳定地实现了圆柱形电容器。本发明还涉及一种电容器的制造方法。