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公开(公告)号：CN118263304A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211679962.5
申请日：2022-12-27
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种半导体漂移层及其制备方法和应用。所述用于场效应晶体管的半导体漂移层，包括镓基半导体层以及包埋在所述镓基半导体层内部的导热埋层；其中，在水平方向上，所述镓基半导体层具有相互平行的第一表面和第二表面，所述导热埋层与所述第一表面之间的距离d1为100nm‑300nm，所述导热埋层在水平方向上的长度大于或者等于1μm。所述半导体漂移层能够有效解决近结散热问题，提高了场效应晶体管的热击穿温度和耐击穿能力，从而提升了功率和效率，尤其适用于HEMT器件的高效散热。
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公开(公告)号：CN118256891A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211679963.X
申请日：2022-12-27
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: C23C16/26 , H01L23/373 , H01L29/778 , C23C16/56 , C23C16/27
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅‑二维金刚石复合晶圆及其制备方法和应用。所述碳化硅‑二维金刚石复合晶圆包括碳化硅，以及依次层叠设置于所述碳化硅表面的二维金刚石薄膜和二维金刚石单晶；其中，所述碳化硅与所述二维金刚石单晶的厚度比为1:2‑1:20。所述碳化硅‑二维金刚石复合晶圆在具有大尺寸、高质量的同时，加工时不易碎裂，而且热导率高，可以作为高导热衬底或封装热沉材料，用于制备大尺寸微波器件。
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公开(公告)号：CN117712818A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202211081928.8
申请日：2022-09-06
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院
IPC: H01S5/0235 , H01S5/0233 , H01S5/02315 , H01S5/02208 , H01S5/02
Abstract: 本发明涉及一种激光雷达封装结构及激光雷达封装方法，该激光雷达封装结构包括管壳、硬质基板、柔性基板及多个芯片，其中，管壳具有安装腔，硬质基板设置于安装腔内，硬质基板包括第一侧面及第二侧面；柔性基板包括依次连接的第一板体、弯折部及第二板体，第一板体及第二板体分别设置于第一侧面及第二侧面，弯折部用于弯折连接第一板体及第二板体；多个芯片设置于柔性基板背离硬质基板的一侧面，且部分芯片设置于第一板体，部分芯片设置于第二板体，芯片与柔性基板电气连接。该激光雷达封装结构能够减小柔性基板在安装腔内占用的面积，实现产品的集成化；同时硬质基板能够提高柔性基板的强度，保证芯片的稳定性。
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公开(公告)号：CN118073303A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211464498.8
申请日：2022-11-22
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种散热板。其不仅能够导向冷却介质使其按照设定好的流道流动，以带走芯片的热量，而且能够降低冷却介质的机械能损失，提高散热效率。该散热板可以包括基板，盖板和多个分流器。该基板具有相互交叉的第一螺旋槽和第二螺旋槽，该第一螺旋槽的出口对接于该第二螺旋槽的入口，该第一螺旋槽的螺旋方向与该第二螺旋槽的螺旋方向相同。该盖板固设于该基板。该分流器被设置于该基板和该盖板之间，并且该分流器被对应地设置于该第一螺旋槽和该第二螺旋槽之间的交叉处，以使该第一螺旋槽和该第二螺旋槽分别形成同向地螺旋流通的第一流道和第二流道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN218585971U
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202222654212.4
申请日：2022-10-09
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院
IPC: H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型涉及一种芯片封装结构。该芯片封装结构包括封装体、芯片组件及散热组件，所述芯片组件包括被设置于所述封装体的芯片和设置于所述芯片的焊盘；所述散热组件包括被嵌设于所述封装体的散热扣器件，所述散热扣器件包括与所述焊盘连接的键合层，且所述键合层的尺寸与所述焊盘的尺寸的比值大于百分之七十。本实用新型的芯片封装结构通过散热组件对芯片组件进行散热，散热效果好。
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公开(公告)号：CN218632011U
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202222436964.3
申请日：2022-09-14
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427 , H01L23/10 , H01L23/495 , H01L23/48
Abstract: 本申请涉及一种芯片封装结构，芯片封装结构包括芯片、引线框架、连接件、绝缘散热层、热管及封装体，封装体用于封装芯片、引线框架、连接件、绝缘散热层及热管，其中，连接件包括第一连接段及相对于第一连接段弯折的第二连接段，第一连接段用于连接引线框架，第二连接段用于连接芯片并将芯片夹持于第二连接段与引线框架之间，绝缘散热层位于第二连接段相对远离芯片的一侧，热管位于绝缘散热层相对远离第二连接段的一侧；热管及绝缘散热层能够有效解芯片等功率器件散热效果差热流密度高的问题，通过绝缘散热层作为连接件与热管之间隔离层以及连接层，能够在保持热管高效散热作用的同时避免热管与连接件之间的直接接触而造成芯片电信号产生损耗。
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公开(公告)号：CN219350199U
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202223111512.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院
IPC: H01L23/04 , H01L23/13 , H01L23/473 , H01S5/02208 , H01S5/02315 , H01S5/024
Abstract: 本实用新型提出了一种芯片封装结构和芯片组件。所述芯片封装结构包括：基板和封装壳；所述封装壳设有多个凹槽和多个透气孔，所述封装壳设在所述基板上，所述基板覆盖多个所述凹槽以便形成多个芯片容纳腔，所述基板和所述封装壳在第一方向上相对，其中相邻两个所述芯片容纳腔之间设有至少一个第一通孔，每个所述第一通孔沿所述第一方向贯穿所述基板和所述封装壳，多个所述透气孔的内端一一对应地与多个所述芯片容纳腔连通，每个所述透气孔与所述第一通孔连通。本实用新型的芯片封装结构具有加工良率高的优点。
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公开(公告)号：CN218499509U
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202221673470.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院
Abstract: 本实用新型公开一种电磁屏蔽结构，电磁屏蔽结构包括第一柔性导热层、导电层和吸波层，所述第一柔性导热层位于所述导电层和所述吸波层之间，所述第一柔性导热层用于间隔所述吸波层与所述导电层。本实用新型提供的电磁屏蔽结构具备柔性结构适用场景多元、导热和散热效果好、电磁屏蔽性能好的优点。
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公开(公告)号：CN119804920A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411742264.4
申请日：2024-11-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及微纳米力学测量技术领域，尤其涉及一种原位力学加载装置及原位透射电镜加热杆，原位力学加载装置包括形变片，形变片包括基片、测量片、传导片和至少一对悬梁，传导片包括沿其轴向依次连接的第一传导部和第二传导部，每对悬梁中两个悬梁分别设置于第二传导部的两侧，第二传导部通过悬梁与基片连接，每个悬梁的延伸方向垂直于传导片的轴向，测量片与基片连接，测量片围设于第一传导部的外侧且与第一传导部之间具有间隙，测量片与第一传导部之间适于连接试件；加载片，加载片一端与第二传导部连接，另一端与基片连接。悬梁的设计使得拉伸过程中试件受到载荷始终为轴向拉伸载荷，提高测量精度，解决纳米尺度下原位拉伸载荷无法对中的问题。
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