公开(公告)号：CN119562557A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202311083854.6

申请日：2023-08-25

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 ,  清华大学

Inventor： 冯雪 ,  辛斌 ,  李海波 ,  庞体强 ,  陈宁

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/83 ,  H10D30/01

Abstract: 本申请涉及一种场效应晶体管及其制备方法。其中，场效应晶体管的制备方法，包括：提供预制备电极，预制备电极包括衬底，以及设置在衬底表面的源极与漏极；在源极与漏极之间形成氟化二维类金刚石纳米片薄膜，以得到沟道层；在沟道层上形成介电层；在介电层上形成门电极；得到二维类金刚石场效应晶体管。本申请提供的一种场效应晶体管及其制备方法，使用氟化二维类金刚石纳米片制作沟道层，相对采用金刚石制作沟道层而言，能够降低沟道层的制作难度，并使沟道层具有较好的电性能。

公开(公告)号：CN118263304A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211679962.5

申请日：2022-12-27

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 ,  清华大学

Inventor： 冯雪 ,  庞体强 ,  李海波 ,  辛斌 ,  王杰

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种半导体漂移层及其制备方法和应用。所述用于场效应晶体管的半导体漂移层，包括镓基半导体层以及包埋在所述镓基半导体层内部的导热埋层；其中，在水平方向上，所述镓基半导体层具有相互平行的第一表面和第二表面，所述导热埋层与所述第一表面之间的距离d1为100nm‑300nm，所述导热埋层在水平方向上的长度大于或者等于1μm。所述半导体漂移层能够有效解决近结散热问题，提高了场效应晶体管的热击穿温度和耐击穿能力，从而提升了功率和效率，尤其适用于HEMT器件的高效散热。

公开(公告)号：CN118256891A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211679963.X

申请日：2022-12-27

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 ,  清华大学

Inventor： 冯雪 ,  庞体强 ,  李海波 ,  辛斌 ,  王杰

IPC: C23C16/26 ,  H01L23/373 ,  H01L29/778 ,  C23C16/56 ,  C23C16/27

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅‑二维金刚石复合晶圆及其制备方法和应用。所述碳化硅‑二维金刚石复合晶圆包括碳化硅，以及依次层叠设置于所述碳化硅表面的二维金刚石薄膜和二维金刚石单晶；其中，所述碳化硅与所述二维金刚石单晶的厚度比为1:2‑1:20。所述碳化硅‑二维金刚石复合晶圆在具有大尺寸、高质量的同时，加工时不易碎裂，而且热导率高，可以作为高导热衬底或封装热沉材料，用于制备大尺寸微波器件。