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公开(公告)号：CN107658360A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201711074274.5
申请日：2017-11-05
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
CPC分类号： H01L31/0504 , H02S30/20
摘要： 本发明涉及太阳能发电技术，旨在提供一种能展开收合的太阳能电池组件阵列机构。包括多个由组件支架与太阳能电池组件组成的阵列单体，是形状尺寸相同的片状扇叶结构；各组件支架的末端分别通过轴承套装在一根中心轴上，使全部阵列单体沿轴向排布；相邻的阵列单体之间具有定位机构，使得绕轴依次展开后整个阵列机构呈扇形或圆形。太阳能电池组件具有夹装于钢化玻璃和背板之间的太阳能电池串。本发明结构简单，加工制造方便；适合户外环境，无需润滑维护；使用时处于展开状态，不会相互遮光，空间利用率高；遇到极端天气，可实现自动收合，保护太阳能电池组件不受破坏；机构展开和收合时实现组件的自动清洁，减少人工维护成本。
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公开(公告)号：CN103451718B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310399991.0
申请日：2013-09-05
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： C30B13/00
摘要： 本发明涉及晶体生长炉领域，旨在提供可连续生产的区熔炉装置及其工艺控制方法。该可连续生产的区熔炉装置包括炉体、炉室法兰、直线单元、连接块、旋转单元和切割片；该可连续生产的区熔炉装置的工艺控制方法包括籽晶与熔融硅液熔接拉制出硅单晶。本发明在硅单晶生长过程中，需重新开始下一次单晶生长时，本发明可对硅单晶进行切除，迅速重新进行下一次单晶生长，可实现连续生产，节省大量氩气、电能、工时，降低生产成本，并提高单晶生产效率。
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公开(公告)号：CN109881186A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910135841.6
申请日：2019-02-25
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种辐射加热装置，具体涉及一种用于CVD设备中对衬底进行高温加热的装置。包括反应室，反应室内设置有用于支撑待处理衬底的基座；反应室外部正上方设有第一灯组，正下方设有第二灯组；基座的下方设有若干热电偶，热电偶与温度控制系统相连，灯组内的加热灯通过可控硅组件与温度控制系统相连；第一灯组的上方设有第一反射器，第二灯组的下方设有第二反射器。本发明装置提高晶片上温度的均匀性。具有变化的相对绕组密度的多个区域，从而提供了比仅仅控制红外功率输出而言更高的分辨率。
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公开(公告)号：CN109244030A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810741832.7
申请日：2018-07-09
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本发明涉及半导体制造设备技术领域，旨在提供一种用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座。该基座，包括基座主体，基座主体为圆盘；基座主体上表面分为一个内区以及至少三个外区，内区呈圆形位于基座主体中心，外区呈圆形，相邻的两个外区彼此相切且均与基座主体外缘相切；内区与外区重叠区域以外的内区圆周与每个外区圆周上，分别对称设有若干内部限位块与外部限位块；基座主体下表面设有若干凹槽以及支撑件，支撑件包含有与凹槽数量相等的支撑脚，支撑脚伸入凹槽内，以实现支撑件在基座主体上的固定。利用本产品进行的加工方式保留了单片式外延生长装置生长外延层良好厚度和电阻率均匀性的优点，生长出的外延层的质量优于多片式外延生长装置。
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公开(公告)号：CN103887034A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410067773.1
申请日：2014-02-27
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 杭州慧翔电液技术开发有限公司
摘要： 本发明涉及非金属晶体的制造设备，旨在提供一种CUSP磁场发生装置线圈及其加工方法；该发明包括由铜管绕制成圆筒型的线圈组、线圈组一侧设有进出水端、环氧树脂、绝缘板、电极、连接块；所述绝缘板设在铜管之间，环氧树脂通过浇筑的方式包覆整个线圈组；所述连接块和电极均设置在到线圈组进出水端。本发明的有益效果有：线圈制造工艺安排合理，工业化生产成品率高；线圈由优化的铜管绕制而成，并采用环氧树脂整体浇筑成型，线圈整体热稳定性好；线圈单元采用多组铜管并行绕制的方法，缩短了单根铜管的水路距离，线圈整体温升小；可满足任意径向匝数、轴向匝数为4的倍数的线圈的绕制要求，为线圈的优化设计提供更加灵活的选择。
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公开(公告)号：CN110943029A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911389225.X
申请日：2019-12-30
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本发明设计半导体外延设备领域，尤其涉及一种用于半导体外延系统的双环式基座。包括内环基座，内环基座主体为圆盘结构，圆盘结构下端面设有一个同轴的凸台；外环基座为圆环形结构，外环基座内缘设有台阶，内环基座上的凸台与外环基座内缘的台阶形状相匹配，使得内环基座嵌设于外环基座内；内环基座下端面通过内环支撑装置连接升降机构；外环基座下端面通过外环支撑装置连接旋转机构。本发明使衬底安放动作平稳，减少衬底安放过程中的晃动和碰撞，提高衬底安放的准确性；由外环基座带动内环基座所形成的同步匀速旋转的结构，使得衬底在加热光源的加热过程中匀速旋转，使衬底的外延生长更加均匀，同时可保证非加工面的光滑平整。
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公开(公告)号：CN110931410A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911213408.6
申请日：2019-12-02
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体制造设备技术领域，尤其涉及外延生长设备的一种用于反应室的晶片传动装置和传动方法。装置包括均为内部中空的方形腔体结构的反应室与搬运室，二者之间通过闸阀连通，反应室内设有晶片支撑部件，搬运室内设有机械传送部件；晶片支撑部件包括内环基座和外环基座；内环基座主体为圆盘，圆盘下端面设有同心凸台，内环基座整体纵向横截面呈T型；外环基座呈圆环型，外环基座的内圈为台阶状，内圈台阶尺寸与内环基座外缘尺寸相适配，内环基座嵌设于外环基座内。本发明还提供了一种用于反应室的晶片装置进行的传动方法。本发明操作简单，传送稳定性更好，掉片率更低，满足不同尺寸的晶片的传送需求。
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公开(公告)号：CN109338464A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811328247.0
申请日：2018-11-09
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明属于晶体外延生长设备领域，具体涉及一种用于外延生长系统的气体注射装置。包括反应腔，反应腔包括前空腔和后腔，后腔内设有水平基座，基座上端面用于放置衬底，下端连接旋转轴，气体注射装置通过前法兰设于反应腔前端，主体为进气法兰，中部设有第二空腔，第二空腔后端与反应腔连通，第一空腔通过歧管构件连接第二空腔；气体注射装置前端连接封板，封板后端设有一水平凸起，凸起的上表面为圆弧曲面。排气装置通过后法兰设于反应腔后端。本发明提升了外延层的生长质量，不仅提升了外延层的厚度均匀性，还减少了晶体缺陷的产生，以满足市场对外延层质量日益严格的要求。
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公开(公告)号：CN103887034B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410067773.1
申请日：2014-02-27
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 杭州慧翔电液技术开发有限公司
摘要： 本发明涉及非金属晶体的制造设备，旨在提供一种CUSP磁场发生装置线圈的加工方法；该方法包括步骤：铜管的选取、线圈组的绕制、初检、线圈组的浇筑、整体检验。与现有技术相比，本发明的线圈制造工艺安排合理，工业化生产成品率高；线圈由优化的铜管绕制而成，并采用环氧树脂整体浇筑成型，线圈整体热稳定性好；线圈单元采用多组铜管并行绕制的方法，缩短了单根铜管的水路距离，线圈整体温升小；优化的线圈绕制工艺，可满足任意径向匝数、轴向匝数为4的倍数的线圈的绕制要求，为线圈的优化设计提供更加灵活的选择。
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公开(公告)号：CN107449734A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710749982.8
申请日：2017-08-28
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： G01N19/04
CPC分类号： G01N19/04
摘要： 本发明涉及叠片电池片粘接力测试技术，旨在提供一种叠片电池片粘接力测试方法及测试夹具。该测试夹具是由两组结构相同的单体夹具组成，每个单体夹具中均包含阻挡台、连接杆、压板和拉具；阻挡台的主体呈板状，拉具设于其一端；阻挡台另一端的表面设阻挡块，使阻挡台的纵向截面呈L形结构；连接杆贯穿阻挡台和压板上的槽孔，使单体夹具呈门字形，连接杆上设有固定螺母。与现有技术相比，本发明的测试夹具能在保持叠片电池片完整性的情况下，实现剥离目的。能够与现有拉力测量装置进行配合实现叠片电池片之间粘接力的测量，无需增加成本去另行开发专用设备，市场空间大。
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