一种CUSP磁场发生装置线圈及其加工方法

    公开(公告)号:CN103887034A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201410067773.1

    申请日:2014-02-27

    IPC分类号: H01F5/00 H01F41/04 C30B30/04

    摘要: 本发明涉及非金属晶体的制造设备,旨在提供一种CUSP磁场发生装置线圈及其加工方法;该发明包括由铜管绕制成圆筒型的线圈组、线圈组一侧设有进出水端、环氧树脂、绝缘板、电极、连接块;所述绝缘板设在铜管之间,环氧树脂通过浇筑的方式包覆整个线圈组;所述连接块和电极均设置在到线圈组进出水端。本发明的有益效果有:线圈制造工艺安排合理,工业化生产成品率高;线圈由优化的铜管绕制而成,并采用环氧树脂整体浇筑成型,线圈整体热稳定性好;线圈单元采用多组铜管并行绕制的方法,缩短了单根铜管的水路距离,线圈整体温升小;可满足任意径向匝数、轴向匝数为4的倍数的线圈的绕制要求,为线圈的优化设计提供更加灵活的选择。

    用于拉晶设备的可调式多晶料夹持装置

    公开(公告)号:CN102605419A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201210081835.5

    申请日:2012-03-25

    IPC分类号: C30B15/00

    摘要: 本发明涉及非金属晶体的制造设备,旨在提供一种用于拉晶设备的可调式多晶料夹持装置。该装置包括均具有圆盘状主体的直槽夹料盘、弯槽夹料盘和固定夹料盘;直槽夹料盘上设有径向的直槽,弯槽夹料盘设有曲线状的弯槽;下端设台阶状突起的坯料夹头贯穿直槽和弯槽,并通过与夹紧螺钉的配合实现直槽夹料盘和弯槽夹料盘的活动连接及平面贴合,坯料夹头、直槽、弯槽具有相对应的数量且一一对应。本发明中,坯料夹头和多晶料之间采用卡槽式结构联接,能够对多晶料实现稳定可靠的夹持,保证拉晶过程能够顺利进行;在直槽和弯槽的导向下,坯料夹头的移动可实现对不同尺寸大小的多晶料的夹持,可保证在拉晶过程中多晶料的稳定性。

    一种CUSP磁场发生装置线圈的加工方法

    公开(公告)号:CN103887034B

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201410067773.1

    申请日:2014-02-27

    IPC分类号: H01F5/00 H01F41/04 C30B30/04

    摘要: 本发明涉及非金属晶体的制造设备,旨在提供一种CUSP磁场发生装置线圈的加工方法;该方法包括步骤:铜管的选取、线圈组的绕制、初检、线圈组的浇筑、整体检验。与现有技术相比,本发明的线圈制造工艺安排合理,工业化生产成品率高;线圈由优化的铜管绕制而成,并采用环氧树脂整体浇筑成型,线圈整体热稳定性好;线圈单元采用多组铜管并行绕制的方法,缩短了单根铜管的水路距离,线圈整体温升小;优化的线圈绕制工艺,可满足任意径向匝数、轴向匝数为4的倍数的线圈的绕制要求,为线圈的优化设计提供更加灵活的选择。

    用于拉晶设备的可调式多晶料夹持装置

    公开(公告)号:CN102605419B

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201210081835.5

    申请日:2012-03-25

    IPC分类号: C30B15/00

    摘要: 本发明涉及非金属晶体的制造设备,旨在提供一种用于拉晶设备的可调式多晶料夹持装置。该装置包括均具有圆盘状主体的直槽夹料盘、弯槽夹料盘和固定夹料盘;直槽夹料盘上设有径向的直槽,弯槽夹料盘设有曲线状的弯槽;下端设台阶状突起的坯料夹头贯穿直槽和弯槽,并通过与夹紧螺钉的配合实现直槽夹料盘和弯槽夹料盘的活动连接及平面贴合,坯料夹头、直槽、弯槽具有相对应的数量且一一对应。本发明中,坯料夹头和多晶料之间采用卡槽式结构联接,能够对多晶料实现稳定可靠的夹持,保证拉晶过程能够顺利进行;在直槽和弯槽的导向下,坯料夹头的移动可实现对不同尺寸大小的多晶料的夹持,可保证在拉晶过程中多晶料的稳定性。

    一种CUSP磁场发生装置线圈

    公开(公告)号:CN203746600U

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201420085056.7

    申请日:2014-02-27

    IPC分类号: H01F5/00 C30B30/04

    摘要: 本实用新型涉及非金属晶体的制造设备,旨在提供一种CUSP磁场发生装置线圈;该专利包括由铜管绕制成圆筒型的线圈组、线圈组一侧设有进出水端、环氧树脂、绝缘板、电极、连接块;所述绝缘板设在铜管之间,环氧树脂通过浇筑的方式包覆整个线圈组;所述连接块和电极均设置在到线圈组进出水端。本实用新型的有益效果有:线圈由优化的铜管绕制而成,并采用环氧树脂整体浇筑成型,线圈整体热稳定性好;线圈单元采用多组铜管并行绕制的方法,缩短了单根铜管的水路距离,线圈整体温升小。

    用于拉晶设备的可调式多晶料夹持装置

    公开(公告)号:CN202543379U

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201220116827.5

    申请日:2012-03-25

    IPC分类号: C30B15/00

    摘要: 本实用新型涉及非金属晶体的制造设备,旨在提供一种用于拉晶设备的可调式多晶料夹持装置。该装置包括均具有圆盘状主体的直槽夹料盘、弯槽夹料盘和固定夹料盘;直槽夹料盘上设有径向的直槽,弯槽夹料盘设有曲线状的弯槽;下端设台阶状突起的坯料夹头贯穿直槽和弯槽,并通过与夹紧螺钉的配合实现直槽夹料盘和弯槽夹料盘的活动连接及平面贴合,坯料夹头、直槽、弯槽具有相对应的数量且一一对应。本实用新型中,坯料夹头和多晶料之间采用卡槽式结构联接,能够对多晶料实现稳定可靠的夹持,保证拉晶过程能够顺利进行;在直槽和弯槽的导向下,坯料夹头的移动可实现对不同尺寸大小的多晶料的夹持,可保证在拉晶过程中多晶料的稳定性。

    一种CUSP磁场发生装置
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN203746601U

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201420085378.1

    申请日:2014-02-27

    IPC分类号: H01F5/00 H01F41/04 C30B30/04

    摘要: 本实用新型涉及非金属晶体的制造设备,旨在提供一种CUSP磁场发生装置,包括屏蔽体、置于屏蔽体内的线圈、支撑块和置于屏蔽体外水冷器;所述屏蔽体包括圆柱形筒体和设置在圆柱形筒体上下端的环形端盖;所述上线圈和下线圈均采用相同尺寸的铜管密绕而成,相邻铜管之间均设置绝缘板;所述上线圈和下线圈之间、下线圈和屏蔽体之间均设有支撑块;该磁场磁力线分布为轴对称,晶棒的轴向径向均匀性得到保证;在拉晶面上纵向磁场基本为零,不会影响氧的蒸发;在坩埚壁上磁场基本与之垂直,可以减少坩埚的溶解;在其他大部分区域有着较强的轴向和径向磁场,能够有效的抑制热对流。

    晶体截断装置、晶体生长设备及晶体截断方法

    公开(公告)号:CN115570689B

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202211442615.0

    申请日:2022-11-18

    IPC分类号: B28D5/04 B28D7/00

    摘要: 本发明提供一种晶体截断装置、晶体生长设备及晶体截断方法。晶体截断装置包括可活动设置于晶体生长炉内的截断单元;截断单元包括相匹配的受控件以及触发件,还包括具有预备形态与剪切形态的剪切组件,受控件连接剪切组件,其能够改变自身相对触发件的位姿以切换剪切组件的形态,触发件用于接触晶体;触发件限位止挡受控件以限定剪切组件维持预备形态,触发件受晶体压力时释放受控件以使剪切组件切换至剪切形态。

    晶体生产设备及籽晶的断裂方法

    公开(公告)号:CN115613121A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211442606.1

    申请日:2022-11-18

    摘要: 本发明提供一种晶体生产设备及籽晶的断裂方法。晶体生产设备包括晶体炉以及被配置为能够相对晶体炉升降活动的提拉单元,还包括热熔装置,热熔装置包括激光发生单元,激光发生单元用于在提拉单元运动至不低于预设断晶高度时产生激光,并通过激光照射籽晶以熔融籽晶。籽晶的断裂方法包括:驱动提拉单元运动至不低于预设断晶高度的位置;在提拉单元不低于预设断晶高度时,启动激光发生单元并激光照射籽晶,以使籽晶的受照区域熔融断裂。

    一种用于区熔炉的辅助加热装置及其单晶棒保温方法

    公开(公告)号:CN103255473B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201310176172.X

    申请日:2013-05-11

    IPC分类号: C30B13/20 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及区熔炉的辅助加热技术,旨在提供一种用于区熔炉的辅助加热装置及其单晶棒保温方法。该装置包括置于区熔炉内高频加热线圈下方的辅助加热线圈,由中空的金属圆管按照螺旋线型绕制而成;辅助加热线圈的启绕端在上部,止绕端在下部,且自该两端分别水平引出上端部与下端部;辅助加热线圈的内侧设有一个呈轴对称的中空筒状的加热负载,加热负载与辅助加热线圈之间设有同样呈中空筒状的绝缘件。本发明可解决6.5英寸以上的大直径区熔单晶硅生长中面临的因热场分布不合理、热应力过大造成的单晶开裂的问题,解决因热场分布不合理、热应力过大造成的断苞问题,将单晶生产率从现有技术的70%提高到85%以上,并提高单晶品质。