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公开(公告)号：CN108407115B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201810048097.1
申请日：2018-01-18
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体加工技术，旨在提供一种用于单晶硅棒的对中检测机构。包括固定在底座上的竖向安装支架，设有竖向且平行的主刻度尺和导轨；导轨上活动安装两个滑座，均固定装有横杆导向块，检测横杆嵌入于横杆导向块的滑槽内且能沿水平方向位移；两个滑座之间的导轨上活动安装了副尺安装座，固定装有副刻度尺且与主刻度尺相邻；竖向左右旋梯形丝杆的一端设驱动机构，梯形丝杆穿过两个滑座和副尺安装座，两个滑座分别位于梯形丝杆的两段反向螺纹的范围内，副尺安装座位于梯形丝杆中间的无螺纹区域。本发明检测结果准确，可靠；调整硅棒时可以及时检测，拆卸方便，提高了生产效率；结构简单，操作简便，成本较低，可以节省大量的生产成本。
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公开(公告)号：CN113846376B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111113173.0
申请日：2021-09-23
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种外延生长装置的调温以及外延生长装置。该调温方法包括以下步骤：在衬底上选定离线测温点，在衬底和/或加热基座上选定实时测温点，离线测温点与实时测温点对应；模拟外延生长装置的工作流程，以在衬底空转的情况下获取离线测温点的温度T1以及实时测温点的温度T2；拟合温度T1和温度T2，得到温度T1和温度T2之间的映射关系函数F；获取外延生长装置正常工作流程下的实时测温点的温度T2’；根据映射关系函数F以及温度T2’，计算获得对应的离线测温点的实时温度T1’；根据实时温度T1’调节外延生长装置的加热功率。本申请的优点在于：能够获得衬底表面精确的实时温度T1’，用以精准及时的反馈调节加热功率。
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公开(公告)号：CN113652741B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110873786.8
申请日：2021-07-30
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及半导体外延生长技术领域，特别是涉及一种外延生长装置，该外延生长装置包括至少一个托盘、加热体和至少一组线圈组件；加热体内具有工作空间，托盘位于工作空间内，线圈组件沿加热体周向围设在加热体外；每组线圈组件具有一基点，每组线圈组件包括多个独立的子线圈，多个子线圈以基点为中心由内向外扩散排布；且两两相邻的两个子线圈中，其中一个子线圈包裹另外一个子线圈。本申请中每个独立的子线圈将托盘上的区域划分为多个独立加热的子区域，每个独立的子线圈对托盘上对应的子区域进行单独加热，从而实现托盘表面温度分区可控；即可调整托盘上对应的子区域的温度，降低各个子区域之间的温度差值，以提高托盘上生长的外延层的质量。
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公开(公告)号：CN110026826A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811166187.7
申请日：2018-09-30
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种全自动单晶硅棒切方磨削复合加工一体设备及其使用方法，本发明提供了一种全自动单晶硅棒切方磨削一体加工的设备，把圆棒通过切方、边角磨削和平面磨削一体加工成方棒，能够有效解决现有技术中的问题，在提高硅棒加工的效率、降低硅棒加工的成本、提升晶棒尺寸精度的同时又能减少设备的种类和数量，节省厂房面积，节约人力和物流成本。本申请可以使得切方组件和磨削组件相互独立工作互相不干涉，提高加工效率；此外，切方磨削动力头采用对称布局，同时进行双面加工，成倍提高加工效率。
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公开(公告)号：CN109881186A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910135841.6
申请日：2019-02-25
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种辐射加热装置，具体涉及一种用于CVD设备中对衬底进行高温加热的装置。包括反应室，反应室内设置有用于支撑待处理衬底的基座；反应室外部正上方设有第一灯组，正下方设有第二灯组；基座的下方设有若干热电偶，热电偶与温度控制系统相连，灯组内的加热灯通过可控硅组件与温度控制系统相连；第一灯组的上方设有第一反射器，第二灯组的下方设有第二反射器。本发明装置提高晶片上温度的均匀性。具有变化的相对绕组密度的多个区域，从而提供了比仅仅控制红外功率输出而言更高的分辨率。
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公开(公告)号：CN109244030A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810741832.7
申请日：2018-07-09
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本发明涉及半导体制造设备技术领域，旨在提供一种用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座。该基座，包括基座主体，基座主体为圆盘；基座主体上表面分为一个内区以及至少三个外区，内区呈圆形位于基座主体中心，外区呈圆形，相邻的两个外区彼此相切且均与基座主体外缘相切；内区与外区重叠区域以外的内区圆周与每个外区圆周上，分别对称设有若干内部限位块与外部限位块；基座主体下表面设有若干凹槽以及支撑件，支撑件包含有与凹槽数量相等的支撑脚，支撑脚伸入凹槽内，以实现支撑件在基座主体上的固定。利用本产品进行的加工方式保留了单片式外延生长装置生长外延层良好厚度和电阻率均匀性的优点，生长出的外延层的质量优于多片式外延生长装置。
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公开(公告)号：CN108258069A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810124034.X
申请日：2018-02-07
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/05
摘要： 本发明涉及光伏电池封装技术，旨在提供一种六边形电池片组件。包括分别通过前胶膜和背胶膜与电池片模组粘接的前玻璃和背板，电池片模组由规格统一的六边形电池片与互联条、汇流条组成；多个电池片之间相互保持间隙且以其平行的相邻边依次排布，并由互联条串接成为电池串；相邻电池串之间平行且交错布置，即同一个电池串中相邻电池片之间夹角处的空白区域以相邻电池串中电池片的凸出角填充，使电池片的整体布局呈蜂巢结构形态；各电池串的互联条均通过汇流条连接至接线盒。本发明能提高组件输出功率，并降低组件成本。使用交错式排版方式，相比传统并排式排版，减少空白区域，可以增加组件有效发电面积，能够减少防止电池片正面的遮光区域。
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公开(公告)号：CN106182480A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610791377.2
申请日：2016-08-31
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及多晶硅加工专用切割设备，旨在提供金刚线晶锭开方机。该种金刚线晶锭开方机包括大底架、工作台、工作台水平移动电机、减速机、主丝杠、机械手部件、切割室部件、升降机构、收放线部件、张力部件、底部导轮部件。本发明采用金刚石线锯切割，切割刀痕小，切割面质量高，大大减少了材料损耗，并改善了工作环境；本发明采用新的旋转机构来降低工作台高度，从而减小切割导轮轴距，线弓小，进刀快，切割效率高，避免了因为硬质点造成的切割尺寸偏差；本发明在底部导轮处增加了水平移动功能，在第二次进刀时将切割线由竖直变为斜线，仅在晶锭上方切出一个切入口，从而避免了尺寸无法控制及崩边。
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公开(公告)号：CN105643820A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610158042.7
申请日：2016-03-18
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及单晶硅棒加工专用切割设备，旨在提供金刚线单晶硅棒切方设备。该金刚线单晶硅棒切方设备包括大底架、龙门架、排线安装架、张力电机安装架、张力电机、张力臂、工作台头座、工作台尾座、排线部件、收放线部件、线偏检测部件、进刀单元、过渡导轮、张力导轮，工作台头座和工作台尾座之间用于夹持晶棒，且能够控制晶棒沿工作台头座和工作台尾座的轴线旋转。本发明结构紧凑，布局合理；本发明采用金刚石线锯切割，切割刀痕小，切割面质量高，大大减少了原材料的损耗；本发明大大改善了工作环境，实现了环保生产。
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公开(公告)号：CN105563674A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610101068.8
申请日：2016-02-24
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
CPC分类号： B28D5/045 , B28D5/0058 , B28D5/0082
摘要： 本发明涉及多晶硅加工专用切割设备技术领域，旨在提供金刚线多晶硅锭开方机。该金刚线多晶硅锭开方机包括大底架、进刀部件、左张力电机安装架、右张力电机安装架、工作台、机械手安装架、龙门架、导向导轮、切割导轮安装架、切割导轮、主导轨、工作台水平移动电机、减速机、主丝杠、导向轮驱动电机，能利用金刚线切割晶锭。本发明采用金刚石线锯切割，切割刀痕小，切割面质量高，大大减少了原材料的损耗；本发明使工作环境大大改善，实现了环保生产；本发明采用水平方向进刀，线弓小，进刀快，切割效率高；且导轮数量少，线网简单易布。
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