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公开(公告)号：CN1310025C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN02141674.5
申请日：2002-09-10
IPC: G01N23/18
CPC classification number: H01J37/244 , G01N21/9501 , G03F1/84 , H01J37/285 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446
Abstract: 一种检测设备，用于检测样本表面上精细几何图形，其中辐射波束照射到不同于大气的差异环境中放置的样本，并利用传感器检测从该样本上射出的二次电子，其中传感器放置在差异环境之内，处理来自传感器检测信号的处理装置放置在差异环境之外，而传输装置发射来自传感器的检测信号到处理装置。
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公开(公告)号：CN1940546B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200610135921.4
申请日：2002-09-10
IPC: G01N23/227 , G01N23/18
CPC classification number: H01J37/244 , G01N21/9501 , G03F1/84 , H01J37/285 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446
Abstract: 本发明公开了一种检测设备，用于检测样本表面的缺陷，所述设备包括：电子枪，用于向保持在真空环境中的样本发射辐射波束，以便从所述样本中辐射出二次电子束；传感器，包括EB-CCD传感器或EB-TDI传感器，用于检测从所述样本中辐射出的二次电子束，所述传感器允许所述二次电子束直接进入所述传感器，并且形成二维图像，所述传感器被设置在所述真空环境中；电子光学系统，用于将所述二次电子束引导到所述传感器；以及用于将信号从所述传感器传送到处理设备中的馈通；其中所述处理设备处理所述信号，以便检测所述样本表面上的缺陷，并且所述处理设备设置在所述真空环境的外部。
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公开(公告)号：CN1940546A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610135921.4
申请日：2002-09-10
IPC: G01N23/227 , G01N23/18
CPC classification number: H01J37/244 , G01N21/9501 , G03F1/84 , H01J37/285 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446
Abstract: 本发明公开了一种检测设备，用于检测样本表面的缺陷，所述设备包括：电子枪，用于向保持在真空环境中的样本发射辐射波束，以便从所述样本中辐射出二次电子束；传感器，包括EB－CCD传感器或EB－TDI传感器，用于检测从所述样本中辐射出的二次电子束，所述传感器允许所述二次电子束直接进入所述传感器，并且形成二维图像，所述传感器被设置在所述真空环境中；电子光学系统，用于将所述二次电子束引导到所述传感器；以及用于将信号从所述传感器传送到处理设备中的馈通；其中所述处理设备处理所述信号，以便检测所述样本表面上的缺陷，并且所述处理设备设置在所述真空环境的外部。
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公开(公告)号：CN1407334A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02141674.5
申请日：2002-09-10
IPC: G01N23/18
CPC classification number: H01J37/244 , G01N21/9501 , G03F1/84 , H01J37/285 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446
Abstract: 一种检测设备，用于检测样本表面上精细几何图形，其中辐射波束照射到不同于大气的差异环境中放置的样本，并利用传感器检测从该样本上射出的二次电子，其中传感器放置在差异环境之内，处理来自传感器检测信号的处理装置放置在差异环境之外，而传输装置发射来自传感器的检测信号到处理装置。
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公开(公告)号：CN100470750C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610065365.8
申请日：2006-03-23
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 山崎裕一郎
IPC: H01L21/66 , G01N23/225
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/24 , H01J37/26 , H01J37/28 , H01J2237/15 , H01J2237/1514 , H01J2237/2809
Abstract: 一种基板检查方法，其中包括以下步骤：生成带电粒子射束；使所生成的上述带电粒子射束照射检查对象；会聚由从上述基板产生的二次带电粒子、反射带电粒子以及后方散射带电粒子中的至少一种构成的第1二次带电粒子射束，或透过了上述检查对象的第1透射带电粒子射束，并且，在上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束中，对应上述检查对象的结构而产生相位差；使上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束成像；检测成像的上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束，输出包含上述相位差的的信息的二次带电粒子射束像或透射带电粒子射束像的信号；使用上述二次带电粒子射束像或上述透射带电粒子射束像中所包含的上述相位差信息，检测上述检查对象的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101673048B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910170956.5
申请日：2006-07-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F1/84
Abstract: 本发明提供一种掩模图形检查方法，该方法包括：把掩模图形转印到导体基板或半导体基板上；作成包含与上述基板处于电导通状态的基板表面图形的试料，该基板表面图形由具有与被转印的上述掩模图形对应的形状的凸图形或凹图形，或者在上述凹图形中填埋了材料的表面层构成；通过检测出对上述试料进行电子束照射而从上述试料的表面发出的二次电子、反射电子和后方散射电子的至少任意一种，取得上述试料表面的图像；和根据上述图像检查上述掩模图形。
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公开(公告)号：CN100437895C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510005081.5
申请日：2005-01-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , H01L21/027 , G03F7/00 , G01B11/00
CPC classification number: G03F7/70625 , G01N21/956
Abstract: 本发明据以下所确定的各物质的构成比确定被评价物的结构：测定设于预定环境中被评价物的反射光强度的波长色散；准备构成上述被评价物及上述波长色散测定的上述环境各物质的复折射率；设定假定构成上述被评价物的物质与构成上述环境的物质的混合率的多个设想构成比；相对于各设想构成比，通过应用上述各物质的复折射率的多重干涉计算从而算出设想反射率波长色散；从上述多个设想反射率波长色散中，提取多个与上述反射率波长色散测定值误差小的类似反射率波长色散计算值；将提取的类似反射率波长色散的计算中所用的设想构成比按上述误差越小权重越大进行加权平均以确定上述各物质的构成比。
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公开(公告)号：CN1892419A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610100292.1
申请日：2006-07-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F1/84
Abstract: 本发明提供一种掩模图形检查方法，该方法包括：把掩模图形转印到导体基板或半导体基板上；作成包含与上述基板处于电导通状态的基板表面图形的试料，该基板表面图形由具有与被转印的上述掩模图形对应的形状的凸图形或凹图形，或者在上述凹图形中填埋了材料的表面层构成；通过检测出对上述试料进行电子束照射而从上述试料的表面发出的二次电子、反射电子和后方散射电子的至少任意一种，取得上述试料表面的图像；和根据上述图像检查上述掩模图形。
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公开(公告)号：CN1649086A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510005081.5
申请日：2005-01-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , H01L21/027 , G03F7/00 , G01B11/00
CPC classification number: G03F7/70625 , G01N21/956
Abstract: 本发明据以下所确定的各物质的构成比确定被评价物的结构：测定设于预定环境中被评价物的反射光强度的波长色散；准备构成上述被评价物及上述波长色散测定的上述环境各物质的复折射率；设定假定构成上述被评价物的物质与构成上述环境的物质的混合率的多个设想构成比；相对于各设想构成比，通过应用上述各物质的复折射率的多重干涉计算从而算出设想反射率波长色散；从上述多个设想反射率波长色散中，提取多个与上述反射率波长色散测定值误差小的类似反射率波长色散计算值；将提取的类似反射率波长色散的计算中所用的设想构成比按上述误差越小权重越大进行加权平均以确定上述各物质的构成比。
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公开(公告)号：CN1892419B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200610100292.1
申请日：2006-07-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F1/84
Abstract: 本发明提供一种掩模图形检查方法，该方法包括：把掩模图形转印到导体基板或半导体基板上；作成包含与上述基板处于电导通状态的基板表面图形的试料，该基板表面图形由具有与被转印的上述掩模图形对应的形状的凸图形或凹图形，或者在上述凹图形中填埋了材料的表面层构成；通过检测出对上述试料进行电子束照射而从上述试料的表面发出的二次电子、反射电子和后方散射电子的至少任意一种，取得上述试料表面的图像；和根据上述图像检查上述掩模图形。
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