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公开(公告)号：CN1310025C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN02141674.5
申请日：2002-09-10
IPC: G01N23/18
CPC classification number: H01J37/244 , G01N21/9501 , G03F1/84 , H01J37/285 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446
Abstract: 一种检测设备，用于检测样本表面上精细几何图形，其中辐射波束照射到不同于大气的差异环境中放置的样本，并利用传感器检测从该样本上射出的二次电子，其中传感器放置在差异环境之内，处理来自传感器检测信号的处理装置放置在差异环境之外，而传输装置发射来自传感器的检测信号到处理装置。
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公开(公告)号：CN1940546B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200610135921.4
申请日：2002-09-10
IPC: G01N23/227 , G01N23/18
CPC classification number: H01J37/244 , G01N21/9501 , G03F1/84 , H01J37/285 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446
Abstract: 本发明公开了一种检测设备，用于检测样本表面的缺陷，所述设备包括：电子枪，用于向保持在真空环境中的样本发射辐射波束，以便从所述样本中辐射出二次电子束；传感器，包括EB-CCD传感器或EB-TDI传感器，用于检测从所述样本中辐射出的二次电子束，所述传感器允许所述二次电子束直接进入所述传感器，并且形成二维图像，所述传感器被设置在所述真空环境中；电子光学系统，用于将所述二次电子束引导到所述传感器；以及用于将信号从所述传感器传送到处理设备中的馈通；其中所述处理设备处理所述信号，以便检测所述样本表面上的缺陷，并且所述处理设备设置在所述真空环境的外部。
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公开(公告)号：CN1940546A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610135921.4
申请日：2002-09-10
IPC: G01N23/227 , G01N23/18
CPC classification number: H01J37/244 , G01N21/9501 , G03F1/84 , H01J37/285 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446
Abstract: 本发明公开了一种检测设备，用于检测样本表面的缺陷，所述设备包括：电子枪，用于向保持在真空环境中的样本发射辐射波束，以便从所述样本中辐射出二次电子束；传感器，包括EB－CCD传感器或EB－TDI传感器，用于检测从所述样本中辐射出的二次电子束，所述传感器允许所述二次电子束直接进入所述传感器，并且形成二维图像，所述传感器被设置在所述真空环境中；电子光学系统，用于将所述二次电子束引导到所述传感器；以及用于将信号从所述传感器传送到处理设备中的馈通；其中所述处理设备处理所述信号，以便检测所述样本表面上的缺陷，并且所述处理设备设置在所述真空环境的外部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1407334A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02141674.5
申请日：2002-09-10
IPC: G01N23/18
CPC classification number: H01J37/244 , G01N21/9501 , G03F1/84 , H01J37/285 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446
Abstract: 一种检测设备，用于检测样本表面上精细几何图形，其中辐射波束照射到不同于大气的差异环境中放置的样本，并利用传感器检测从该样本上射出的二次电子，其中传感器放置在差异环境之内，处理来自传感器检测信号的处理装置放置在差异环境之外，而传输装置发射来自传感器的检测信号到处理装置。
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公开(公告)号：CN1892419B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200610100292.1
申请日：2006-07-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F1/84
Abstract: 本发明提供一种掩模图形检查方法，该方法包括：把掩模图形转印到导体基板或半导体基板上；作成包含与上述基板处于电导通状态的基板表面图形的试料，该基板表面图形由具有与被转印的上述掩模图形对应的形状的凸图形或凹图形，或者在上述凹图形中填埋了材料的表面层构成；通过检测出对上述试料进行电子束照射而从上述试料的表面发出的二次电子、反射电子和后方散射电子的至少任意一种，取得上述试料表面的图像；和根据上述图像检查上述掩模图形。
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公开(公告)号：CN101673048A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910170956.5
申请日：2006-07-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F1/84
Abstract: 本发明提供一种掩模图形检查方法，该方法包括：把掩模图形转印到导体基板或半导体基板上；作成包含与上述基板处于电导通状态的基板表面图形的试料，该基板表面图形由具有与被转印的上述掩模图形对应的形状的凸图形或凹图形，或者在上述凹图形中填埋了材料的表面层构成；通过检测出对上述试料进行电子束照射而从上述试料的表面发出的二次电子、反射电子和后方散射电子的至少任意一种，取得上述试料表面的图像；和根据上述图像检查上述掩模图形。
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公开(公告)号：CN101673048B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910170956.5
申请日：2006-07-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F1/84
Abstract: 本发明提供一种掩模图形检查方法，该方法包括：把掩模图形转印到导体基板或半导体基板上；作成包含与上述基板处于电导通状态的基板表面图形的试料，该基板表面图形由具有与被转印的上述掩模图形对应的形状的凸图形或凹图形，或者在上述凹图形中填埋了材料的表面层构成；通过检测出对上述试料进行电子束照射而从上述试料的表面发出的二次电子、反射电子和后方散射电子的至少任意一种，取得上述试料表面的图像；和根据上述图像检查上述掩模图形。
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公开(公告)号：CN1892419A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610100292.1
申请日：2006-07-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F1/84
Abstract: 本发明提供一种掩模图形检查方法，该方法包括：把掩模图形转印到导体基板或半导体基板上；作成包含与上述基板处于电导通状态的基板表面图形的试料，该基板表面图形由具有与被转印的上述掩模图形对应的形状的凸图形或凹图形，或者在上述凹图形中填埋了材料的表面层构成；通过检测出对上述试料进行电子束照射而从上述试料的表面发出的二次电子、反射电子和后方散射电子的至少任意一种，取得上述试料表面的图像；和根据上述图像检查上述掩模图形。
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