公开(公告)号：CN116259630A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202211532738.3

申请日：2022-12-01

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 星真一

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，包括具有半导体元件的半导体衬底(10)、布置在半导体衬底的第一表面上的第一表面侧电极(19、21、51、52、61)和布置在半导体衬底的第二表面上的第二表面侧电极(22、53、62)。半导体衬底包括氮化镓衬底(11)和第一柱区(12)及第二柱区(13)，第一柱区和第二柱区布置在氮化镓衬底的第一主表面上并在第一主表面中沿c轴方向交替布置。第一柱区由第一氮化物半导体层形成，第二柱区由带隙高于第一氮化物层的第二氮化物半导体层形成。半导体元件配置为使得电流能够在半导体衬底的第一表面与第二表面之间流动。

公开(公告)号：CN117947507A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311371635.8

申请日：2023-10-23

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 藤林裕明 ,  长屋正武 ,  大原淳士 ,  星真一

IPC: C30B25/08 ,  C30B25/20 ,  C30B25/12 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  C23C16/46 ,  C23C16/458

Abstract: 在碳化硅晶片的制造装置中，搭载部(50)构成为具备具有载置晶种基板(10)的背面(10b)侧的载置面(61a)的基座部(60)、以及以包围晶种基板的周围的状态配置于基座部的引导部(70)。在使外延层(11)生长时，使台阶流动生长方向的上游侧的晶种基板与引导部的第一间隔(L1)，比台阶流动生长方向的下游侧的晶种基板与引导部的第二间隔(L2)窄，引导部构成为在使外延层生长时，温度比晶种基板低。

公开(公告)号：CN116344324A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211656107.2

申请日：2022-12-22

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 藤林裕明 ,  长屋正武 ,  大原淳士 ,  星真一 ,  金村高司

IPC: H01L21/02

Abstract: 碳化硅晶片，其包括：基础晶片(20)，其由碳化硅制成并掺杂有n型杂质；和外延层(30)，其布置在基础晶片(20)的主表面(20a)上，由碳化硅制成并掺杂有n型杂质。基础晶片(20)具有厚度t1和平均杂质浓度n1，外延层(30)具有厚度t2和平均杂质浓度n2。基础晶片(20)和外延层(30)被构造为满足数学公式1：[式1]‑0.0178

公开(公告)号：CN115966515A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211225008.9

申请日：2022-10-09

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 牛岛隆志 ,  加藤孝三 ,  长里喜隆 ,  长屋正武 ,  星真一 ,  河口大祐 ,  原佳祐

IPC: H01L21/78

Abstract: 半导体器件的制造方法包括沟槽形成步骤、激光照射步骤和剥离步骤。在沟槽形成步骤中，沟槽形成于半导体衬底(1)的其上形成有器件结构的第一主表面(1a)上。在激光照射步骤中，激光从半导体衬底的第二主表面照射到平面表面(3)上，该平面表面在半导体衬底的预定深度处定位并延伸。在剥离步骤中，器件层(2)从半导体衬底沿激光照射的平面表面剥离。剥离步骤可以在沟槽未填充或填充有具有比半导体衬底更低的热膨胀系数的材料的状态下进行。

公开(公告)号：CN115274843A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210447265.0

申请日：2022-04-26

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 星真一 ,  长屋正武 ,  笹冈千秋 ,  河口大祐 ,  原佳祐

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 一种半导体芯片，包括芯片构成基板(10)，芯片构成基板(10)具有第一表面(10a)和第二表面(10b)，并且包括含有氮化镓的层。芯片构成基板(10)设置有半导体元件，构成半导体元件的部件与位于与第二表面(10b)相邻的区域中相比更多地位于与第一表面(10a)相邻的区域。芯片构成基板(10)形成有从第一表面(10a)到第二表面(10b)贯通芯片构成基板(10)的通孔(20)。通孔(20)限定与第一表面(10a)相邻的第一开口及与第二表面(10b)相邻的第二开口，且第一开口大于第二开口。

公开(公告)号：CN109155255A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780031618.6

申请日：2017-04-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 樽见浩幸 ,  小山和博 ,  阴泳信 ,  星真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 将JG电极(11)与源极电极(8)经由电极层(13)直接连结。由此，能够减小寄生阻抗(50)的电阻值，实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小。此外，将u－GaN层(4)及p－GaN层(10)从漏极电极(9)离开而配置。由此，能够使p－GaN层(4)与2DEG的对置面积变小，能够减小反馈电容(C1)。这样，通过实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小及反馈电容(C1)的减小，能够使将反馈电容(C1)充电时流动的电流(Ijg)变大。由此，能够将反馈电容(C1)以高速充电，能够使JFET部(40)高速截止，所以能够使开关器件的关断更高速化。

公开(公告)号：CN109155255B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201780031618.6

申请日：2017-04-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 樽见浩幸 ,  小山和博 ,  阴泳信 ,  星真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 将JG电极(11)与源极电极(8)经由电极层(13)直接连结。由此，能够减小寄生阻抗(50)的电阻值，实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小。此外，将u－GaN层(4)及p－GaN层(10)从漏极电极(9)离开而配置。由此，能够使u－GaN层(4)与2DEG的对置面积变小，能够减小反馈电容(C1)。这样，通过实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小及反馈电容(C1)的减小，能够使将反馈电容(C1)充电时流动的电流(Ijg)变大。由此，能够将反馈电容(C1)以高速充电，能够使JFET部(40)高速截止，所以能够使开关器件的关断更高速化。

公开(公告)号：CN104220651A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201280072011.X

申请日：2012-11-01

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 成田哲生 ,  伊藤健治 ,  冨田一义 ,  大竹伸幸 ,  星真一 ,  松井正树

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/08 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L33/007

Abstract: 得到在硅单晶基板上III族氮化物单晶进行阶梯流动生长的现象。在硅单晶基板的表面上形成取向成硅单晶的 轴的氧化物的膜，在该氧化物的膜的表面上使III族氮化物单晶进行结晶。由此，晶体生长的III族氮化物单晶的 轴取向成氧化物的c轴。如果对硅单晶基板赋予偏角，则III族氮化物单晶进行阶梯流动生长。通过将在硅单晶与氧化物的界面上形成的硅氧化物膜还原，氧化物的取向性得到改善。

公开(公告)号：CN103890923A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051561.3

申请日：2012-10-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 星真一 ,  水野祥司 ,  加地徹 ,  上杉勉 ,  富田一义 ,  伊藤健治

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861

Abstract: 一种半导体器件：包括HEMT（10，20，21，30，31，32）和二极管（60，70）。所述HEMT包括：具有GaN层（13）和AlGaN层（14）的衬底（10），所述GaN层生成二维电子气且用作沟道层，所述AlGaN层在所述GaM层上且用作阻挡层；源极电极（30），所述源极电极在所述AlGaN层上且与所述AlGaN层形成欧姆接触；漏极电极（31），所述漏极电极在所述AlGaN层上远离所述源极电极，且与所述AlGaN层形成欧姆接触；在所述源极电极和漏极电极之间的所述AlGaN层上的层间绝缘膜（20，21）；以及所述层间绝缘膜上的栅极电极（32）。所述衬底包括在所述GaN层中生成所述二维电子气的活性层区域（40）。所述二极管包括电连接至所述栅极电极的阳极和电连接至所述漏极电极的阴极。

公开(公告)号：CN108028204B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201680054542.4

申请日：2016-09-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 阴泳信 ,  小山和博 ,  樋口安史 ,  土屋义规 ,  星真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置具有导电性的基板(1)、沟道形成层、第一电极(4)、以及第二电极(5)。沟道形成层形成在基板上，至少具备一个具有构成漂移区域的第一GaN系半导体层(2)以及与第一GaN系半导体层相比带隙能量更大的第二GaN系半导体层(3)的异质结构造。包含第一GaN系半导体层的极化所带来的电荷在内，第一GaN系半导体层及第二GaN系半导体层所含的电荷的总固定电荷量被设为0.5×1013～1.5×1013cm‑2的范围内。由此，在半导体装置中，实现击穿电压的提高及导通电阻的降低。