公开(公告)号：CN103890923A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051561.3

申请日：2012-10-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 星真一 ,  水野祥司 ,  加地徹 ,  上杉勉 ,  富田一义 ,  伊藤健治

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861

Abstract: 一种半导体器件：包括HEMT（10，20，21，30，31，32）和二极管（60，70）。所述HEMT包括：具有GaN层（13）和AlGaN层（14）的衬底（10），所述GaN层生成二维电子气且用作沟道层，所述AlGaN层在所述GaM层上且用作阻挡层；源极电极（30），所述源极电极在所述AlGaN层上且与所述AlGaN层形成欧姆接触；漏极电极（31），所述漏极电极在所述AlGaN层上远离所述源极电极，且与所述AlGaN层形成欧姆接触；在所述源极电极和漏极电极之间的所述AlGaN层上的层间绝缘膜（20，21）；以及所述层间绝缘膜上的栅极电极（32）。所述衬底包括在所述GaN层中生成所述二维电子气的活性层区域（40）。所述二极管包括电连接至所述栅极电极的阳极和电连接至所述漏极电极的阴极。

公开(公告)号：CN103890923B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280051561.3

申请日：2012-10-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 星真一 ,  水野祥司 ,  加地徹 ,  上杉勉 ,  富田一义 ,  伊藤健治

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861

Abstract: 一种半导体器件：包括HEMT和二极管。所述HEMT包括：具有GaN层和AlGaN层的衬底，所述GaN层生成二维电子气且用作沟道层，所述AlGaN层在所述GaM层上且用作阻挡层；源极电极，所述源极电极在所述AlGaN层上且与所述AlGaN层形成欧姆接触；漏极电极，所述漏极电极在所述AlGaN层上远离所述源极电极，且与所述AlGaN层形成欧姆接触；在所述源极电极和漏极电极之间的所述AlGaN层上的层间绝缘膜；以及所述层间绝缘膜上的栅极电极。所述衬底包括在所述GaN层中生成所述二维电子气的活性层区域。所述二极管包括电连接至所述栅极电极的阳极和电连接至所述漏极电极的阴极。