公开(公告)号：CN108028204B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201680054542.4

申请日：2016-09-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 阴泳信 ,  小山和博 ,  樋口安史 ,  土屋义规 ,  星真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置具有导电性的基板(1)、沟道形成层、第一电极(4)、以及第二电极(5)。沟道形成层形成在基板上，至少具备一个具有构成漂移区域的第一GaN系半导体层(2)以及与第一GaN系半导体层相比带隙能量更大的第二GaN系半导体层(3)的异质结构造。包含第一GaN系半导体层的极化所带来的电荷在内，第一GaN系半导体层及第二GaN系半导体层所含的电荷的总固定电荷量被设为0.5×1013～1.5×1013cm‑2的范围内。由此，在半导体装置中，实现击穿电压的提高及导通电阻的降低。

公开(公告)号：CN108028204A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054542.4

申请日：2016-09-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 阴泳信 ,  小山和博 ,  樋口安史 ,  土屋义规 ,  星真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体装置具有导电性的基板(1)、沟道形成层、第一电极(4)、以及第二电极(5)。沟道形成层形成在基板上，至少具备一个具有构成漂移区域的第一GaN系半导体层(2)以及与第一GaN系半导体层相比带隙能量更大的第二GaN系半导体层(3)的异质结构造。包含第一GaN系半导体层的极化所带来的电荷在内，第一GaN系半导体层及第二GaN系半导体层所含的电荷的总固定电荷量被设为0.5×1013～1.5×1013cm‑2的范围内。由此，在半导体装置中，实现击穿电压的提高及导通电阻的降低。

公开(公告)号：CN105814673B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201480066141.1

申请日：2014-08-28

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 土屋义规 ,  星真一 ,  富田一义 ,  伊藤健治 ,  树神雅人 ,  上杉勉

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置，包含开关器件，该开关器件具备：由半绝缘性材料或半导体构成的衬底(1)、在衬底上形成的由以13族元素的氮化物为主成分的化合物半导体构成的沟道形成层(2，3)、在沟道形成层上隔着栅极绝缘膜(5)而形成有栅极电极(6)的栅极构造、在沟道形成层上夹着栅极构造而配置在栅极构造的两侧的源极电极(7)以及漏极电极(8)。沟道形成层中，将形成开关器件的区域作为元件区域，将元件区域的周围作为元件分离区域，由绝缘材料构成的崩塌抑制层(9)在元件区域中被形成在沟道形成层上，由与崩塌抑制层不同的绝缘材料构成的漏电抑制层(10)在元件分离区域中被形成在沟道形成层上。

公开(公告)号：CN105814673A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480066141.1

申请日：2014-08-28

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 土屋义规 ,  星真一 ,  富田一义 ,  伊藤健治 ,  树神雅人 ,  上杉勉

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 半导体装置，包含开关器件，该开关器件具备：由半绝缘性材料或半导体构成的衬底(1)、在衬底上形成的由以3族元素的氮化物为主成分的化合物半导体构成的沟道形成层(2，3)、在沟道形成层上隔着栅极绝缘膜(5)而形成有栅极电极(6)的栅极构造、在沟道形成层上夹着栅极构造而配置在栅极构造的两侧的源极电极(7)以及漏极电极(8)。沟道形成层中，将形成开关器件的区域作为元件区域，将元件区域的周围作为元件分离区域，由绝缘材料构成的崩塌抑制层(9)在元件区域中被形成在沟道形成层上，由与崩塌抑制层不同的绝缘材料构成的漏电抑制层(10)在元件分离区域中被形成在沟道形成层上。