公开(公告)号：CN110235229A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880006937.6

申请日：2018-01-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 浦上泰 ,  加藤武宽 ,  青井佐智子

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417

Abstract: 通过进行H2退火而使层间绝缘膜(10)致密化。通过进行这样的致密化，与不进行致密化的情况相比，层间绝缘膜(10)变硬。因此，即使在对于层间绝缘膜(10)形成接触孔(10a、10b)后进行成为高温的加热工序，也抑制接触孔(10a、10b)的侧壁的角部变圆。由此，即使成为金属电极的Al－Si层(9d、31c)向接触孔(10a、10b)内的进入量较多，也抑制基于应力的层间绝缘膜(10)的变形，抑制因该应力而使栅极绝缘膜(7)产生裂纹。

公开(公告)号：CN104115274A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201280069700.5

申请日：2012-02-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 加藤武宽 ,  大西徹

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种IGBT的制造方法，所述IGBT具有：n型的发射区；p型的顶部体区；n型的中间区；p型的底部体区；n型的漂移区；p型的集电区；多个沟槽，其从半导体基板的上表面起，贯穿发射区、顶部体区、中间区以及底部体区并到达漂移区；栅电极，其被形成在沟槽内。该制造方法包括：在半导体基板的上表面上形成沟槽的工序；在沟槽内形成绝缘膜的工序；在绝缘膜形成之后，在半导体基板上以及沟槽内形成电极层的工序；使电极层的上表面平坦化的工序；在使电极层的上表面平坦化之后，从半导体基板的上表面侧将n型杂质注入至中间区的深度的工序。

公开(公告)号：CN105074932A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201380073624.X

申请日：2013-02-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 加藤武宽

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 已知一种半导体装置,其从半导体基板的表面侧起顺次层压有第一导电型的第一区域、第二导电型的第二区域以及第一导电型的第三区域，并且形成有贯穿第一区域和第二区域并到达至第三区域的沟槽栅电极，在半导体基板的表面形成有表面电极，通过覆盖沟槽栅电极的表面的绝缘区域而使表面电极与沟槽栅电极绝缘。使覆盖沟槽栅电极的表面而使表面电极与沟槽栅电极绝缘的绝缘区域停留在沟槽的内部。表面电极被形成在无高低差的半导体基板的表面上且均匀地延展。在表面电极上未形成有应力集中部位，从而表面电极的强度与可靠性提高。

公开(公告)号：CN104115274B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201280069700.5

申请日：2012-02-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 加藤武宽 ,  大西徹

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种IGBT的制造方法，所述IGBT具有：n型的发射区；p型的顶部体区；n型的中间区；p型的底部体区；n型的漂移区；p型的集电区；多个沟槽，其从半导体基板的上表面起，贯穿发射区、顶部体区、中间区以及底部体区并到达漂移区；栅电极，其被形成在沟槽内。该制造方法包括：在半导体基板的上表面上形成沟槽的工序；在沟槽内形成绝缘膜的工序；在绝缘膜形成之后，在半导体基板上以及沟槽内形成电极层的工序；使电极层的上表面平坦化的工序；在使电极层的上表面平坦化之后，从半导体基板的上表面侧将n型杂质注入至中间区的深度的工序。

公开(公告)号：CN113498544A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202080016354.9

申请日：2020-02-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 竹内有一 ,  铃木克己 ,  山下侑佑 ,  加藤武宽

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: 将源极区域(8)做成具有由形成在基体区域(6)侧的外延生长层构成的第1源极区域(8a)、以及由与源极电极相接并且第1导电型杂质浓度比第1源极区域高的离子注入层构成的第2源极区域(8b)的结构。

公开(公告)号：CN117276345A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311330705.5

申请日：2020-02-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 竹内有一 ,  铃木克己 ,  山下侑佑 ,  加藤武宽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/66 ,  H01L21/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供碳化硅半导体装置的制造方法。包括以下工序：使作为测定对象层的n型的碳化硅层外延生长；在使上述碳化硅层外延生长后，使上述碳化硅层的表面电子稳定化；以及在上述表面电子的稳定化后，在涂布电荷而使上述碳化硅层的表面带电后，通过测定上述碳化硅层的表面电位而测定该碳化硅层的n型杂质浓度。

公开(公告)号：CN114342064A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080060210.3

申请日：2020-03-18

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 上原准市 ,  加藤武宽 ,  三角忠司 ,  山下侑佑

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底具有形成有主开关元件构造的有源区域、形成有感测开关元件构造的电流感测区域、以及位于上述有源区域和上述电流感测区域的周围的周边区域。上述半导体衬底是在 方向上具有偏离角的4H－SiC衬底。上述电流感测区域在沿着 方向观察时配置在不存在上述有源区域的范围中。

公开(公告)号：CN113826213B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202080036895.8

申请日：2020-05-22

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 登尾正人 ,  加藤武宽 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/04

Abstract: 通过用外延层构成源极区域(4)，减小基极区域(3)的厚度的不均，抑制阈值Vt的不均。此外，关于栅极沟槽(6)的侧面，在单元部(RC)的外侧，与单元部内的源极区域中的与基极区域相接的由外延层构成的部分相比，相对于衬底(1)的主表面的法线方向倾斜。由此，使得栅极绝缘膜单元部的外部也成为厚度较厚的厚膜部。(7)即使在单元部内成为厚度较薄的薄膜部，在

公开(公告)号：CN113498544B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202080016354.9

申请日：2020-02-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 竹内有一 ,  铃木克己 ,  山下侑佑 ,  加藤武宽

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: 将源极区域(8)做成具有由形成在基体区域(6)侧的外延生长层构成的第1源极区域(8a)、以及由与源极电极相接并且第1导电型杂质浓度比第1源极区域高的离子注入层构成的第2源极区域(8b)的结构。

公开(公告)号：CN110235229B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201880006937.6

申请日：2018-01-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 浦上泰 ,  加藤武宽 ,  青井佐智子

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417

Abstract: 通过进行H2退火而使层间绝缘膜(10)致密化。通过进行这样的致密化，与不进行致密化的情况相比，层间绝缘膜(10)变硬。因此，即使在对于层间绝缘膜(10)形成接触孔(10a、10b)后进行成为高温的加热工序，也抑制接触孔(10a、10b)的侧壁的角部变圆。由此，即使成为金属电极的Al－Si层(9d、31c)向接触孔(10a、10b)内的进入量较多，也抑制基于应力的层间绝缘膜(10)的变形，抑制因该应力而使栅极绝缘膜(7)产生裂纹。