公开(公告)号：CN110914998B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201880044763.2

申请日：2018-06-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 竹内有一 ,  箕谷周平 ,  海老原康裕 ,  山下侑佑 ,  三角忠司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 使沟槽栅构造的长度方向与JFET部(3)中的条状的部分以及电场阻挡层(4)的长度方向为相同方向，使第2导电型的连结层(9)的长度方向与它们交叉。通过这样的结构，能够与连结层(9)无关地设定沟槽栅构造的间隔，与将连结层(9)配置在各沟槽栅之间的情况相比能够更窄。

公开(公告)号：CN114342064A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080060210.3

申请日：2020-03-18

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 上原准市 ,  加藤武宽 ,  三角忠司 ,  山下侑佑

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底具有形成有主开关元件构造的有源区域、形成有感测开关元件构造的电流感测区域、以及位于上述有源区域和上述电流感测区域的周围的周边区域。上述半导体衬底是在 方向上具有偏离角的4H－SiC衬底。上述电流感测区域在沿着 方向观察时配置在不存在上述有源区域的范围中。

公开(公告)号：CN110914998A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201880044763.2

申请日：2018-06-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 竹内有一 ,  箕谷周平 ,  海老原康裕 ,  山下侑佑 ,  三角忠司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 使沟槽栅构造的长度方向与JFET部(3)中的条状的部分以及电场阻挡层(4)的长度方向为相同方向，使第2导电型的连结层(9)的长度方向与它们交叉。通过这样的结构，能够与连结层(9)无关地设定沟槽栅构造的间隔，与将连结层(9)配置在各沟槽栅之间的情况相比能够更窄。