公开(公告)号：CN110235229A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880006937.6

申请日：2018-01-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 浦上泰 ,  加藤武宽 ,  青井佐智子

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417

Abstract: 通过进行H2退火而使层间绝缘膜(10)致密化。通过进行这样的致密化，与不进行致密化的情况相比，层间绝缘膜(10)变硬。因此，即使在对于层间绝缘膜(10)形成接触孔(10a、10b)后进行成为高温的加热工序，也抑制接触孔(10a、10b)的侧壁的角部变圆。由此，即使成为金属电极的Al－Si层(9d、31c)向接触孔(10a、10b)内的进入量较多，也抑制基于应力的层间绝缘膜(10)的变形，抑制因该应力而使栅极绝缘膜(7)产生裂纹。

公开(公告)号：CN104115274A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201280069700.5

申请日：2012-02-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 加藤武宽 ,  大西徹

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种IGBT的制造方法，所述IGBT具有：n型的发射区；p型的顶部体区；n型的中间区；p型的底部体区；n型的漂移区；p型的集电区；多个沟槽，其从半导体基板的上表面起，贯穿发射区、顶部体区、中间区以及底部体区并到达漂移区；栅电极，其被形成在沟槽内。该制造方法包括：在半导体基板的上表面上形成沟槽的工序；在沟槽内形成绝缘膜的工序；在绝缘膜形成之后，在半导体基板上以及沟槽内形成电极层的工序；使电极层的上表面平坦化的工序；在使电极层的上表面平坦化之后，从半导体基板的上表面侧将n型杂质注入至中间区的深度的工序。

公开(公告)号：CN105074932A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201380073624.X

申请日：2013-02-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 加藤武宽

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 已知一种半导体装置,其从半导体基板的表面侧起顺次层压有第一导电型的第一区域、第二导电型的第二区域以及第一导电型的第三区域，并且形成有贯穿第一区域和第二区域并到达至第三区域的沟槽栅电极，在半导体基板的表面形成有表面电极，通过覆盖沟槽栅电极的表面的绝缘区域而使表面电极与沟槽栅电极绝缘。使覆盖沟槽栅电极的表面而使表面电极与沟槽栅电极绝缘的绝缘区域停留在沟槽的内部。表面电极被形成在无高低差的半导体基板的表面上且均匀地延展。在表面电极上未形成有应力集中部位，从而表面电极的强度与可靠性提高。

公开(公告)号：CN104115274B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201280069700.5

申请日：2012-02-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 加藤武宽 ,  大西徹

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种IGBT的制造方法，所述IGBT具有：n型的发射区；p型的顶部体区；n型的中间区；p型的底部体区；n型的漂移区；p型的集电区；多个沟槽，其从半导体基板的上表面起，贯穿发射区、顶部体区、中间区以及底部体区并到达漂移区；栅电极，其被形成在沟槽内。该制造方法包括：在半导体基板的上表面上形成沟槽的工序；在沟槽内形成绝缘膜的工序；在绝缘膜形成之后，在半导体基板上以及沟槽内形成电极层的工序；使电极层的上表面平坦化的工序；在使电极层的上表面平坦化之后，从半导体基板的上表面侧将n型杂质注入至中间区的深度的工序。