半导体装置及功率控制单元
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119725249A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411173572.X

    申请日:2024-08-26

    Abstract: 提供半导体装置及功率控制单元。半导体装置具备:半导体基板(41),具备有源区域(411)及形成有耐压构造(413)的外周区域(412);以及温度传感器(91),在外周区域检测半导体基板的温度。半导体装置与控制装置电连接,该控制装置基于由温度传感器检测的温度,检测冷却系统(140)是否有异常。半导体装置还在半导体基板有源区域上具备导电间隔件(70)。温度传感器在板厚方向上与导电间隔件不重叠,并且在正交方向上比耐压构造靠半导体基板的中心侧而配置。

    半导体装置
    5.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN117581383A

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202280046746.9

    申请日:2022-06-22

    Abstract: 半导体装置具备在半导体衬底(41)的一面(41a)上配置有发射极电极(42)、在背面上配置有集电极电极的半导体元件(40)。发射极电极(42)具有从保护膜(56)的开口部(561)露出而提供接合区域的露出部(421)。半导体衬底(41)具有有源区域(45),该有源区域是作为在发射极电极(42)与集电极电极之间流过电流的纵型元件的RC-IGBT的形成区域。有源区域(45)包括在平面观察中与露出部(421)重叠的重叠区域(451)以及不与露出部(421)重叠的非重叠区域(452)。非重叠区域(452)中的二极管区域(45d)的比率比重叠区域(451)中的二极管区域(45d)的比率高。

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