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公开(公告)号：CN113661567B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202080027821.8
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 多个。非对置部以侧面相互对置的方式交替地排半导体装置具备：半导体元件(40)，在一面 列，对置的侧面的组形成有多个。侧具有第1主电极(41C)，在背面侧具有第2主电极(41E)；与一面侧的第1主电极连接的第1散热部件(50C)及背面侧的第2散热部件(50E)；以及引线框(60)，包括与第1散热部件连接的第1主端子(61C)以及与第2主电极连接的第2主端子(61E)。第2主端子具有与第2主电极连接的连接部(62E)、从连接部延伸设置且与第1散热部件对置的对置部(64E)、以及与连接部相反地与对置部相连且与第1主端子在正交于厚度方向的一个方向上排列的非对置部(65E)。第2散热部件经由(56)对比文件尧舜;丁鹏;张亮;张辉;曹银花;王智勇.大功率半导体激光器模块散热结构的数值优化.半导体光电.2008,(01),全文.
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公开(公告)号：CN113508461B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202080018042.1
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体元件(40)，具有一面侧的第1主电极(41C)和背面侧的第2主电极(41E)；基板(50)，包括与上述第1、第2主电极分别连接的第1、第2基板(50C、50E)；主端子(71)，包括经由上述第1、第2基板而与上述第1、第2主电极分别连接的第1、第2主端子(71C、71E)；以及接合部件(80)。上述接合部件分别存在于上述第1、第2主电极与上述第1、第2基板之间。上述第1、第2主端子的至少一方具有多个。上述第1、第2主端子在与上述半导体元件的厚度方向正交的一个方向上交替地配置。上述第1、第2主端子相对于上述第1、第2基板，不经由上述接合部件而分别直接接合。
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公开(公告)号：CN106133907A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015860.5
申请日：2015-03-05
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L23/50 , H01L23/3121 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/48137 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H02M7/003 , H02M7/537 , H02P27/06 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体装置(100)中，主端子(22)及与同一个半导体芯片(11)对应的多个控制端子(31)从封固部(50)的一面(50c)突出，包括多个上述控制端子在内的多个信号路径与上述主端子在第1方向上排列配置。在多个上述信号路径中，分别成对设有相同功能的中继部件，包括成对的上述中继部件的一方的第1中继群(71)和包括另一方的第2中继群(72)在上述第1方向上相邻配置，并且上述第1中继群和上述第2中继群的排列顺序为镜像反转的关系。
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公开(公告)号：CN112543994B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201980048810.5
申请日：2019-05-28
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置包括：至少一个半导体元件(30)，该半导体元件具有第一主电极(32)和在与第一主电极之间流过主电流的第二主电极(33)；以及主端子(60)，该主端子具有连接到第一主电极的第一主端子(60C)和连接到第二主电极的第二主端子(60E)，并且第一主端子和第二主端子的至少一方为多个，第一主端子和第二主端子在与半导体元件的厚度方向正交的一方向上以使侧面彼此相对的方式相邻配置。由在一方向上连续配置的三个以上的主端子构成主端子组(61)。构成主端子组的主端子各自的至少一部分在一方向上配置于从半导体元件的两端面(36、37)延长的延长线之间的区域(A1)内。
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公开(公告)号：CN113678245A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080027804.4
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体模组具备：半导体元件(30)，在一面侧具有第1主电极(31E)，在背面侧具有第2主电极(31C)；配置在一面侧并与第1主电极连接的第1导电部件(40E)以及配置在背面侧并与第2主电极连接的第2导电部件(40C)；从导电部件延伸设置的主端子(60)、即与第1导电部件相连的第1主端子(60E)以及与第2导电部件相连的第2主端子(60C)。主端子具有：对置部(61)，以将流过主电流时产生的磁通相互抵消的方式配置，第1主端子和第2主端子离开而对置；非对置部(62E)，与第1导电部件侧相反地与第1主端子的对置部相连；形成于第1主端子的非对置部的第1连接部(63E)、以及以宽度方向上的形成位置与第1连接部重合的方式形成于第2主端子的对置部的第2连接部(63C)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107534032B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201680019716.3
申请日：2016-04-15
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备金属部件(15)、第1半导体芯片(13)、第2半导体芯片(14)、第1焊料(24)、以及第2焊料(25)。第1半导体芯片的发热量比第2半导体芯片的发热量大。第2半导体芯片使用杨氏模量比第1半导体芯片大的材料形成。第1半导体芯片在与金属部件的对置面具有经由第1焊料(24)与金属部件连接的第1金属层(13a)。第2半导体芯片在与金属部件的对置面具有经由第2焊料(25)而与金属部件连接的第2金属层(14a)。第2焊料中的与第2金属层的至少外周端的一部分对应的厚度比第1焊料的最大厚度厚。
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公开(公告)号：CN117157759A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280028950.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L25/07
Abstract: 半导体装置(20)与冷却器(120)在Z方向上排列而配置。半导体装置(20)具备：半导体元件(40)，在两面具有主电极(40D、40S)；一对基板(50、60)，以夹着半导体元件(40)的方式配置；以及导电间隔件(70)，介于基板(60)与半导体元件(40)之间。基板(50、60)具有绝缘基材(51、61)、与对应的主电极连接的表面金属体(52、62)、背面金属体(53、63)。在半导体装置(20)中，设比半导体元件(40)靠基板(50)侧的厚度为T1，设比半导体元件(40)靠基板(60)侧的厚度为T2，则满足T1≥T2的关系。
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公开(公告)号：CN113661567A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202080027821.8
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体元件(40)，在一面侧具有第1主电极(41C)，在背面侧具有第2主电极(41E)；与一面侧的第1主电极连接的第1散热部件(50C)及背面侧的第2散热部件(50E)；以及引线框(60)，包括与第1散热部件连接的第1主端子(61C)以及与第2主电极连接的第2主端子(61E)。第2主端子具有与第2主电极连接的连接部(62E)、从连接部延伸设置且与第1散热部件对置的对置部(64E)、以及与连接部相反地与对置部相连且与第1主端子在正交于厚度方向的一个方向上排列的非对置部(65E)。第2散热部件经由第2主端子而与半导体元件连接。引线框中第1主端子以及第2主端子的非对置部的至少一方具有多个。非对置部以侧面相互对置的方式交替地排列，对置的侧面的组形成有多个。
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公开(公告)号：CN113508461A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202080018042.1
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体元件(40)，具有一面侧的第1主电极(41C)和背面侧的第2主电极(41E)；基板(50)，包括与上述第1、第2主电极分别连接的第1、第2基板(50C、50E)；主端子(71)，包括经由上述第1、第2基板而与上述第1、第2主电极分别连接的第1、第2主端子(71C、71E)；以及接合部件(80)。上述接合部件分别存在于上述第1、第2主电极与上述第1、第2基板之间。上述第1、第2主端子的至少一方具有多个。上述第1、第2主端子在与上述半导体元件的厚度方向正交的一个方向上交替地配置。上述第1、第2主端子相对于上述第1、第2基板，不经由上述接合部件而分别直接接合。
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公开(公告)号：CN107534032A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680019716.3
申请日：2016-04-15
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备金属部件(15)、第1半导体晶片(13)、第2半导体晶片(14)、第1焊料(24)、以及第2焊料(25)。第1半导体晶片的发热量比第2半导体晶片的发热量大。第2半导体晶片使用杨氏模量比第1半导体晶片大的材料形成。第1半导体晶片在与金属部件的对置面具有经由第1焊料(24)与金属部件连接的第1金属层(13a)。第2半导体晶片在与金属部件的对置面具有经由第2焊料(25)而与金属部件连接的第2金属层(14a)。第2焊料中的与第2金属层的至少外周端的一部分对应的厚度比第1焊料的最大厚度厚。
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