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公开(公告)号：CN113491008B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202080013456.5
申请日：2020-01-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/29 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739
Abstract: 半导体装置具备半导体芯片(10、10a～10c)、设在半导体芯片的背面侧的第1导电性部件(30)和设在半导体芯片的表面侧的第2导电性部件(20、40)。半导体芯片具备：半导体基板(11、11a)，具有形成有元件的多个有源区域(a1～a4、a11～a16)和配置在有源区域间及有源区域的外周的不形成元件的非有源区域(na1～na5)；表层电极(14)，在多个有源区域上及多个有源区域间的非有源区域上连续地配置；以及第1栅极布线的表面侧的栅极布线，上述第1栅极布线(12)配(12)和第2栅极布线(13)，作为设在非有源区域
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公开(公告)号：CN113508461B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202080018042.1
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体元件(40)，具有一面侧的第1主电极(41C)和背面侧的第2主电极(41E)；基板(50)，包括与上述第1、第2主电极分别连接的第1、第2基板(50C、50E)；主端子(71)，包括经由上述第1、第2基板而与上述第1、第2主电极分别连接的第1、第2主端子(71C、71E)；以及接合部件(80)。上述接合部件分别存在于上述第1、第2主电极与上述第1、第2基板之间。上述第1、第2主端子的至少一方具有多个。上述第1、第2主端子在与上述半导体元件的厚度方向正交的一个方向上交替地配置。上述第1、第2主端子相对于上述第1、第2基板，不经由上述接合部件而分别直接接合。
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公开(公告)号：CN113491008A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080013456.5
申请日：2020-01-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/29 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739
Abstract: 半导体装置具备半导体芯片(10、10a～10c)、设在半导体芯片的背面侧的第1导电性部件(30)和设在半导体芯片的表面侧的第2导电性部件(20、40)。半导体芯片具备：半导体基板(11、11a)，具有形成有元件的多个有源区域(a1～a4、a11～a16)和配置在有源区域间及有源区域的外周的不形成元件的非有源区域(na1～na5)；表层电极(14)，在多个有源区域上及多个有源区域间的非有源区域上连续地配置；以及第1栅极布线(12)和第2栅极布线(13)，作为设在非有源区域的表面侧的栅极布线，上述第1栅极布线(12)配置在表层电极的周边，上述第2栅极布线(13)配置在与表层电极对置的位置。
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公开(公告)号：CN112582356A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011021061.8
申请日：2020-09-25
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/367
Abstract: 半导体器件包括半导体元件(40)、用于将半导体元件夹在之间的布线元件(50)、密封树脂体(30)。半导体元件(40)具有在其上形成有作为宽带隙半导体的SiC基材的SBD(12)。半导体元件(40)在两个表面上具有两个主电极(41、42)。布线元件(50)包括(i)电连接至第一主电极的散热器(51)和(ii)电连接至第二主电极的散热器以及端子(52、53)。该半导体器件还包括绝缘体(70)。绝缘体(70)具有由硅制成的非导电元件(13)。绝缘体(70)在两个表面上均具有用于散热器(51、52)的机械连接的接头(71、72)。
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公开(公告)号：CN112582356B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202011021061.8
申请日：2020-09-25
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/367
Abstract: 半导体器件包括半导体元件(40)、用于将半导体元件夹在之间的布线元件(50)、密封树脂体(30)。半导体元件(40)具有在其上形成有作为宽带隙半导体的SiC基材的SBD(12)。半导体元件(40)在两个表面上具有两个主电极(41、42)。布线元件(50)包括(i)电连接至第一主电极的散热器(51)和(ii)电连接至第二主电极的散热器以及端子(52、53)。该半导体器件还包括绝缘体(70)。绝缘体(70)具有由硅制成的非导电元件(13)。绝缘体(70)在两个表面上均具有用于散热器(51、52)的机械连接的接头(71、72)。
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公开(公告)号：CN113508461A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202080018042.1
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体元件(40)，具有一面侧的第1主电极(41C)和背面侧的第2主电极(41E)；基板(50)，包括与上述第1、第2主电极分别连接的第1、第2基板(50C、50E)；主端子(71)，包括经由上述第1、第2基板而与上述第1、第2主电极分别连接的第1、第2主端子(71C、71E)；以及接合部件(80)。上述接合部件分别存在于上述第1、第2主电极与上述第1、第2基板之间。上述第1、第2主端子的至少一方具有多个。上述第1、第2主端子在与上述半导体元件的厚度方向正交的一个方向上交替地配置。上述第1、第2主端子相对于上述第1、第2基板，不经由上述接合部件而分别直接接合。
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