公开(公告)号：CN112582356A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011021061.8

申请日：2020-09-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 杉田悟 ,  汤泽康介 ,  山田晋 ,  小宫健治

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367

Abstract: 半导体器件包括半导体元件(40)、用于将半导体元件夹在之间的布线元件(50)、密封树脂体(30)。半导体元件(40)具有在其上形成有作为宽带隙半导体的SiC基材的SBD(12)。半导体元件(40)在两个表面上具有两个主电极(41、42)。布线元件(50)包括(i)电连接至第一主电极的散热器(51)和(ii)电连接至第二主电极的散热器以及端子(52、53)。该半导体器件还包括绝缘体(70)。绝缘体(70)具有由硅制成的非导电元件(13)。绝缘体(70)在两个表面上均具有用于散热器(51、52)的机械连接的接头(71、72)。

公开(公告)号：CN113491008A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202080013456.5

申请日：2020-01-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山田晋 ,  杉田悟 ,  小宫健治

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置具备半导体芯片(10、10a～10c)、设在半导体芯片的背面侧的第1导电性部件(30)和设在半导体芯片的表面侧的第2导电性部件(20、40)。半导体芯片具备：半导体基板(11、11a)，具有形成有元件的多个有源区域(a1～a4、a11～a16)和配置在有源区域间及有源区域的外周的不形成元件的非有源区域(na1～na5)；表层电极(14)，在多个有源区域上及多个有源区域间的非有源区域上连续地配置；以及第1栅极布线(12)和第2栅极布线(13)，作为设在非有源区域的表面侧的栅极布线，上述第1栅极布线(12)配置在表层电极的周边，上述第2栅极布线(13)配置在与表层电极对置的位置。

公开(公告)号：CN113491008B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202080013456.5

申请日：2020-01-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山田晋 ,  杉田悟 ,  小宫健治

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置具备半导体芯片(10、10a～10c)、设在半导体芯片的背面侧的第1导电性部件(30)和设在半导体芯片的表面侧的第2导电性部件(20、40)。半导体芯片具备：半导体基板(11、11a)，具有形成有元件的多个有源区域(a1～a4、a11～a16)和配置在有源区域间及有源区域的外周的不形成元件的非有源区域(na1～na5)；表层电极(14)，在多个有源区域上及多个有源区域间的非有源区域上连续地配置；以及第1栅极布线的表面侧的栅极布线，上述第1栅极布线(12)配(12)和第2栅极布线(13)，作为设在非有源区域

公开(公告)号：CN110192275A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201780083579.4

申请日：2017-11-10

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 杉田悟 ,  田边龙太 ,  荒井俊介

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/29 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 在半导体装置中，第1半导体模组(30)构成上臂，具有相互并联地连接的多个半导体芯片(301)、封固树脂体(300)及正极端子(305)。第2半导体模组(40)构成下臂，具有相互并联地连接的多个半导体芯片(401)、封固树脂体(400)及负极端子(406)。在与作为层叠方向的Z方向正交的X方向上，第1、第2半导体模组排列配置。第1、第2半导体模组中的至少一方具有将半导体芯片(301)的低电位侧的电极和半导体芯片(401)的高电位侧的电极进行电气性中继的中继端子(307、408)。

公开(公告)号：CN112582356B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202011021061.8

申请日：2020-09-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 杉田悟 ,  汤泽康介 ,  山田晋 ,  小宫健治

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367

Abstract: 半导体器件包括半导体元件(40)、用于将半导体元件夹在之间的布线元件(50)、密封树脂体(30)。半导体元件(40)具有在其上形成有作为宽带隙半导体的SiC基材的SBD(12)。半导体元件(40)在两个表面上具有两个主电极(41、42)。布线元件(50)包括(i)电连接至第一主电极的散热器(51)和(ii)电连接至第二主电极的散热器以及端子(52、53)。该半导体器件还包括绝缘体(70)。绝缘体(70)具有由硅制成的非导电元件(13)。绝缘体(70)在两个表面上均具有用于散热器(51、52)的机械连接的接头(71、72)。

公开(公告)号：CN110192275B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201780083579.4

申请日：2017-11-10

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 杉田悟 ,  田边龙太 ,  荒井俊介

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/29 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 在半导体装置中，第1半导体模组(30)构成上臂，具有相互并联地连接的多个半导体芯片(301)、封固树脂体(300)及正极端子(305)。第2半导体模组(40)构成下臂，具有相互并联地连接的多个半导体芯片(401)、封固树脂体(400)及负极端子(406)。在与作为层叠方向的Z方向正交的X方向上，第1、第2半导体模组排列配置。第1、第2半导体模组中的至少一方具有将半导体芯片(301)的低电位侧的电极和半导体芯片(401)的高电位侧的电极进行电气性中继的中继端子(307、408)。

公开(公告)号：CN103732028A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310484517.8

申请日：2013-10-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 岩渕明 ,  山田雅央 ,  小野田宪司 ,  杉田悟 ,  坂下隆吉

IPC: H05K7/14

CPC classification number: H05K7/00 ,  H01L2224/48091 ,  H05K7/1432 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种构造为给具有第一连接器端子的负载供电的供电模块包括本体（Ha-Hg）、绝缘元件（1a）、以及第二连接器端子（T2a-T2i）。所述本体包括用于供电的框架。所述绝缘元件密封所述本体以使得框架从绝缘元件露出。所述第二连接器端子构造为将与第一连接器端子配合并且接合至框架。