公开(公告)号：CN112582356B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202011021061.8

申请日：2020-09-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 杉田悟 ,  汤泽康介 ,  山田晋 ,  小宫健治

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367

Abstract: 半导体器件包括半导体元件(40)、用于将半导体元件夹在之间的布线元件(50)、密封树脂体(30)。半导体元件(40)具有在其上形成有作为宽带隙半导体的SiC基材的SBD(12)。半导体元件(40)在两个表面上具有两个主电极(41、42)。布线元件(50)包括(i)电连接至第一主电极的散热器(51)和(ii)电连接至第二主电极的散热器以及端子(52、53)。该半导体器件还包括绝缘体(70)。绝缘体(70)具有由硅制成的非导电元件(13)。绝缘体(70)在两个表面上均具有用于散热器(51、52)的机械连接的接头(71、72)。

公开(公告)号：CN112582356A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011021061.8

申请日：2020-09-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 杉田悟 ,  汤泽康介 ,  山田晋 ,  小宫健治

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367

Abstract: 半导体器件包括半导体元件(40)、用于将半导体元件夹在之间的布线元件(50)、密封树脂体(30)。半导体元件(40)具有在其上形成有作为宽带隙半导体的SiC基材的SBD(12)。半导体元件(40)在两个表面上具有两个主电极(41、42)。布线元件(50)包括(i)电连接至第一主电极的散热器(51)和(ii)电连接至第二主电极的散热器以及端子(52、53)。该半导体器件还包括绝缘体(70)。绝缘体(70)具有由硅制成的非导电元件(13)。绝缘体(70)在两个表面上均具有用于散热器(51、52)的机械连接的接头(71、72)。

公开(公告)号：CN106664005A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580036708.5

申请日：2015-06-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小宫健治

IPC: H02M1/08

CPC classification number: H03K3/012 ,  H02M1/08 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/162

Abstract: 以更简单的结构提供兼顾开关动作的高速化与输出电流的振铃抑制的驱动装置。对控制开关元件(300)的导通断开的驱动器电路(200)提供电压的驱动装置具备：主电源(10)，连接于驱动器电路；第一电容器(11)，与驱动器电路并联地连接于主电源，被配置成在与驱动器电路之间不介有除了布线以外的元件；以及阻抗元件(13)，与第一电容器及驱动器电路串联地连接于主电源，被配置成在与第一电容器及驱动器电路之间不介有除了布线以外的元件。第一电容器的静电电容C1相对于开关元件的栅极电容Cgs、以及第一电容器被充分地充电的状态下的驱动器电路与阻抗元件之间的中间电位Vdr满足以下的关系。

公开(公告)号：CN113491008B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202080013456.5

申请日：2020-01-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山田晋 ,  杉田悟 ,  小宫健治

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置具备半导体芯片(10、10a～10c)、设在半导体芯片的背面侧的第1导电性部件(30)和设在半导体芯片的表面侧的第2导电性部件(20、40)。半导体芯片具备：半导体基板(11、11a)，具有形成有元件的多个有源区域(a1～a4、a11～a16)和配置在有源区域间及有源区域的外周的不形成元件的非有源区域(na1～na5)；表层电极(14)，在多个有源区域上及多个有源区域间的非有源区域上连续地配置；以及第1栅极布线的表面侧的栅极布线，上述第1栅极布线(12)配(12)和第2栅极布线(13)，作为设在非有源区域

公开(公告)号：CN113491008A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202080013456.5

申请日：2020-01-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山田晋 ,  杉田悟 ,  小宫健治

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置具备半导体芯片(10、10a～10c)、设在半导体芯片的背面侧的第1导电性部件(30)和设在半导体芯片的表面侧的第2导电性部件(20、40)。半导体芯片具备：半导体基板(11、11a)，具有形成有元件的多个有源区域(a1～a4、a11～a16)和配置在有源区域间及有源区域的外周的不形成元件的非有源区域(na1～na5)；表层电极(14)，在多个有源区域上及多个有源区域间的非有源区域上连续地配置；以及第1栅极布线(12)和第2栅极布线(13)，作为设在非有源区域的表面侧的栅极布线，上述第1栅极布线(12)配置在表层电极的周边，上述第2栅极布线(13)配置在与表层电极对置的位置。

公开(公告)号：CN109661763B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201780051519.4

申请日：2017-08-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 加藤良隆 ,  小宫健治 ,  进藤祐辅 ,  林庆德 ,  若林健一

IPC: H02M1/08

Abstract: 半导体装置通过向栅极端子施加栅极电压而控制在输出端子间流过输出电流的功率开关元件(410)的通断。该装置具备检测与输出电流相关的电流值的输出电流检测部(130)、检测与功率开关元件的输出端子间电压相关的电压的电压检测部(140)、将栅极电压钳位为规定的值的钳位电路(120)、以及基于由电压检测部检测到的检测电压来控制钳位电路而调整栅极电压的控制部。控制部对应于检测电压控制钳位电路，以使得在功率开关元件短路时流过的输出电流超过用于检测功率开关元件的短路的阈值电流、并且成为被设定为最低电压的栅极电压。

公开(公告)号：CN109661763A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201780051519.4

申请日：2017-08-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 加藤良隆 ,  小宫健治 ,  进藤祐辅 ,  林庆德 ,  若林健一

IPC: H02M1/08

Abstract: 半导体装置通过向栅极端子施加栅极电压而控制在输出端子间流过输出电流的功率开关元件(410)的通断。该装置具备检测与输出电流相关的电流值的输出电流检测部(130)、检测与功率开关元件的输出端子间电压相关的电压的电压检测部(140)、将栅极电压钳位为规定的值的钳位电路(120)、以及基于由电压检测部检测到的检测电压来控制钳位电路而调整栅极电压的控制部。控制部对应于检测电压控制钳位电路，以使得在功率开关元件短路时流过的输出电流超过用于检测功率开关元件的短路的阈值电流、并且成为被设定为最低电压的栅极电压。