公开(公告)号：CN107534032B

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201680019716.3

申请日：2016-04-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小野田宪司 ,  大前翔一朗

IPC: H01L23/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置具备金属部件(15)、第1半导体芯片(13)、第2半导体芯片(14)、第1焊料(24)、以及第2焊料(25)。第1半导体芯片的发热量比第2半导体芯片的发热量大。第2半导体芯片使用杨氏模量比第1半导体芯片大的材料形成。第1半导体芯片在与金属部件的对置面具有经由第1焊料(24)与金属部件连接的第1金属层(13a)。第2半导体芯片在与金属部件的对置面具有经由第2焊料(25)而与金属部件连接的第2金属层(14a)。第2焊料中的与第2金属层的至少外周端的一部分对应的厚度比第1焊料的最大厚度厚。

公开(公告)号：CN106133907A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580015860.5

申请日：2015-03-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 岩渕明 ,  金森淳 ,  小野田宪司 ,  大前翔一朗

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/50 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/50 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H02M7/003 ,  H02M7/537 ,  H02P27/06 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体装置(100)中，主端子(22)及与同一个半导体芯片(11)对应的多个控制端子(31)从封固部(50)的一面(50c)突出，包括多个上述控制端子在内的多个信号路径与上述主端子在第1方向上排列配置。在多个上述信号路径中，分别成对设有相同功能的中继部件，包括成对的上述中继部件的一方的第1中继群(71)和包括另一方的第2中继群(72)在上述第1方向上相邻配置，并且上述第1中继群和上述第2中继群的排列顺序为镜像反转的关系。

公开(公告)号：CN103732028A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310484517.8

申请日：2013-10-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 岩渕明 ,  山田雅央 ,  小野田宪司 ,  杉田悟 ,  坂下隆吉

IPC: H05K7/14

CPC classification number: H05K7/00 ,  H01L2224/48091 ,  H05K7/1432 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种构造为给具有第一连接器端子的负载供电的供电模块包括本体（Ha-Hg）、绝缘元件（1a）、以及第二连接器端子（T2a-T2i）。所述本体包括用于供电的框架。所述绝缘元件密封所述本体以使得框架从绝缘元件露出。所述第二连接器端子构造为将与第一连接器端子配合并且接合至框架。

公开(公告)号：CN107534032A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680019716.3

申请日：2016-04-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小野田宪司 ,  大前翔一朗

IPC: H01L23/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置具备金属部件(15)、第1半导体晶片(13)、第2半导体晶片(14)、第1焊料(24)、以及第2焊料(25)。第1半导体晶片的发热量比第2半导体晶片的发热量大。第2半导体晶片使用杨氏模量比第1半导体晶片大的材料形成。第1半导体晶片在与金属部件的对置面具有经由第1焊料(24)与金属部件连接的第1金属层(13a)。第2半导体晶片在与金属部件的对置面具有经由第2焊料(25)而与金属部件连接的第2金属层(14a)。第2焊料中的与第2金属层的至少外周端的一部分对应的厚度比第1焊料的最大厚度厚。