半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112543994B

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN201980048810.5

    申请日:2019-05-28

    Abstract: 半导体装置包括:至少一个半导体元件(30),该半导体元件具有第一主电极(32)和在与第一主电极之间流过主电流的第二主电极(33);以及主端子(60),该主端子具有连接到第一主电极的第一主端子(60C)和连接到第二主电极的第二主端子(60E),并且第一主端子和第二主端子的至少一方为多个,第一主端子和第二主端子在与半导体元件的厚度方向正交的一方向上以使侧面彼此相对的方式相邻配置。由在一方向上连续配置的三个以上的主端子构成主端子组(61)。构成主端子组的主端子各自的至少一部分在一方向上配置于从半导体元件的两端面(36、37)延长的延长线之间的区域(A1)内。

    半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112543994A

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201980048810.5

    申请日:2019-05-28

    Abstract: 半导体装置包括:至少一个半导体元件(30),该半导体元件具有第一主电极(32)和在与第一主电极之间流过主电流的第二主电极(33);以及主端子(60),该主端子具有连接到第一主电极的第一主端子(60C)和连接到第二主电极的第二主端子(60E),并且第一主端子和第二主端子的至少一方为多个,第一主端子和第二主端子在与半导体元件的厚度方向正交的一方向上以使侧面彼此相对的方式相邻配置。由在一方向上连续配置的三个以上的主端子构成主端子组(61)。构成主端子组的主端子各自的至少一部分在一方向上配置于从半导体元件的两端面(36、37)延长的延长线之间的区域(A1)内。

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