公开(公告)号：CN117581383A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280046746.9

申请日：2022-06-22

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 福谷启太 ,  T·拉赫曼

IPC: H01L29/78

Abstract: 半导体装置具备在半导体衬底(41)的一面(41a)上配置有发射极电极(42)、在背面上配置有集电极电极的半导体元件(40)。发射极电极(42)具有从保护膜(56)的开口部(561)露出而提供接合区域的露出部(421)。半导体衬底(41)具有有源区域(45)，该有源区域是作为在发射极电极(42)与集电极电极之间流过电流的纵型元件的RC－IGBT的形成区域。有源区域(45)包括在平面观察中与露出部(421)重叠的重叠区域(451)以及不与露出部(421)重叠的非重叠区域(452)。非重叠区域(452)中的二极管区域(45d)的比率比重叠区域(451)中的二极管区域(45d)的比率高。

公开(公告)号：CN115280513A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180019769.6

申请日：2021-03-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 鸟山周一 ,  住友正清 ,  T·拉赫曼

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 在共同的半导体基板(10)上形成有具有IGBT元件的IGBT区域(1a)与具有FWD元件的FWD区域(1b)的半导体装置中，在IGBT区域(1a)形成从半导体基板(10)的一面(10a)露出、且相比于接触区域(18a)为低杂质浓度的第二导电型的载流子抑制区域(19)。而且，将第一电极(21)与载流子抑制区域19肖特基接合。