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公开(公告)号：CN115280513A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180019769.6
申请日：2021-03-05
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 在共同的半导体基板(10)上形成有具有IGBT元件的IGBT区域(1a)与具有FWD元件的FWD区域(1b)的半导体装置中，在IGBT区域(1a)形成从半导体基板(10)的一面(10a)露出、且相比于接触区域(18a)为低杂质浓度的第二导电型的载流子抑制区域(19)。而且，将第一电极(21)与载流子抑制区域19肖特基接合。
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