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公开(公告)号：CN102753502B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201180008901.X
申请日：2011-02-01
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/195 , H01B3/12
CPC classification number: H01B3/12 , C04B35/195 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3262 , C04B2235/3436 , C04B2235/3481 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/72 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96
Abstract: 本发明提供表现出高抗弯强度的多层陶瓷基板。作为构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的陶瓷烧结体，使用下述陶瓷烧结体：包含石英、氧化铝、硅钛钡石、硅钡石和钡长石的各结晶相，用粉末X射线衍射分析法在衍射峰角度2θ＝10～40°的范围内测得的上述硅钛钡石的(201)面的衍射峰强度A与上述石英的(110)面的衍射峰强度B的关系为A/B≥2.5。较好是上述硅钛钡石结晶相的平均结晶粒径为5μm以下。在用于获得这种陶瓷烧结体的烧成工序中，将最高温度设在980～1000℃的范围内。
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公开(公告)号：CN1394113A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN02122822.1
申请日：2002-06-05
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: B32B18/00 , C03C14/00 , C03C14/004 , C03C2214/00 , C03C2214/20 , C03C2214/30 , C04B35/462 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/6562 , C04B2235/9615 , C04B2237/343 , C04B2237/348 , H01L21/4867 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K1/0306 , H05K1/162 , H05K3/4629 , H05K3/4688 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了以平坦且烧结收缩率低的状态制造玻璃陶瓷多层基板的方法。该制造方法是将由显现不同烧结收缩行为的第1及第2生料片2及3层叠而成的未烧结层叠体6进行烧结，从而制得玻璃陶瓷多层基板1。烧结过程中，将第1及第2生料片2及3的收缩起始温度(℃)分别设定为TSa及TSb，将收缩量达到第1及第2生料片2及3在烧结结束时的收缩量的90％时的温度(℃)分别设定为TFa及TFb，且当升温速度为X℃/分钟时，使其满足(TFa+3X)＜TSb或(TFb+3X)＜TSa的关系。
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公开(公告)号：CN110520986A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880021634.1
申请日：2018-03-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的复合陶瓷多层基板的特征在于，具备：玻璃陶瓷绝缘层，包含布线层；以及高热传导陶瓷绝缘层，由热传导率比上述玻璃陶瓷绝缘层高的陶瓷材料构成，上述玻璃陶瓷绝缘层是直接和/或经由布线层形成于上述高热传导陶瓷绝缘层的一个主面或者上述高热传导陶瓷绝缘层的两个主面的复合陶瓷多层基板，具有1处以上在从上述复合陶瓷多层基板的主面的垂直方向观察的情况下，被上述玻璃陶瓷绝缘层围起，并露出形成于上述高热传导陶瓷绝缘层的主面的发热元件安装用布线的发热元件安装部。
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公开(公告)号：CN103650653A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280033749.5
申请日：2012-06-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K1/115 , H01L23/5389 , H01L2924/0002 , H05K1/188 , H05K3/06 , H05K3/4038 , H05K3/4647 , H05K2201/10378 , H05K2203/0323 , H05K2203/0369 , H05K2203/0376 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的布线基板包括绝缘层(10)、以及夹着绝缘层(10)而进行配置的上侧布线图案(11)和下侧布线图案(12)。下侧布线图案(12)与向上侧布线图案(11)一侧突出的圆锥台的凸部(12A)一体成形，上侧布线图案(11)与向下侧布线图案(12)一侧突出的圆锥台的凸部(11A)一体成形。凸部(11A、12A)的接合端部相接合，从而形成层间连接导体(13)。层间连接导体(13)导通上侧布线图案(11)与下侧布线图案(12)。由此，提供一种不会妨碍小型化、并能防止层间连接导体的可靠性下降的布线基板。
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公开(公告)号：CN101784502B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880102216.1
申请日：2008-07-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/195 , H01B3/12 , H05K1/03 , H05K3/46
CPC classification number: H05K1/0306 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B35/62675 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/72 , C04B2235/96 , H05K1/024 , Y10T428/24926 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供一种不仅烧结后的组成的离差少、而且烧结体的弯曲强度高、在微波带的Q值高的陶瓷组合物。所述陶瓷组合物例如为用于构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的陶瓷组合物，其中，含有47.0～67.0重量％的SiO2、21.0～41.0重量％的BaO、及10.0～18.0重量％的Al2O3，同时含有相对于SiO2、BaO及Al2O3的合计100重量份为1.0～5.0重量份的作为第1添加物的CeO2、以及相对于SiO2、BaO、Al2O3及CeO2的合计100重量份为2.5～5.5重量份的作为第2添加物的MnO，且不含Cr。进而，还可以含有作为第3添加物的Zr、Ti、Zn、Nb、Mg及Fe成分中的至少一种和作为第4添加物的Co及/或V成分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101346310A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680049222.6
申请日：2006-11-29
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C01B33/22 , B82Y30/00 , C03C10/0009 , C04B35/20 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3418 , C04B2235/407 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01G4/30 , H01L2224/16225 , H01L2924/15192 , H01L2924/1531 , H01L2924/16251 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供一种可以以较低温烧结、可以制造经济上有利的特性良好的镁橄榄石粉末的镁橄榄石粉末的制造方法。混合镁源、硅源和Cu粒子，制作以300～2000wtppm的范围含有Cu粒子的混合粉末，烧成该混合粉末。作为镁源，使用Mg(OH)2，作为硅源，使用SiO2。成为结晶结构为多结晶的镁橄榄石粉末。在溶剂的存在下混合镁源、硅源和Cu粒子，配制混合粉末。另外，以300～2000wtppm的比例含有Cu。粒径成为0.20～0.40μm的范围。另外，构成镁橄榄石的结晶直径成为0.034～0.040μm。
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公开(公告)号：CN110520986B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201880021634.1
申请日：2018-03-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的复合陶瓷多层基板的特征在于，具备：玻璃陶瓷绝缘层，包含布线层；以及高热传导陶瓷绝缘层，由热传导率比上述玻璃陶瓷绝缘层高的陶瓷材料构成，上述玻璃陶瓷绝缘层是直接和/或经由布线层形成于上述高热传导陶瓷绝缘层的一个主面或者上述高热传导陶瓷绝缘层的两个主面的复合陶瓷多层基板，具有1处以上在从上述复合陶瓷多层基板的主面的垂直方向观察的情况下，被上述玻璃陶瓷绝缘层围起，并露出形成于上述高热传导陶瓷绝缘层的主面的发热元件安装用布线的发热元件安装部。
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公开(公告)号：CN102822112B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201180015855.6
申请日：2011-03-23
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L23/15 , B32B18/00 , C04B35/117 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/77 , C04B2237/10 , C04B2237/341 , C04B2237/407 , C04B2237/56 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C23C24/082 , C23C28/04 , H01L23/142 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/09701 , H01L2924/15192 , H05K1/053 , Y10T156/10 , Y10T428/2495 , Y10T428/265
Abstract: 在由铜形成的金属板上形成有低温烧结陶瓷层的金属基基板中，提高金属板和低温烧结陶瓷层的接合可靠性。通过在由铜形成的金属板（14）的表面上层叠包含含有换算成BaO为10～40摩尔％的钡和换算成SiO2为40～80摩尔％的硅的低温烧结材料的低温烧结陶瓷生坯层，从而制作生的层叠体，在低温烧结陶瓷生坯层烧结的温度下对该生的层叠体进行烧成。在这样得到的金属基基板（12）中的金属板（14）和低温烧结陶瓷层（15）之间形成由Cu-Ba-Si系玻璃形成的厚1～5μm的玻璃层（22）。该玻璃层（22）显示良好的接合可靠性。
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公开(公告)号：CN102822112A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180015855.6
申请日：2011-03-23
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L23/15 , B32B18/00 , C04B35/117 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/77 , C04B2237/10 , C04B2237/341 , C04B2237/407 , C04B2237/56 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C23C24/082 , C23C28/04 , H01L23/142 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/09701 , H01L2924/15192 , H05K1/053 , Y10T156/10 , Y10T428/2495 , Y10T428/265
Abstract: 在由铜形成的金属板上形成有低温烧结陶瓷层的金属基基板中，提高金属板和低温烧结陶瓷层的接合可靠性。通过在由铜形成的金属板（14）的表面上层叠包含含有换算成BaO为10～40摩尔％的钡和换算成SiO2为40～80摩尔％的硅的低温烧结材料的低温烧结陶瓷生坯层，从而制作生的层叠体，在低温烧结陶瓷生坯层烧结的温度下对该生的层叠体进行烧成。在这样得到的金属基基板（12）中的金属板（14）和低温烧结陶瓷层（15）之间形成由Cu-Ba-Si系玻璃形成的厚1～5μm的玻璃层（22）。该玻璃层（22）显示良好的接合可靠性。
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公开(公告)号：CN101784502A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880102216.1
申请日：2008-07-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/195 , H01B3/12 , H05K1/03 , H05K3/46
CPC classification number: H05K1/0306 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B35/62675 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/72 , C04B2235/96 , H05K1/024 , Y10T428/24926 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供一种不仅烧结后的组成的离差少、而且烧结体的弯曲强度高、在微波带的Q值高的陶瓷组合物。所述陶瓷组合物例如为用于构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的陶瓷组合物，其中，含有47.0～67.0重量％的SiO2、21.0～41.0重量％的BaO、及10.0～18.0重量％的Al2O3，同时含有相对于SiO2、BaO及Al2O3的合计100重量份为1.0～5.0重量份的作为第1添加物的CeO2、以及相对于SiO2、BaO、Al2O3及CeO2的合计100重量份为2.5～5.5重量份的作为第2添加物的MnO，且不含Cr。进而，还可以含有作为第3添加物的Zr、Ti、Zn、Nb、Mg及Fe成分中的至少一种和作为第4添加物的Co及/或V成分。
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