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公开(公告)号：CN109076709B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201780025894.1
申请日：2017-02-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H05K3/46
Abstract: 本发明的多层陶瓷基板的特征在于，具备：层叠的多个基体层，该多个基体层含有低温烧结陶瓷材料；多个第一约束层，该多个第一约束层含有在上述低温烧结陶瓷材料的烧结温度下实质上不烧结的金属氧化物，并且配置在上述基体层之间；以及保护层，该保护层含有上述金属氧化物，并且配置于表面，使得与上述基体层相接，在将上述保护层的表面部的上述金属氧化物的含有比率设为X1、将上述保护层的与基体层的边界部的上述金属氧化物的含有比率设为X2时，满足X1＞X2。
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公开(公告)号：CN109644559A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052927.1
申请日：2017-06-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的电子器件是在多层陶瓷基板安装有电子部件的电子器件，该电子器件的特征在于，上述电子部件在安装面侧具备在剖视下具有R形状的连接端子，上述多层陶瓷基板具备用于与上述连接端子连接的表面电极，在上述多层陶瓷基板的安装面，在与上述连接端子对应的位置形成有在剖视下具有R形状的凹部，上述表面电极设置在上述凹部的至少一部分，并与上述连接端子导通。
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公开(公告)号：CN109076709A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780025894.1
申请日：2017-02-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H05K3/46
Abstract: 本发明的多层陶瓷基板的特征在于，具备：层叠的多个基体层，该多个基体层含有低温烧结陶瓷材料；多个第一约束层，该多个第一约束层含有在上述低温烧结陶瓷材料的烧结温度下实质上不烧结的金属氧化物，并且配置在上述基体层之间；以及保护层，该保护层含有上述金属氧化物，并且配置于表面，使得与上述基体层相接，在将上述保护层的表面部的上述金属氧化物的含有比率设为X1、将上述保护层的与基体层的边界部的上述金属氧化物的含有比率设为X2时，满足X1＞X2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109074956A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026163.9
申请日：2017-03-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的陶瓷电子部件是具备陶瓷绝缘体和设置于上述陶瓷绝缘体的内部的内部导体层的陶瓷电子部件，其特征在于，上述内部导体层包含金属和金属氧化物，该金属氧化物包含从由Ti、Mg及Zr构成的组中选择的至少一种金属元素，在上述内部导体层的内部分散地存在与上述陶瓷绝缘体不连续的第一绝缘体区域，该第一绝缘体区域包含从由Ti、Mg及Zr构成的组中选择的至少一种金属元素，并且，在上述内部导体层的周围存在第二绝缘体区域，该第二绝缘体区域包含与上述第一绝缘体区域所含的上述金属元素相同的金属元素。
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公开(公告)号：CN109074956B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201780026163.9
申请日：2017-03-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的陶瓷电子部件是具备陶瓷绝缘体和设置于上述陶瓷绝缘体的内部的内部导体层的陶瓷电子部件，其特征在于，上述内部导体层包含金属和金属氧化物，该金属氧化物包含从由Ti、Mg及Zr构成的组中选择的至少一种金属元素，在上述内部导体层的内部分散地存在与上述陶瓷绝缘体不连续的第一绝缘体区域，该第一绝缘体区域包含从由Ti、Mg及Zr构成的组中选择的至少一种金属元素，并且，在上述内部导体层的周围存在第二绝缘体区域，该第二绝缘体区域包含与上述第一绝缘体区域所含的上述金属元素相同的金属元素。
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公开(公告)号：CN102822112B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201180015855.6
申请日：2011-03-23
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L23/15 , B32B18/00 , C04B35/117 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/77 , C04B2237/10 , C04B2237/341 , C04B2237/407 , C04B2237/56 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C23C24/082 , C23C28/04 , H01L23/142 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/09701 , H01L2924/15192 , H05K1/053 , Y10T156/10 , Y10T428/2495 , Y10T428/265
Abstract: 在由铜形成的金属板上形成有低温烧结陶瓷层的金属基基板中，提高金属板和低温烧结陶瓷层的接合可靠性。通过在由铜形成的金属板（14）的表面上层叠包含含有换算成BaO为10～40摩尔％的钡和换算成SiO2为40～80摩尔％的硅的低温烧结材料的低温烧结陶瓷生坯层，从而制作生的层叠体，在低温烧结陶瓷生坯层烧结的温度下对该生的层叠体进行烧成。在这样得到的金属基基板（12）中的金属板（14）和低温烧结陶瓷层（15）之间形成由Cu-Ba-Si系玻璃形成的厚1～5μm的玻璃层（22）。该玻璃层（22）显示良好的接合可靠性。
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公开(公告)号：CN102822112A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180015855.6
申请日：2011-03-23
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L23/15 , B32B18/00 , C04B35/117 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/77 , C04B2237/10 , C04B2237/341 , C04B2237/407 , C04B2237/56 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C23C24/082 , C23C28/04 , H01L23/142 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/09701 , H01L2924/15192 , H05K1/053 , Y10T156/10 , Y10T428/2495 , Y10T428/265
Abstract: 在由铜形成的金属板上形成有低温烧结陶瓷层的金属基基板中，提高金属板和低温烧结陶瓷层的接合可靠性。通过在由铜形成的金属板（14）的表面上层叠包含含有换算成BaO为10～40摩尔％的钡和换算成SiO2为40～80摩尔％的硅的低温烧结材料的低温烧结陶瓷生坯层，从而制作生的层叠体，在低温烧结陶瓷生坯层烧结的温度下对该生的层叠体进行烧成。在这样得到的金属基基板（12）中的金属板（14）和低温烧结陶瓷层（15）之间形成由Cu-Ba-Si系玻璃形成的厚1～5μm的玻璃层（22）。该玻璃层（22）显示良好的接合可靠性。
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