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公开(公告)号：CN107924877A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680046823.5
申请日：2016-08-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及高频模块及其制造方法。在具备屏蔽从外部针对部件的不必要的电磁波的屏蔽膜的高频模块中提高屏蔽膜的密合强度。高频模块(1a)具备密封体(12)和屏蔽膜(5)，该密封体(12)具有多层布线基板(2)、被安装在该多层布线基板(2)的上面(20a)的部件(3)以及被层叠在多层布线基板(2)的上面(20a)并覆盖部件(3)的密封树脂层(4)，该屏蔽膜(5)包覆密封树脂层(4)的表面，密封体(12)的侧面具有形成为曲面状的曲面部(12b)，该曲面部(12b)通过多个槽(10a)而被粗糙化。
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公开(公告)号：CN104364899A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380031145.1
申请日：2013-05-07
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K7/02 , H01L23/15 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L25/16 , H01L2224/16225 , H01L2924/1531 , H01L2924/19106 , H05K1/141 , H05K1/186 , H05K3/284 , H05K3/368 , H05K3/4015 , H05K2201/0367 , H05K2201/10318 , H05K2201/10477 , H05K2201/10977 , H05K2201/10992 , H05K2203/047
Abstract: 本发明的电子部件模块中，经由接合部将布线基板上的导电焊盘与柱状的连接端子构件相接合，并且在布线基板上形成有封装连接端子构件的树脂层，所述电子部件模块能够抑制构成接合部的接合材料在将该电子部件模块安装到安装用基板上时所实施的回流工序中流出。预先在连接端子构件(6)的露出侧的端面(9)上形成由Cu-M类合金(M为Ni及/或Mn)构成的电镀层(15)，其中，该Cu-M类合金能够与构成接合部(10)的接合材料中所含的Sn类低熔点金属生成金属间化合物，并且该Cu-M类合金与该金属间化合物的晶格常数差在50％以上。即使在回流工序中接合材料再次熔融并朝向外部流出，该接合材料也会与Cu-M类电镀层(15)接触而形成由金属间化合物构成的高熔点合金体(27)，从而将连接端子构件(6)与树脂层(11)的界面封堵。
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公开(公告)号：CN103515343B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310245091.0
申请日：2013-06-19
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/488 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H05K1/181 , H01L2924/0002 , H05K1/141 , H05K3/284 , H05K3/368 , H05K2201/10318 , H05K2201/10477 , H01L2924/00
Abstract: 布线基板上的导电连接盘和柱状的连接端子构件通过接合部进行接合，且在布线基板上形成了密封连接端子构件的树脂层，由此构成电子元器件模块，在将该电子元器件模块安装到安装基板时所实施的回流工序中，抑制构成接合部的接合材料的流出。在导电连接盘7和连接端子构件6的接合部10中，至少生成Cu‑Sn类、M‑Sn类（M是Ni及/或Mn）、Cu－M－Sn类的金属间化合物，金属间化合物生成区域25存在于连接端子构件6一侧。该金属间化合物生成区域中，若将接合部的剖面在纵向及横向均匀地等分为10块，合计细分为100块，此时，构成元素不同的金属间化合物至少存在2种的块数相对于除去在1块中只存在Sn类金属成分的块后的剩余全块数的比例在70％以上。
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公开(公告)号：CN102473837B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201080029008.0
申请日：2010-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/09 , B32B15/08 , C09J5/06 , C09J9/02 , C09J201/00 , F04B45/047
CPC classification number: H01L41/22 , C08K3/04 , C08K7/16 , C08K2201/011 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J11/06 , F04B45/047 , H01G9/0032 , H01G9/155 , H01L41/0478 , H01L41/0973 , H01L41/29 , H01L41/313 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49126
Abstract: 提供一种压电体与金属板之间的导电性和粘接性优异的粘接结构。在用导电性粘接剂(10)将金属板(1)和压电体(2)的电极(3)进行导电性粘接的粘接结构中，导电性粘接剂(10)包含平均粒子直径为纳米级别的碳黑(12a)，且导电性粘接剂(10)是将碳黑包含在无溶剂类或溶剂类树脂中以便形成平均粒子直径在1μm～50μm的凝聚体(12)的糊料状粘接剂。将导电性粘接剂(10)涂布在金属板和压电体的电极之间，对金属板(1)和压电体(2)进行加热/加压以使碳黑凝聚体(12)变形，来使导电性粘接剂(10)固化。
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公开(公告)号：CN103515343A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310245091.0
申请日：2013-06-19
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/488 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H05K1/181 , H01L2924/0002 , H05K1/141 , H05K3/284 , H05K3/368 , H05K2201/10318 , H05K2201/10477 , H01L2924/00
Abstract: 布线基板上的导电连接盘和柱状的连接端子构件通过接合部进行接合，且在布线基板上形成了密封连接端子构件的树脂层，由此构成电子元器件模块，在将该电子元器件模块安装到安装基板时所实施的回流工序中，抑制构成接合部的接合材料的流出。在导电连接盘7和连接端子构件6的接合部10中，至少生成Cu-Sn类、M-Sn类（M是Ni及/或Mn）、Cu－M－Sn类的金属间化合物，金属间化合物生成区域25存在于连接端子构件6一侧。该金属间化合物生成区域中，若将接合部的剖面在纵向及横向均匀地等分为10块，合计细分为100块，此时，构成元素不同的金属间化合物至少存在2种的块数相对于除去在1块中只存在Sn类金属成分的块后的剩余全块数的比例在70％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101449373A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018805.7
申请日：2007-03-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 中越英雄
CPC classification number: H01L23/3677 , H01L23/481 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05155 , H01L2224/05568 , H01L2224/05666 , H01L2224/16225 , H01L2224/73253 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供具有良好的散热性且容易制造，包括半导体元件的半导体装置。在半导体元件(12)设有被开口(15)位于第1主面(13)侧的非贯穿孔(16)规定的且非贯穿孔(16)被导电材料(17)填充形成的散热路径(18)，且散热板(14)通过所述导电材料(17)与半导体元件(12)接合。较好的是使用焊锡作为导电材料(17)，一面将焊锡置于半导体元件(12)和散热板(14)之间，一面将溶融的焊锡导入至非贯穿孔(16)形成散热路径(18)，并且可以得到将散热板(14)与半导体元件(12)接合的状态。
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公开(公告)号：CN114566414A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210185473.8
申请日：2017-02-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种真空装置，即使是小型的通信用模块也能以充分地抑制了温度上升的状态来实施溅射处理、等离子处理等表面处理。真空装置(100)包括配置于真空腔室(1)内部的被处理物载放部(2)；以及与真空腔室(1)相连接的真空排气部(9)。被处理物载放部(2)具有载放被处理物(5)的一个主面(2a)、以及与一个主面(2a)相连接的侧面，且设置有多条在一个主面(2a)具有开口的槽(3)。从一个主面(2a)侧观察被处理物载放部(2)时，一个主面上的槽(3)的开口的最短宽度(w1)为被处理物(5)的最短宽度(w2)的一半以下。
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公开(公告)号：CN107924877B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201680046823.5
申请日：2016-08-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及高频模块及其制造方法。在具备屏蔽从外部针对部件的不必要的电磁波的屏蔽膜的高频模块中提高屏蔽膜的密合强度。高频模块(1a)具备密封体(12)和屏蔽膜(5)，该密封体(12)具有多层布线基板(2)、被安装在该多层布线基板(2)的上面(20a)的部件(3)以及被层叠在多层布线基板(2)的上面(20a)并覆盖部件(3)的密封树脂层(4)，该屏蔽膜(5)包覆密封树脂层(4)的表面，密封体(12)的侧面具有形成为曲面状的曲面部(12b)，该曲面部(12b)通过多个槽(10a)而被粗糙化。
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公开(公告)号：CN104364899B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201380031145.1
申请日：2013-05-07
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K7/02 , H01L23/15 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L25/16 , H01L2224/16225 , H01L2924/1531 , H01L2924/19106 , H05K1/141 , H05K1/186 , H05K3/284 , H05K3/368 , H05K3/4015 , H05K2201/0367 , H05K2201/10318 , H05K2201/10477 , H05K2201/10977 , H05K2201/10992 , H05K2203/047
Abstract: 本发明的电子部件模块中，经由接合部将布线基板上的导电焊盘与柱状的连接端子构件相接合，并且在布线基板上形成有封装连接端子构件的树脂层，所述电子部件模块能够抑制构成接合部的接合材料在将该电子部件模块安装到安装用基板上时所实施的回流工序中流出。预先在连接端子构件(6)的露出侧的端面(9)上形成由Cu‑M类合金(M为Ni及/或Mn)构成的电镀层(15)，其中，该Cu‑M类合金能够与构成接合部(10)的接合材料中所含的Sn类低熔点金属生成金属间化合物，并且该Cu‑M类合金与该金属间化合物的晶格常数差在50％以上。即使在回流工序中接合材料再次熔融并朝向外部流出，该接合材料也会与Cu‑M类电镀层(15)接触而形成由金属间化合物构成的高熔点合金体(27)，从而将连接端子构件(6)与树脂层(11)的界面封堵。
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公开(公告)号：CN107275252A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710102611.0
申请日：2017-02-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01J37/3411 , C23C14/205 , C23C14/50 , H01J37/3435 , H01J37/3476 , H01L21/67011
Abstract: 本发明提供一种真空装置，即使是小型的通信用模块也能以充分地抑制了温度上升的状态来实施溅射处理、等离子处理等表面处理。真空装置(100)包括配置于真空腔室(1)内部的被处理物载放部(2)；以及与真空腔室(1)相连接的真空排气部(9)。被处理物载放部(2)具有载放被处理物(5)的一个主面(2a)、以及与一个主面(2a)相连接的侧面，且设置有多条在一个主面(2a)具有开口的槽(3)。从一个主面(2a)侧观察被处理物载放部(2)时，一个主面上的槽(3)的开口的最短宽度(w1)为被处理物(5)的最短宽度(w2)的一半以下。
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