公开(公告)号：CN1430272A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02159388.4

申请日：2002-12-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶原良一 ,  小泉正博 ,  筱田政佳 ,  成泽明彦 ,  西村朝雄 ,  守田俊章 ,  高桥和弥 ,  伊藤和利

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K3/244 ,  H05K3/4602 ,  H01L2924/00

Abstract: 对于在有机基板上直接搭载具有小于100微米间距大于50管脚的电极的LSI芯片的半导体装置，提供半导体装置的耐焊锡回流性、温度循环可靠性、高温高湿可靠性好的安装结构及制造方法。构成为通过Au/Au金属接合直接倒装片接合芯片的电极Au凸起和基板连接端子最表面的Au膜，并接合构成为Au凸起的接合部延伸大于2微米。得到该接合结构的方法为从溅射清洁开始在10分钟内超声波接合两接合面的工序，选择接合条件为基板侧：常温，芯片侧：常温－150度，接合负荷：1/2S＊100MPa－S＊180MPa(S：凸起/芯片间的接触面积)，负荷模式：接合中增加，超声波时间：50－500ms，可实现上述结构。

公开(公告)号：CN100431142C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN02159388.4

申请日：2002-12-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶原良一 ,  小泉正博 ,  筱田政佳 ,  成泽明彦 ,  西村朝雄 ,  守田俊章 ,  高桥和弥 ,  伊藤和利

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K3/244 ,  H05K3/4602 ,  H01L2924/00

Abstract: 对于在有机基板上直接搭载具有小于100微米间距大于50管脚的电极的LSI芯片的半导体装置，提供半导体装置的耐焊锡回流性、温度循环可靠性、高温高湿可靠性好的安装结构及制造方法。构成为通过Au/Au金属接合直接倒装片接合芯片的电极Au凸起和基板连接端子最表面的Au膜，并接合构成为Au凸起的接合部延伸大于2微米。得到该接合结构的方法为从溅射清洁开始在10分钟内超声波接合两接合面的工序，选择接合条件为基板侧：常温，芯片侧：常温-150度，接合负荷：1/2S*100MPa-S*180MPa(S：凸起/芯片间的接触面积)，负荷模式：接合中增加，超声波时间：50-500ms，可实现上述结构。

公开(公告)号：CN1299518A

公开(公告)日：2001-06-13

申请号：CN98814031.4

申请日：1998-09-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶原良一 ,  小泉正博 ,  守田俊章 ,  高桥和弥 ,  西村朝雄 ,  坪崎邦宏

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体芯片和有机基板在湿气含量减少的气氛中通过已进行清洁处理的金突点接合在一起。根据本发明,使用直径不大于300μm、高度不小于50μm和高度/直径比不低于1/5的金突点以足够高的强度将半导体芯片和有机基板接合在一起,由此减少了应变。