非易失性半导体存储设备

    公开(公告)号:CN103632718B

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201310056257.4

    申请日:2013-02-19

    Inventor: 市毛正之

    Abstract: 公开了非易失性半导体存储设备。这种非易失性半导体存储设备包括配置成具有布置在其中的多个存储器垫的存储器单元阵列,每个存储器垫具有在其中位于第一条线和第二条线的交点处的存储器单元,存储器单元包括第一可变电阻元件。第三条线延伸穿过多个存储器垫。第二可变电阻元件连接在所述第三条线和多个存储器垫中的每一个存储器垫的第二条线之间。

    非易失半导体存储器
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1300852C

    公开(公告)日:2007-02-14

    申请号:CN200410036691.7

    申请日:2004-04-28

    CPC classification number: H01L27/11521 H01L27/115 H01L27/11524

    Abstract: 在半导体基底上形成栅极绝缘膜(14)。在栅极绝缘膜(14)上形成浮动栅极(15)。浮动栅极(15)具有基本为三角形的、沿着一个平面得到的截面,该平面以平行于半导体基底上的第一方向并且垂直于半导体基底的方式延伸,并且具有与栅极绝缘膜接触的底部和从底部的端部向上延伸的两个倾斜侧。一对控制栅极(17,17)与浮动栅极(15)的两个倾斜侧上形成的栅极间绝缘膜(16)接触。浮动栅极(15)适于由与该对控制栅极(17,17)的电容性耦合驱动。

    非易失半导体存储器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1542977A

    公开(公告)日:2004-11-03

    申请号:CN200410036691.7

    申请日:2004-04-28

    CPC classification number: H01L27/11521 H01L27/115 H01L27/11524

    Abstract: 在半导体基底上形成栅极绝缘膜(14)。在栅极绝缘膜(14)上形成浮动栅极(15)。浮动栅极(15)具有基本为三角形的、沿着一个平面得到的截面,该平面以平行于半导体基底上的第一方向并且垂直于半导体基底的方式延伸,并且具有与栅极绝缘膜接触的底部和从底部的端部向上延伸的两个倾斜侧。一对控制栅极(17,17)与浮动栅极(15)的两个倾斜侧上形成的栅极间绝缘膜(16)接触。浮动栅极(15)适于由与该对控制栅极(17,17)的电容性耦合驱动。

    非易失性半导体存储设备

    公开(公告)号:CN103632718A

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201310056257.4

    申请日:2013-02-19

    Inventor: 市毛正之

    CPC classification number: G11C13/0002 G11C5/025 G11C7/18 G11C8/12

    Abstract: 公开了非易失性半导体存储设备。这种非易失性半导体存储设备包括配置成具有布置在其中的多个存储器垫的存储器单元阵列,每个存储器垫具有在其中位于第一条线和第二条线的交点处的存储器单元,存储器单元包括第一可变电阻元件。第三条线延伸穿过多个存储器垫。第二可变电阻元件连接在所述第三条线和多个存储器垫中的每一个存储器垫的第二条线之间。

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